画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jantx1n3029d-1 | 27.4500 | ![]() | 6687 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3029 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 18.2 v | 24 v | 25オーム | ||
![]() | Jan1n3031dur-1 | 40.7250 | ![]() | 6039 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3031 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |
Jan1n3036c-1 | 17.3250 | ![]() | 4034 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3036 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 35.8 v | 47 v | 80オーム | ||
jan1n4485cus | 27.6750 | ![]() | 3206 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4485 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 Na @ 54.4 v | 68 v | 100オーム | ||
Jan1N4486 | 8.1900 | ![]() | 2342 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4486 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 na @ 60 v | 75 v | 130オーム | ||
jantx1n3018d-1 | 31.9500 | ![]() | 2202 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3018 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 6.2 v | 8.2 v | 4.5オーム | ||
jantx1n3019d-1 | 31.9500 | ![]() | 4467 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3019 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 6オーム | ||
jantxv1n3021d-1 | 38.0400 | ![]() | 3182 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3021 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 8.4 v | 11 v | 8オーム | ||
Jan1N6324 | 9.9000 | ![]() | 9792 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6324 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 8 V | 10 v | 6オーム | ||
Jan1n6338 | 9.9000 | ![]() | 3526 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6338 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 30 V | 39 v | 55オーム | ||
Jan1n4990us | 13.2600 | ![]() | 2488 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4990 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 167 v | 220 v | 550オーム | ||
![]() | jantx1n5520bur-1 | 14.7600 | ![]() | 2891 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N5520 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 3.9 v | 22オーム | |
JAN1N5523C-1 | 14.1300 | ![]() | 9827 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5523 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 26オーム | ||
![]() | jantxv1n752dur-1 | 23.9550 | ![]() | 4578 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N752 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 11オーム | |
![]() | jantxv1n755cur-1 | 19.1700 | ![]() | 9091 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N755 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 6オーム | |
![]() | jantxv1n757dur-1 | 23.9550 | ![]() | 5028 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N757 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | |
Jan1n758c-1 | 5.1900 | ![]() | 2338 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N758 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||
jantx1n966dur-1 | 18.0300 | ![]() | 4356 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N966 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 12 V | 16 v | 17オーム | ||
jantxv1n968b-1 | - | ![]() | 6641 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 15 V | 20 v | 25オーム | |||
JANTX1N4620C-1 | 12.6150 | ![]() | 7299 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4620 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1650オーム | |||
![]() | jantxv1n4622cur-1 | - | ![]() | 3658 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | sicで中止されました | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 v | 1650オーム | ||
Jan1n4622d-1 | 12.0000 | ![]() | 9780 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4622 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 v | 1650オーム | ||
![]() | Jan1n4626ur-1 | - | ![]() | 9549 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 5.6 v | 1400オーム | ||
jantxv1n4954cus | 33.8250 | ![]() | 5676 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4954 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 1オーム | ||
jan1n4954d | 18.7350 | ![]() | 9912 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4954 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 1オーム | ||
jan1n4970c | 14.9250 | ![]() | 5214 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4970 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 25.1 v | 33 v | 10オーム | ||
jan1n4971cus | 21.1650 | ![]() | 8174 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4971 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 27.4 v | 36 v | 11オーム | ||
Jan1n4973c | 14.9250 | ![]() | 5680 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4973 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 32.7 v | 43 v | 20オーム | ||
![]() | jantx1n4978c | 18.2550 | ![]() | 7882 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4978 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 51.7 v | 68 v | 50オーム | |
Jan1n6350 | 9.9000 | ![]() | 5625 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6350 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 91 v | 120 v | 600オーム |
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