画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4911A/TR | 108.1650 | ![]() | 5612 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 穴を通して | DO-204AA | 400 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4911A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 v | 50オーム | |||||||||||||||||
![]() | PDZ12B 、115 | 0.2100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | PDZ12 | 400 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 100 na @ 9 v | 12 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | CMPZ5261B BK PBFREE | 0.0709 | ![]() | 7493 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | CMPZ5261 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 36 V | 47 v | 105オーム | ||||||||||||||
![]() | SK24A | 0.4000 | ![]() | 80 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SK24 | ショットキー | sma(do-214ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 2 a | 1 MA @ 40 V | -55°C〜125°C | - | 250pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX84C16W_R1_00001 | 0.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZX84 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZX84C16W_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | MSRT150120D | 98.8155 | ![]() | 5031 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3つの塔 | MSRT150 | 標準 | 3つの塔 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1242-MSRT150120D | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 150a | 1.1 V @ 150 a | 10 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
jantxv1n758c-1/tr | 11.6508 | ![]() | 2596 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n758c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||||||||||||||||
![]() | CLL4730A BK | - | ![]() | 4167 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1 W | メルフ | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3.9 v | 9オーム | |||||||||||||||||
![]() | JANTX1N4470US | - | ![]() | 7973 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | - | ダウンロード | 600-JANTX1N4470US | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 Na @ 12.8 v | 16 v | 10オーム | |||||||||||||||||||
![]() | MUR1615FCT-BP | 0.4950 | ![]() | 3031 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | MUR1615 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | 353-MUR1615FCT-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 16a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | S4D04120A | 2.9500 | ![]() | 764 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | S4D0412 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC(to-220-2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 1655-S4D04120A | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 4a | 302pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | SS220-HF | 0.4300 | ![]() | 34 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS220 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 2 a | 300 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | BAS716,115 | 0.3000 | ![]() | 222 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BAS716 | 標準 | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1.25 V @ 150 MA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150°C (最大) | 200mA | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | V20100SHM3/4W | - | ![]() | 6717 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | V20100 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.07 V @ 20 a | 350 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||||||
![]() | cdll5246b/tr | 2.8994 | ![]() | 1697 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5246b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 na @ 12 v | 16 v | 17オーム | |||||||||||||||
![]() | abs8hreg | - | ![]() | 5247 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | ABS8 | 標準 | 腹筋 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 950 mV @ 400 Ma | 10 µA @ 800 V | 800 Ma | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | bas19lt3g | 0.1300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS19 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 120 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 100 V | -55°C〜150°C | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SRS1040 MNG | - | ![]() | 2782 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SRS1040 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 10a | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | |||||||||||||
![]() | WNSC2D301200CW6Q | 5.6835 | ![]() | 3501 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 30a | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175°C | |||||||||||||||
![]() | SK55AFL-TP | 0.0900 | ![]() | 8386 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | SK55 | ショットキー | DO-221AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SK55AFL-TPMSTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 5 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜125°C | 5a | 210pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | V35pw15hm3/i | 1.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | V35PW15 | ショットキー | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.4 V @ 35 a | 250 µA @ 150 V | -40°C〜150°C | 35a | 1620pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5928AE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 3299 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5928 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.9 v | 13 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | MCL101B-TR | 0.0692 | ![]() | 1573 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | MCL101 | ショットキー | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 15 ma | 200 Na @ 40 V | -65°C〜150°C | 30ma | - | |||||||||||||
![]() | 2EZ17D5E3/TR8 | - | ![]() | 1054 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ17 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 13 V | 17 v | 9オーム | ||||||||||||||
![]() | CD4686D | - | ![]() | 2152 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD4686D | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 3.9 v | |||||||||||||||||
![]() | BZX84-B22,215 | 0.0200 | ![]() | 154 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2bzx84c3v0 | 0.0363 | ![]() | 8996 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-2BZX84C3V0TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5380bg | - | ![]() | 7314 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 91.2 v | 120 v | 170オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V7-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 2645 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C4V7 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 4.7 v | 70オーム | ||||||||||||||||
![]() | SMBJ5370B-TP | 0.4800 | ![]() | 138 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5370 | 5 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 42.6 v | 56 v | 35オーム |
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