画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KBU6M | - | ![]() | 8807 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | KBU6 | 標準 | KBU | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 1000 v | 6 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n6348dus/tr | 68.7000 | ![]() | 1048 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantxv1n6348dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 76 v | 100 V | 340オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-VS24BFR12LFJ | - | ![]() | 9553 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | VS24 | - | 112-VS-VS24BFR12LFJ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84-B8V2,235 | 0.2100 | ![]() | 6224 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-B8V2 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15オーム | ||||||||||||||||||
![]() | ESH1DH | 0.0926 | ![]() | 7604 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ash1dhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 1 a | 15 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1a | 16pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | BAT1505WE63 27HTSA1 | - | ![]() | 8118 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | SC-70、SOT-323 | BAT15 | PG-SOT323 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 110 Ma | 100 MW | 0.35pf @ 0V、1MHz | Schottky -1ペア共通カソード | 4V | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5927AE3/TR13 | - | ![]() | 9637 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5927 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 6.5オーム | |||||||||||||||||
![]() | SDT12A120P5Q-7D | - | ![]() | 2117 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | Powerdi™5 | ショットキー | Powerdi™5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 120 v | 800 mV @ 12 a | 500 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | 12a | - | |||||||||||||||||
![]() | E2DF | 0.0290 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-E2DFTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US5F-TP | 0.0954 | ![]() | 5951 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | US5F | 標準 | smc(do-214ab) | ダウンロード | 353-US5F-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||
AZ23C6V8-HE3_A-08 | - | ![]() | 5671 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-AZ23C6V8-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | vuo55-18no7 | - | ![]() | 8167 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜150°C | シャーシマウント | PWS-B | vuo55 | 標準 | PWS-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.03 V @ 20 a | 100 µA @ 1800 V | 58 a | 3フェーズ | 1.8 kv | |||||||||||||||||
![]() | SMBJ5387CHE3-TP | - | ![]() | 4195 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5387 | 5 W | do-214aa | - | 353-SMBJ5387CHE3-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 144 v | 190 v | 450オーム | |||||||||||||||||||
![]() | CDLL6309 | 14.0250 | ![]() | 6450 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | CDLL6309 | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | CDLL6309-MIL | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | SS18-LTP | 0.2300 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS18 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 80 v | 850 mv @ 1 a | 50 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | 1a | 35pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | GBU401H | - | ![]() | 5127 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-ESIP 、GBU | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-GBU401H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 4 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||||||
![]() | UGA15120H | - | ![]() | 4578 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-uga15120h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 2.9 V @ 15 a | 65 ns | 5 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||||
![]() | SZ3C130 | 0.1133 | ![]() | 6887 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 3 W | melf do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-SZ3C130TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 60 V | 130 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-96-1028PBF | - | ![]() | 1597 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-96-1028PBFTR | 廃止 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | G1JS | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-G1JSTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27B8V2P-M3-08 | 0.4200 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27B8V2 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 8.2 v | 2オーム | |||||||||||||||||
![]() | MSDM200-16 | - | ![]() | 8372 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C | シャーシマウント | M3-1 | 標準 | M3-1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.45 V @ 200 a | 500 µA @ 1600 V | 200 a | 3フェーズ | 1.6 kV | |||||||||||||||||||
![]() | SBR05M100BLP-7 | 0.7900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | SBR® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-powerudfn | SBR05 | スーパーバリア | U-DFN3030-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 630 mV @ 500 Ma | 25 µA @ 100 V | 500 Ma | 単相 | 100 V | |||||||||||||||||
![]() | Jan1n3016c-1/tr | 21.1736 | ![]() | 6103 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3016c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 3.5オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3023cur-1/tr | 33.2500 | ![]() | 5021 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3023cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MUR30040CT | 118.4160 | ![]() | 2350 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR30040 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR30040CTGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 150a | 1.5 V @ 100 a | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
BZX84B10-HE3-08 | 0.2600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B10 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | |||||||||||||||||||
![]() | GSR3000 | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | グッドアーク半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 3000 V | 3000 V @ 200 V | v | 200 mA @ 4 v | 穴を通して | 200mA | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | bav70/zl215 | - | ![]() | 6062 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | bav70 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 215ma dc) | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||
![]() | AZ23B33HE3-TP | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.06% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B33 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 353-AZ23B33HE3-TPTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム |
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