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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
CDLL5523	6.4800	RFQ	5452	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5523		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V				5.1 v	26オーム
1N936/tr	6.7050	RFQ	4436	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N936/tr	ear99	8541.10.0050	1								10 µA @ 6 V				9 v	20オーム
D251K18BXPSA1	-	RFQ	6979	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			スタッドマウント	DO-205AA	D251K	標準		-	-		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		1800 v				30 mA @ 1800 v	-40°C〜180°C	255a	-
BZX79-C10,133	0.1600	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	-	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79-C10		400 MW	ALF2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 7 V				10 v	20オーム
BZX585-C18,115	0.3400	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX585-C18		300 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 12.6 v				18 v	45オーム
P3D12020K3	12.4100	RFQ	1272	pn接合半導体	p3d	チューブ	アクティブ				TO-247-3		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-247-3	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けた	4237-P3D12020K3			1		回復時間なし> 500ma		1200 v			0 ns	50 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	70a
SFF2006GA	0.7457	RFQ	9129	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	SFF2006	標準		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-SFF2006GA	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	20a	1.3 V @ 10 a	35 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C
3EZ6.2D2E3/TR8	-	RFQ	5118	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3EZ6.2		3 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V				6.2 v	1.5オーム
MMSZ5258B RHG	0.0433	RFQ	5073	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123F	MMSZ5258		500 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								100 Na @ 27 V				36 v	70オーム
bat54aq	0.0250	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ					BAT54				ダウンロード	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-BAT54AQTR	ear99		3,000
MBRF20H150CTH	0.7716	RFQ	5367	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF20	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MBRF20H150CTH	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	20a	970 mV @ 20 a		5 µA @ 150 v	-55°C〜175°C
ru 4b	-	RFQ	1439	サンケン	-	バルク	廃止			穴を通して	軸		標準		-	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		800 V		1.5 V @ 3 a	400 ns	10 µA @ 800 V	-40°C〜150°C	1.5a	-
v10pm6hm3/i	0.3119	RFQ	6227	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	v10pm6	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		60 V		640 mV @ 10 a		800 µA @ 60 V	-40°C〜175°C	10a	1650pf @ 4V、1MHz
BZD27C20PHRTG	-	RFQ	3872	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 15 V				20 v	15オーム
1N4948US	12.9600	RFQ	5712	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf c		標準		D-5c	-			影響を受けていない	150-1N4948US	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		1000 V		1.3 V @ 1 a	500 ns	1 µA @ 1000 V	-55°C〜175°C	1a	15pf @ 12V、1MHz
MB400K01F4	20.6442	RFQ	1	Yangjieテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	モジュール		ショットキー		F4	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MB400K01F4	ear99		12		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	200a	850 mv @ 200 a		5 ma @ 100 v	-40°C〜175°C
MBRF1060-E3/45	1.2400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF106	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	MBRF1060E345	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		60 V		800 mV @ 10 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	10a	-
ZMY5V6-GS18	0.4200	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	Zmy5v6		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 NA @ 1.5 V				5.6 v	2オーム
PDZ36B 、115	-	RFQ	9479	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					PDZ36				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
VS-20TQ045STRRPBF	-	RFQ	6901	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	20TQ045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		45 v		570 mV @ 20 a		2.7 MA @ 45 v	-55°C〜150°C	20a	-
Jan1n5532b-1/tr	5.0407	RFQ	6266	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5532b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 10.8 v				12 v	90オーム
CDLL4914A	105.7350	RFQ	4458	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	CDLL4914		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								15 µA @ 8 V				12.8 v	25オーム
R306080F	49.0050	RFQ	8212	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-R306080F			1
cdll942b/tr	13.2150	RFQ	2367	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/157	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll942b/tr	ear99	8541.10.0050	1								15 µA @ 8 V				11.7 v	30オーム
BZT52C9V1LP-7	0.4500	RFQ	2	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-65°C〜150°C	表面マウント	0402 （1006メトリック）	BZT52		250 MW	x1-dfn1006-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 6 V				9.1 v	15オーム
jantxv1n4476us	17.6250	RFQ	8109	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4476		1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1 V @ 200 mA		50 Na @ 24 V				30 V	20オーム
RB088T100NZC9	2.4100	RFQ	993	Rohm Semiconductor	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3フルパック	RB088	ショットキー		TO-220FN	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	846-RB088T100NZC9	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	870 mV @ 5 a		5 µA @ 100 V	150°C
STR8100LSS_AY_00301	0.5900	RFQ	8	Panjit International Inc.	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	STR8100	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,250		高速回復= <500ns		100 V		790 mV @ 8 a		50 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	8a	425pf @ 4V、1MHz
ES2G-HF	0.4200	RFQ	6	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	ES2G	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 2 a	35 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	2a	40pf @ 4V、1MHz
AZ23C3V6-HE3_A-08	-	RFQ	8401	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C3V6-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							5 µA @ 1 V				3.6 v	90オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²