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ダイオード（166326）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 現在 -平均修正（ io） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N4685UR-1 Microchip Technology 1N4685UR-1 5.0850
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 1N4685 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 7.5 µA @ 2 V 3.6 v
1N4689 (DO35) Microsemi Corporation 1N4689 -
RFQ
 ECAD 7447 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N4689 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 µA @ 3 V 5.1 v
1N4709 (DO35) Microsemi Corporation 1N4709 -
RFQ
 ECAD 1852年 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N4709 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 18.2 v 24 v
1N4713 (DO35) Microsemi Corporation 1N4713 do35） -
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N4713 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 22.8 v 30 V
1N4728 G Microsemi Corporation 1N4728 g -
RFQ
 ECAD 3432 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク アクティブ ±10％ -65°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4728 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 µA @ 1 V 3.3 v 10オーム
1N4733AUR Microchip Technology 1N4733AUR 3.4650
RFQ
 ECAD 4736 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ 1N4733 1 W DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 5.1 v 7オーム
1N4740A G Microsemi Corporation 1N4740A g -
RFQ
 ECAD 1218 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4740 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 7.6 v 10 v 7オーム
1N4754AUR Microchip Technology 1N4754AUR 3.4650
RFQ
 ECAD 7489 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ 1N4754 1 W DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 29.7 v 39 v 60オーム
1N4757AG Microsemi Corporation 1N4757AG 3.1350
RFQ
 ECAD 9863 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4757 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 38.8 v 51 v 95オーム
1N4775A Microchip Technology 1N4775A 16.9650
RFQ
 ECAD 8635 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜100°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N4775 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 8.5 v 200オーム
1N5266B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5266B （DO-35） -
RFQ
 ECAD 7285 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5266 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 52 v 68 v 230オーム
1N5733B Microchip Technology 1N5733B 1.8600
RFQ
 ECAD 8784 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5733 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 5 V 7.5 v 10オーム
1N5746C Microchip Technology 1N5746C 3.7200
RFQ
 ECAD 4667 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5746 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 100 na @ 19 v 27 v 80オーム
1N4896 Microchip Technology 1N4896 24.1650
RFQ
 ECAD 3863 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -25°C〜100°C 穴を通して DO-204AA 1N4896 400 MW DO-7 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 12.8 v 400オーム
1N4923A Microchip Technology 1N4923a 43.4700
RFQ
 ECAD 7110 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜100°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N4923 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 19.2 v 150オーム
1N4965US Microchip Technology 1N4965US 9.1950
RFQ
 ECAD 6741 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf e 1N4965 5 W D-5B ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 2 µA @ 15.2 v 20 v 4.5オーム
1N4971 Microchip Technology 1N4971 6.9800
RFQ
 ECAD 7926 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して E 、軸 1N4971 5 W ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 2 µA @ 27.4 v 36 v 11オーム
1N4978US Microchip Technology 1N4978US -
RFQ
 ECAD 8181 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク sicで中止されました ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf e 1N4978 5 W D-5B ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 2 µA @ 51.7 v 68 v 50オーム
1N5224B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5224B （DO-35） -
RFQ
 ECAD 2842 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5224 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 mA 75 µA @ 1 V 2.8 v 30オーム
1N3327B Microchip Technology 1N3327B 49.3800
RFQ
 ECAD 4779 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3327 50 W DO-5 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µA @ 29.7 v 39 v 4オーム
1N3328A Microchip Technology 1N3328A 49.3800
RFQ
 ECAD 3554 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ -65°C〜175°C シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3328 50 W DO-5 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µA @ 32.7 v 43 v 4.5オーム
1N3330RB Microchip Technology 1N3330RB 49.3800
RFQ
 ECAD 8184 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 1N3330 50 W DO-5 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µA @ 35.8 v 47 v 5オーム
1N2826B Microchip Technology 1N2826B 94.8900
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して To-204ad 1N2826 50 W TO-204AD（to-3） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µA @ 29.7 v 39 v 4オーム
APTDC10H601G Microsemi Corporation APTDC10H601G -
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク 廃止 - シャーシマウント SP1 シリコンカーバイドショットキー SP1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 1.8 V @ 10 a 200 µA @ 600 V 10 a 単相 600 V
1PMT4107C/TR7 Microchip Technology 1 PMT4107C/TR7 0.4950
RFQ
 ECAD 9027 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMite® テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-216AA 1PMT4107 1 W DO-216 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 mA 50 Na @ 9.87 v 13 v 200オーム
1PMT4108CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4108CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8076 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMite® テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-216AA 1PMT4108 1 W DO-216 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 mA 50 Na @ 10.65 v 14 v 200オーム
1PMT4111CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4111CE3/TR7 0.4950
RFQ
 ECAD 2765 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMite® テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-216AA 1PMT4111 1 W DO-216 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 mA 50 Na @ 12.92 v 17 v 100オーム
1PMT4114/TR13 Microchip Technology 1 PMT4114/TR13 0.9600
RFQ
 ECAD 3414 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMite® テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-216AA 1PMT4114 1 W DO-216 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 15.2 v 20 v 150オーム
1PMT4118E3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4118E3/TR7 0.4950
RFQ
 ECAD 1856年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMite® テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-216AA 1PMT4118 1 W DO-216 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 20.45 v 27 v 150オーム
CDLL5248B Microchip Technology CDLL5248B 2.8650
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5248 10 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 14 V 18 v 21オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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