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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SML4754HE3/61	-	RFQ	6139	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4754		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800								5 µA @ 29.7 v						39 v	60オーム
SB15AFC_R1_00001	0.3400	RFQ	3	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SB15	ショットキー		SMAF-C	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-SB15AFC_R1_00001DKR	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		50 v		700 mV @ 1 a		100 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	45pf @ 4V、1MHz
1N3025bur-1/tr	15.4500	RFQ	6197	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-					ear99	8541.10.0050	100						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 12.2 v						16 v	16オーム
G5S06508PT	5.3200	RFQ	6794	グローバルパワーテクノロジー-gpt	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	TO-247-2		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-247AC	ダウンロード		1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください		ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma		650 V		1.5 V @ 8 a	0 ns	50 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	31.2a	550pf @ 0V、1MHz
MBR4035PT	1.4100	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3		ショットキー		to-3p	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	40a	700 mV @ 20 a		1 MA @ 35 v	-65°C〜150°C
DDZ13BSF-7	0.0363	RFQ	7089	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	DDZ13		500 MW	SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		70 NA @ 11.9 v						12.88 v	35オーム
VS-18TQ045STRLHM3	1.3679	RFQ	6651	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	18tq045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-18TQ045STRLHM3TR	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		45 v		600 mV @ 18 a		2.5 MA @ 45 v	-55°C〜175°C	18a	1400pf @ 5V、1MHz
BZX84C30W_R1_00001	0.0162	RFQ	6754	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323	BZX84		200 MW	SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,252,000								100 Na @ 21 V						30 V	80オーム
CZRL5262B-G	-	RFQ	5141	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	CZRL5262		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.25 V @ 200 mA		100 Na @ 39 v						51 v	125オーム
EGP30G-E3/73	-	RFQ	3213	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-201AA	EGP30	標準		GP20	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 3 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	-
VS-40CTQ150STRLPBF	-	RFQ	4940	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	40CTQ150	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	20a	1.16 V @ 40 a		50 µA @ 150 v	175°C （最大）
jan1n6941utk3as/tr	408.7950	RFQ	5329	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Thinkey™3		sic （炭化シリコン）ショットキー		Thinkey™3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n6941utk3as/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 50 a		5 ma @ 30 v	-65°C〜175°C	150a	7500PF @ 5V、1MHz
1N5824	7.3340	RFQ	3758	Solid State Inc.	-	バルク	アクティブ			穴を通して	軸		ショットキー		軸	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N5824	ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns		30 V		370 mV @ 5 a		10 ma @ 30 v	-65°C〜125°C	15a	-
KBP04M-E4/51	-	RFQ	4193	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbpm	KBP04	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600						1 V @ 1 a		5 µA @ 400 V		1.5 a		単相	400 V
B360-13-F-2477	-	RFQ	7361	ダイオードが組み込まれています	-	バルク	前回購入します			表面マウント	do-214ab 、mc		ショットキー		SMC	-				31-B360-13-F-2-2477			1		高速回復= <500ns		60 V		700 mV @ 3 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	200pf @ 4V、1MHz
GP3D012A065B	4.2300	RFQ	2	セミク	amp+™	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	GP3D012	sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-247-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	1560-GP3D012A065B	ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma		650 V		1.5 V @ 12 a	0 ns	30 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	12a	572pf @ 1V、1MHz
jan1n4120c-1	10.5000	RFQ	3887	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4120			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.8 v						30 V	200オーム
BZX84C3V3	0.1600	RFQ	5208	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.06％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C3		350 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99		3,000						900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.3 v	95オーム
SIDC03D60F6X1SA2	-	RFQ	8437	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			表面マウント	死ぬ	SIDC03	標準		ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		600 V		1.6 V @ 6 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜150°C	6a	-
bav99l rfg	0.2000	RFQ	16	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-236-3	bav99	標準		SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペアシリーズ接続	70 v	200mA	1.25 V @ 150 MA	6 ns	2.5 µA @ 70 V	-55°C〜150°C
BAT54SLT1	-	RFQ	6699	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-236-3	BAT54	ショットキー		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペアシリーズ接続	30 V	200MA （DC）	800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125°C （最大）
jantx1n4958/tr	6.5702	RFQ	8221	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W		ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4958/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		25 µa @ 7.6 v						10 v	2オーム
TZM5231B-GS08	0.2300	RFQ	70	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5231		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						5.1 v
jantx1n4622d-1/tr	13.0606	RFQ	8777	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4622d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								2.5 µA @ 2 V						3.9 v	1650オーム
SBLB1040-E3/45	-	RFQ	6452	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB1040	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		40 v		600 mV @ 10 a		1 MA @ 40 V	-40°C〜125°C	10a	-
Hz5b1jta-e	0.1000	RFQ	352	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	1
AZ23B33-HE3_A-08	-	RFQ	4392	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23B33-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							50 Na @ 23.1 v						33 v	80オーム
2EZ160D5E3/TR12	-	RFQ	4902	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2EZ160		2 W	do-204al（do-41）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 121.6 v						160 v	650オーム
PCFFS08120AF	5.1847	RFQ	6572	onsemi	-	トレイ	アクティブ			表面マウント	死ぬ	PCFFS08120	sic （炭化シリコン）ショットキー		死ぬ	-	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	488-PCFFS08120AF	ear99	8541.10.0080	1		回復時間なし> 500ma		1200 v		1.723 V @ 20 a	0 ns	200 µA @ 1200 v	175°C （最大）	8a	-
uh6pjhm3_a/i	-	RFQ	6109	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	uh6	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		600 V		3 V @ 6 a	25 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	6a	30pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²