画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNS40H100C、127 | 0.4247 | ![]() | 3137 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WNS40 | ショットキー | TO-220E | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 710 mv @ 20 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | |||||||||||||||
![]() | jantx1n4974d | 29.4600 | ![]() | 4531 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4974 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 35.8 v | 47 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | DDZ15CSF-7 | 0.2000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | DDZ15 | 500 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 70 Na @ 13.6 v | 14.72 v | 40オーム | |||||||||||||
![]() | MBRS25100CT | 0.8958 | ![]() | 6088 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS25100 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS25100CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 25a | 920 mv @ 25 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | SZMMBZ5235BLT1 | - | ![]() | 9994 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
jantxv1n4462dus/tr | 38.7600 | ![]() | 9302 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | 150-jantxv1n4462dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 1 µA @ 4.5 v | 7.5 v | 2.5オーム | |||||||||||||||||
BZT52C10-G RHG | 0.0445 | ![]() | 6519 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | MTZJ13SC | 0.0305 | ![]() | 2877 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | MTZJ13 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ13SCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 10 V | 13.33 v | 35オーム | ||||||||||||||
![]() | SS1200FL-TP | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | SS1200 | ショットキー | DO-221AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SS1200FL-TPMSTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 920 mv @ 1 a | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
1N4566A-1 | 4.2150 | ![]() | 5840 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜100°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4566 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム | ||||||||||||||||
BZT52C18-G RHG | 0.0445 | ![]() | 3940 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム | ||||||||||||||
1PGSMA4744H | 0.1156 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4744 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-2KBB20R | 1.7500 | ![]() | 408 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip 、2kbb | 2KBB20 | 標準 | 2kbb | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 1.9 a | 10 µA @ 200 v | 1.9 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | MMSZ4686-HE3_A-18 | - | ![]() | 4983 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ4686-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 3.9 v | |||||||||||||||||
![]() | PZS5114BCH_R1_00001 | 0.0324 | ![]() | 9214 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | PZS5114 | 500 MW | SOD-323HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,330,000 | 50 Na @ 10.6 v | 14 v | |||||||||||||||
![]() | 1N5347B | - | ![]() | 4902 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5347 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1N5347BOS | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 5 µA @ 7.6 v | 10 v | 2オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4468 | - | ![]() | 1427 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | 軸 | 1N4468 | 1.5 w | 軸 | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 Na @ 10.4 v | 13 v | 8オーム | ||||||||||||||||
![]() | SS2200HE-TP | 0.1057 | ![]() | 1980年 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | SS2200 | ショットキー | SOD-123HE | ダウンロード | 353-SS2200HE-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 920 mv @ 2 a | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||
![]() | APT2X30D30J | 31.5400 | ![]() | 9426 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | Apt2x30 | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 300 V | 30a | 1.4 V @ 30 a | 25 ns | 150 µA @ 300 V | -55°C〜175°C | |||||||||||
![]() | jans1n4471us/tr | 85.9004 | ![]() | 7360 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4471us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ES2G-13-F | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ES2G | 標準 | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | 25pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | CDBFR0230R-HF | 0.0805 | ![]() | 7368 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | CDBFR0230 | ショットキー | 1005/SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 500 mV @ 200 mA | 30 µA @ 30 V | 125°C (最大) | 200mA | 9pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MBRS1560CT | 0.6496 | ![]() | 2360 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1560 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS1560CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 750 mV @ 7.5 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MUR7060R | 17.7855 | ![]() | 1102 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | MUR7060 | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | mur7060rgn | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 70 a | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||||||||||
![]() | vss8d2m6-m3/i | 0.4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | S8D2 | ショットキー | Slimsmaw | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 480 mV @ 1 a | 200 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | 2a | 430pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
Jan1n3823d-1 | 21.7350 | ![]() | 6508 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3823 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 9オーム | ||||||||||||||
![]() | MD260C16D3-BP | 127.4600 | ![]() | 4399 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | MD260 | 標準 | D3 | ダウンロード | 353-MD260C16D3-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1600 v | 260a | 1.45 V @ 300 a | 9 MA @ 1.6 kV | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | B220A-13-F-2-2477 | - | ![]() | 1389 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | 前回購入します | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ショットキー | SMA | - | 31-B220A-13-F-2-2477 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 2 a | 500 µA @ 20 V | -65°C〜150°C | 2a | 200pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | RS801 | 0.9100 | ![]() | 4235 | 0.00000000 | Rectron USA | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip rs-8 | 標準 | RS-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2516-RS801 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 1.2 V @ 8 a | 5 µA @ 50 V | 8 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||
![]() | BZX384C39-E3-18 | 0.0324 | ![]() | 6579 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384C39 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム |
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