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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
jantxv1n970bur-1	7.5600	RFQ	4081	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N970		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 18 V				24 v	33オーム
ES2B-LTP	0.3700	RFQ	750	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	ES2B	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		100 V		950 mv @ 2 a	35 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	2a	15pf @ 4V、1MHz
MBR210AFC_R1_00001	0.3800	RFQ	3	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	MBR210	ショットキー		SMAF-C	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-MBR210AFC_R1_00001DKR	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		100 V		800 mV @ 2 a		50 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	75pf @ 4V、1MHz
ZMM5237B-13	-	RFQ	1215	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	ZMM52		500 MW	do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ZMM5237B-13GI	ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 6.5 v				8.2 v	8オーム
HZ24-1RE-E	0.1000	RFQ	5919	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	67
SR205HA0G	-	RFQ	2804	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	SR205	ショットキー		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		50 v		700 mV @ 2 a		500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2a	-
84CNQ060	14.0530	RFQ	4315	SMCダイオードソリューション	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	PRM2	84cnq	ショットキー		PRM2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	84CNQ060SMC	ear99	8541.10.0080	48	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	40a	620 mV @ 40 a		5 ma @ 60 v	-55°C〜125°C
MPG06M-E3/53	0.4100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	mpg06 、軸	MPG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	600 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
MMBZ4699-HE3-08	-	RFQ	6366	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4699		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							50 Na @ 9.1 v				12 v
bd890ys_l2_00001	0.3456	RFQ	2531	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	BD890	ショットキー		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75,000	高速回復= <500ns		90 v		800 mV @ 8 a		50 µA @ 90 V	-65°C〜175°C	8a	-
V1F6HM3/h	0.4300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	V1F6	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		60 V		600 mV @ 1 a		270 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	1a	135pf @ 4V、1MHz
DL5240B-TP	-	RFQ	7485	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	DL5240		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 8 V				10 v	17オーム
Hz6a2l-e	0.1100	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	Hz-l	バルク	アクティブ	±2.42％	175°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 2 V				6.2 v	150オーム
BZT52H-C30,115	0.0200	RFQ	157	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C（Ta）	表面マウント	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZT52H-C30,115-954			1					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 21 V				30 V	40オーム
jantx1n4621d-1/tr	13.9384	RFQ	2966	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4621d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700オーム
SML4728AHE3/5A	-	RFQ	2326	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4728		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500							100 µA @ 1 V				3.3 v	10オーム
cll5231c tr	-	RFQ	3166	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	SOD-80	-		1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	2,500					1.25 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V				5.1 v	17オーム
Jan1n758cur-1/tr	10.2410	RFQ	9979	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n758cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 8 V				10 v	17オーム
fepb6dthe3/81	-	RFQ	2854	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	FEPB6	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	6a	975 mV @ 3 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
BZX55C3V0	0.0200	RFQ	4234	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±7％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	7,295					1.3 V @ 100 MA		4 µA @ 1 V				3 v	85オーム
1N5359AE3/TR13	0.9900	RFQ	4457	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5359		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,250					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 17.3 v				24 v	3.5オーム
STPS2L40UF	0.9200	RFQ	8	stmicroelectronics	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AA	STPS2L40	ショットキー		smbflat	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		40 v		430 mV @ 2 a		220 µA @ 40 V	150°C （最大）	2a	-
MM3Z16VC	-	RFQ	1740	フェアチャイルド半導体	c	バルク	アクティブ	±5％	150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F			200 MW	SOD-323F	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-MM3Z16VC-600039			1					1 V @ 10 mA		45 Na @ 11.2 v				16 v	37オーム
Jan1n6316us	13.0350	RFQ	9140	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6316		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		5 µA @ 1.5 v				4.7 v	17オーム
CDLL5260A/TR	2.7132	RFQ	6354	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL5260A/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 33 V				43 v	93オーム
jan1n4492us/tr	14.5050	RFQ	8986	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jan1n4492us/tr	ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 a		250 Na @ 104 v				130 v	500オーム
jantx1n4133d-1/tr	15.1886	RFQ	5505	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4133d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 66.2 v				87 v	1000オーム
SMBG5931B/TR13	-	RFQ	2056	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5931		2 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 13.7 v				18 v	12オーム
M6045p-E3/45	1.8339	RFQ	4200	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3	M6045	ショットキー		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	30a	600 mV @ 30 a		600 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
BZT55B30 L1G	-	RFQ	9199	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZT55		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1 V @ 10 mA		100 na @ 22 v				30 V	80オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²