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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
PTV22B-E3/85A	-	RFQ	3397	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV22		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 17 V						23.3 v	14オーム
VBO160-14NO7	-	RFQ	4604	ixys	-	箱	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	PWS-E	VBO160	標準		PWS-E	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5						1.43 V @ 300 a		300 µA @ 1400 v		174 a		単相	1.4 kV
BZT52C15-HF	0.0476	RFQ	5021	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-BZT52C15-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 10.5 v						15 V	30オーム
DF04S-E3/77	0.8000	RFQ	289	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF04	標準		DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500						1.1 V @ 1 a		5 µA @ 400 V		1 a		単相	400 V
1N5279B-1	3.1200	RFQ	7742	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5279B-1	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 137 v						180 v	2200オーム
SMBG5380B/TR13	2.2500	RFQ	1966年年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5380		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a		500 NA @ 86.4 v						120 v	170オーム
RS3MHR7G	-	RFQ	3181	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc	RS3M	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns		1000 V		1.3 V @ 3 a	500 ns	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	3a	-
MMSZ5254B-HE3_A-18	0.0549	RFQ	9634	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5254B-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 21 V						27 v	41オーム
SBT80-10J	-	RFQ	9354	onsemi	-	バルク	廃止			穴を通して	TO-220-3フルパック	SBT80	ショットキー		TO-220ML	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	8a	800 mV @ 3 a		100 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
SS14E-TPS01	-	RFQ	1824年年	Micro Commercial Co	-	バルク	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS14	ショットキー		do-214ac（smae）	ダウンロード				353-SS14E-TPS01	廃止		1		高速回復= <500ns		40 v		600 mV @ 1 a		100 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	1a	110pf @ 4V、1MHz
1n6941utk3/tr	267.4800	RFQ	3870	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Thinkey™3		ショットキー、逆極性		Thinkey™3	-			影響を受けていない	150-1N6941UTK3/TR	ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 50 a		5 ma @ 30 v	-65°C〜150°C	150a	7500PF @ 5V、1MHz
MER2DMB_R2_00601	0.3800	RFQ	6	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	Mer2d	標準		SMB （DO-214AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,000		高速回復= <500ns		200 v		950 mv @ 2 a	35 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2a	25pf @ 4V、1MHz
1N5281B-1	3.6450	RFQ	8663	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸				do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5281B-1	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 152 v
S1JM	0.0936	RFQ	3795	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、フラットリード		標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-S1JMTR	ear99	8541.10.0080	18,000		標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	780 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	1a	5PF @ 4V、1MHz
EDF1AS-E3/77	1.2300	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	EDF1	標準		DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500						1.05 V @ 1 a		5 µA @ 50 V		1 a		単相	50 v
jan1n4104dur-1/tr	16.3058	RFQ	7091	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4104dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 7.6 v						10 v	200オーム
CZRQR13VB-HF	-	RFQ	4049	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜125°C	表面マウント	0402 （1006メトリック）	CZRQR13		125 MW	0402/SOD-923F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 9.9 v						13 v	25オーム
PD3S220L-7-2477	-	RFQ	3063	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	バルク	前回購入します			表面マウント	Powerdi™323		ショットキー		Powerdi™323	-				31-PD3S220L-7-2477			1		高速回復= <500ns		20 v		490 mV @ 2 a		160 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	2a	46pf @ 10V、1MHz
DZ23C3V0-HE3_A-08	-	RFQ	4388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-DZ23C3V0-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通カソード													3 v	80オーム
1N5925APE3/TR12	0.9150	RFQ	3784	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5925		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 8 V						10 v	4.5オーム
BZX84B12-HE3_A-08	0.0498	RFQ	7356	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84B12-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 8 V						12 v	25オーム
1N965B	2.0800	RFQ	732	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA	1N965		500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1N965bms	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 11.4 v						15 V	16オーム
3SMAJ5936BHE3-TP	0.1405	RFQ	4520	Micro Commercial Co	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	3SMAJ5936		3 W	do-214ac	ダウンロード				353-3SMAJ5936BHE3-TP	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 22.8 v						30 V	28オーム
HZ20-2TD-E	0.1100	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1
1N5388E3/TR12	-	RFQ	4886	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5388		5 W	T-18	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a		500 NA @ 144 v						200 v	480オーム
jantxv1n2995b	-	RFQ	2748	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 2 a		10 µA @ 35.8 v						47 v	14オーム
UFS350J/TR13	2.6100	RFQ	1124	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	UFS350	標準		DO-214AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		500 V		1.1 V @ 3 a	50 ns	10 µA @ 500 V	-55°C〜175°C	3a	-
1N4007G A0G	0.3900	RFQ	15	台湾半導体コーポレーション	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4007	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		1000 V		1 V @ 1 a		5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
PZS51A15CS_R1_00001	0.0455	RFQ	7822	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	PZS51A15		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,250,000								50 Na @ 11.4 v						15 V
1N4728A-T	-	RFQ	9169	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4728		1.3 w	DO-41	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	5,000						1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V						3.3 v	400オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²