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ダイオード（166326）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 現在 -平均修正（ io） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
GBL06 GeneSiC Semiconductor GBL06 0.4230
RFQ
 ECAD 1043 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、GBL 標準 GBL - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 600 v 4 a 単相 600 V
GBU10J GeneSiC Semiconductor GBU10J 1.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU10 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） gbu10jgn ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 5 a 5 µA @ 600 v 10 a 単相 600 V
GBU10M GeneSiC Semiconductor GBU10M 1.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU10 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） gbu10mgn ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 a 5 µA @ 1000 v 10 a 単相 1 kV
GBU4A GeneSiC Semiconductor gbu4a 1.4500
RFQ
 ECAD 348 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU4 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 a 単相 50 v
GBU6G GeneSiC Semiconductor gbu6g 0.5385
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU6 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） gbu6ggn ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 400 V 6 a 単相 400 V
GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6k 0.4488
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU6 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） gbu6kgn ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 800 V 6 a 単相 800 V
GBU6M GeneSiC Semiconductor GBU6M 0.5385
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU6 標準 GBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） gbu6mgn ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 1000 v 6 a 単相 1 kV
KBJ404G GeneSiC Semiconductor KBJ404G 0.5160
RFQ
 ECAD 1782 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、KBJ KBJ404 標準 KBJ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） kbj404ggn ear99 8541.10.0080 250 1.1 V @ 4 a 5 µA @ 400 V 4 a 単相 400 V
KBL606G GeneSiC Semiconductor KBL606G 0.5805
RFQ
 ECAD 8943 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbl KBL606 標準 KBL ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） KBL606GGN ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 a 5 µA @ 600 v 6 a 単相 600 V
KBP202 GeneSiC Semiconductor KBP202 0.3750
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -50°C〜150°C （TJ 穴を通して 4-sip、kbp 標準 KBP ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） KBP202GN ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 2 a 10 µA @ 100 V 2 a 単相 100 V
KBPC2506T GeneSiC Semiconductor KBPC2506T 2.2995
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、KBPC-T KBPC2506 標準 KBPC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 a 5 µA @ 600 v 25 a 単相 600 V
KBPC35005T GeneSiC Semiconductor KBPC35005T 2.4720
RFQ
 ECAD 5619 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、KBPC-T KBPC35005 標準 KBPC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 a 5 µA @ 50 V 35 a 単相 50 v
KBPC5008T GeneSiC Semiconductor KBPC5008T 2.5875
RFQ
 ECAD 1362 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、KBPC-T KBPC5008 標準 KBPC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 a 5 µA @ 800 V 50 a 単相 800 V
KBPM308G GeneSiC Semiconductor KBPM308G -
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない KBPM308GGN ear99 8541.10.0080 900 1.1 V @ 3 a 5 µA @ 50 V 3 a 単相 800 V
KBU10005 GeneSiC Semiconductor KBU10005 0.8205
RFQ
 ECAD 5287 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） KBU10005GN ear99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 a 10 µA @ 50 V 10 a 単相 50 v
KBU8A GeneSiC Semiconductor KBU8A -
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 300 1 V @ 8 a 10 µA @ 50 V 8 a 単相 50 v
KBU8D GeneSiC Semiconductor KBU8D 0.7425
RFQ
 ECAD 6103 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu KBU8 標準 KBU ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） kbu8dgn ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 a 10 µA @ 200 v 8 a 単相 200 v
M3P100A-100 GeneSiC Semiconductor M3P100A-100 -
RFQ
 ECAD 1695 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C シャーシマウント モジュール 標準 モジュール - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25 1.15 V @ 100 a 10 mA @ 1000 v 100 a 3フェーズ 1 kV
M3P75A-100 GeneSiC Semiconductor M3P75A-100 -
RFQ
 ECAD 8608 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 5-SMDモジュール 標準 5-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 24 1.15 V @ 75 a 10 µA @ 1000 v 75 a 3フェーズ 1 kV
M3P75A-140 GeneSiC Semiconductor M3P75A-140 -
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 5-SMDモジュール 標準 5-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 24 1.15 V @ 75 a 10 µA @ 1400 v 75 a 3フェーズ 1.4 kV
M3P75A-160 GeneSiC Semiconductor M3P75A-160 -
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント 5-SMDモジュール 標準 5-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 24 1.15 V @ 75 a 10 µA @ 1600 v 75 a 3フェーズ 1.6 kV
SMBJ5366B/TR13 Microchip Technology SMBJ5366B/TR13 1.6650
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBJ5366 5 W smbj（ do-214aa） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 a 500 NA @ 28.1 v 39 v 14オーム
SMBJ5387CE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5387CE3/TR13 1.0800
RFQ
 ECAD 1742 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBJ5387 5 W smbj（ do-214aa） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 a 500 NA @ 137 v 190 v 450オーム
SMBJ5956BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5956BE3/TR13 0.8850
RFQ
 ECAD 8179 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBJ5956 2 W smbj（ do-214aa） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 152 v 200 v 1200オーム
SMBJ4740E3/TR13 Microchip Technology SMBJ4740E3/TR13 0.4350
RFQ
 ECAD 9070 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBJ4740 2 W smbj（ do-214aa） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 7.6 v 10 v 7オーム
SMBJ5940B/TR13 Microchip Technology SMBJ5940B/TR13 1.5600
RFQ
 ECAD 3421 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBJ5940 2 W smbj（ do-214aa） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 32.7 v 43 v 53オーム
SMBJ5943AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5943AE3/TR13 0.8850
RFQ
 ECAD 8385 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBJ5943 2 W smbj（ do-214aa） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 42.6 v 56 v 86オーム
SMBJ5948A/TR13 Microchip Technology SMBJ5948A/TR13 1.5600
RFQ
 ECAD 2942 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBJ5948 2 W smbj（ do-214aa） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 69.2 v 91 v 200オーム
3EZ5.6D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ5.6D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 Microsemi Corporation - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 3ez5.6 3 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 5.6 v 2.5オーム
2EZ190D10/TR8 Microsemi Corporation 2EZ190D10/TR8 -
RFQ
 ECAD 5150 0.00000000 Microsemi Corporation - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 2EZ190 2 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 144.8 v 190 v 825オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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