画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSZU52C10 | 0.0669 | ![]() | 1449 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 0603 (1608 メトリック) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSZU52C10TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 7.5 v | 10 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | TS10K60H | 0.7521 | ![]() | 3313 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、ts4k | TS10K60 | 標準 | TS4K | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TS10K60H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 10 a | 10 µA @ 600 V | 10 a | 単相 | 600 V | |||||||||||
![]() | KBPF406G | 0.6672 | ![]() | 2584 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、KBPF | KBPF406 | 標準 | KBPF | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-kbpf406g | ear99 | 8541.10.0080 | 2,100 | 1.1 V @ 2 a | 5 µA @ 800 V | 4 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
![]() | GBPC3510M | 3.7238 | ![]() | 9279 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | GBPC35 | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | 4平方、GBPC-M | GBPC3510 | 標準 | GBPC-M | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-GBPC3510M | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 1000 v | 35 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | GBPC5002M | 6.2532 | ![]() | 2318 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | GBPC50 | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | 4 平方、GBPC | GBPC5002 | 標準 | GBPC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-GBPC5002M | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 200 v | 50 a | 単相 | 200 v | |||||||||||
![]() | GBU1006H | 0.8559 | ![]() | 1918年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | GBU1006 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-GBU1006H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 10 a | 5 µA @ 800 V | 10 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
![]() | KBPF205G | 0.4266 | ![]() | 6517 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、KBPF | KBPF205 | 標準 | KBPF | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-kbpf205g | ear99 | 8541.10.0080 | 2,100 | 1.1 V @ 2 a | 5 µA @ 600 v | 2 a | 単相 | 600 V | |||||||||||
![]() | GBU606H | 0.7051 | ![]() | 9108 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | GBU606 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-GBU606H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 6 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
![]() | S5DH | 0.2267 | ![]() | 2076 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-S5DHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 5a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | TSZU52C13 | 0.0669 | ![]() | 7118 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 0603 (1608 メトリック) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSZU52C13TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 10 V | 13 v | 25オーム | |||||||||||
![]() | ABS20MH | 0.2013 | ![]() | 6096 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | ABS20 | 標準 | 腹筋 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ABS20MHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.02 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 v | 2 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | HER604GH | 0.5466 | ![]() | 9050 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HER604GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1 V @ 6 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 6a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | M3Z30VC | 0.0294 | ![]() | 2398 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | M3Z30 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-M3Z30VCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム | ||||||||||||
![]() | UR2KB100 | 0.4295 | ![]() | 1148 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-esip | ur2kb | 標準 | D3K | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-UR2KB100 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.05 V @ 1 a | 10 µA @ 1000 v | 2 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | KBPF306G | 0.5280 | ![]() | 2757 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、KBPF | KBPF306 | 標準 | KBPF | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-kbpf306g | ear99 | 8541.10.0080 | 2,100 | 1.1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 800 V | 3 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
![]() | BZV55B47 | 0.0357 | ![]() | 6977 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55B47TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 35 V | 47 v | 110オーム | |||||||||||
![]() | GBU3008_T0_00601 | 1.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU3008 | 標準 | GBU-2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 3757-GBU3008_T0_00601 | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 15 a | 5 µA @ 800 V | 30 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
BZX84B68-HE3_A-18 | - | ![]() | 2982 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-BZX84B68-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 Na @ 47.6 v | 68 v | 240オーム | ||||||||||||||||
BZT52C3V3-HE3_A-18 | 0.0533 | ![]() | 2811 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-BZT52C3V3-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ5253B-HE3_A-08 | 0.0549 | ![]() | 2139 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5253B-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | ||||||||||||||
BZX84C16-HE3_A-08 | 0.0498 | ![]() | 3007 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-BZX84C16-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | ||||||||||||||||
BZY55C2V7 | 0.0350 | ![]() | 4747 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZY55C2V7TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 2.7 v | 85オーム | ||||||||||||
![]() | HDBL103GH | 0.4257 | ![]() | 2163 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | 標準 | dbl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HDBL103GH | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | HDBLS105GH | 0.4257 | ![]() | 5158 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | dbls | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HDBLS105GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.7 V @ 1 a | 5 µA @ 600 v | 1 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||
![]() | ZM4745A | 0.0830 | ![]() | 6773 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | ZM4745 | 1 W | メルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ZM4745ATR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | ||||||||||||
![]() | BZT52B36S | 0.0340 | ![]() | 1714 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B36STR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | |||||||||||
![]() | BZX55C39 | 0.0287 | ![]() | 1231 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55C39TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 28 V | 39 v | 90オーム | |||||||||||
![]() | T15JA07G-K | 1.2234 | ![]() | 8590 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | T15JA | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-T15JA07G-K | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 15 a | 5 µA @ 1000 v | 15 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | TS6KL80H | 0.5706 | ![]() | 4483 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbjl | TS6KL80 | 標準 | KBJL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TS6KL80H | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.05 V @ 3 a | 5 µA @ 800 V | 6 a | 単相 | 800 V | |||||||||||
![]() | HDBL104GH | 0.4257 | ![]() | 8618 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | 標準 | dbl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HDBL104GH | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.3 V @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1 a | 単相 | 400 V |
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