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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 現在 - @ vr 現在 -平均修正( io) ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
CDLL5251B Microchip Technology CDLL5251B 2.8650
RFQ
ECAD 5876 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5251 10 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 17 V 22 v 29オーム
CDLL5252A Microchip Technology CDLL5252A 2.8650
RFQ
ECAD 3852 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5252 10 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 18 V 24 v 33オーム
CDLL5261 Microchip Technology CDLL5261 2.8650
RFQ
ECAD 9819 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±20% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5261 10 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 36 V 47 v 105オーム
CDLL5270A Microchip Technology CDLL5270A 3.5850
RFQ
ECAD 5207 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5270 10 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 69 v 91 v 400オーム
CDLL5279B Microchip Technology CDLL5279B 3.1350
RFQ
ECAD 3435 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5279 DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 130 v 180 v 2200オーム
CDLL5526A Microchip Technology CDLL5526A 6.4800
RFQ
ECAD 3074 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5526 500 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 1 µA @ 5.5 v 6.8 v 30オーム
CDLL5535B Microchip Technology CDLL5535B 5.9550
RFQ
ECAD 5454 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5535 500 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 13.5 v 15 V 100オーム
CDLL5916C Microchip Technology CDLL5916C 7.8450
RFQ
ECAD 9895 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±2% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5916 1.25 w DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 1 V 4.3 v 6オーム
CDLL5924D Microchip Technology CDLL5924D 11.7300
RFQ
ECAD 4089 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±1% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5924 1.25 w DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 7 V 9.1 v 4オーム
CDLL5927D Microchip Technology CDLL5927D 11.7300
RFQ
ECAD 4557 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±1% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5927 1.25 w DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 9.1 v 12 v 6.5オーム
CDLL5938C Microchip Technology CDLL5938C 7.8450
RFQ
ECAD 6441 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±2% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5938 1.25 w DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 27.4 v 36 v 38オーム
JANTX1N4976US Microchip Technology jantx1n4976us 9.6150
RFQ
ECAD 9725 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/356 バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf e 1N4976 5 W D-5B ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 2 µA @ 42.6 v 56 v 35オーム
JANTX1N4982 Microchip Technology jantx1n4982 9.7500
RFQ
ECAD 9033 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/356 バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 穴を通して E 、軸 1N4982 5 W ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 2 µA @ 76 v 100 V 110オーム
CDLL6343 Microchip Technology CDLL6343 14.6400
RFQ
ECAD 1260 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL6343 500 MW DO-213AB - ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 50 Na @ 47 v 62 v 125オーム
CDLL6490 Microchip Technology CDLL6490 13.8900
RFQ
ECAD 4173 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL6490 1.5 w DO-213AB - ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 mA 1 µA @ 1 V 5.1 v 7オーム
CDLL747 Microchip Technology CDLL747 2.8650
RFQ
ECAD 2006年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL747 500 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 3 µA @ 1 V 3.6 v 24オーム
CDLL965B Microchip Technology CDLL965B 2.8600
RFQ
ECAD 114 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL965 500 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 11 V 15 V 16オーム
JAN1N4982US Microchip Technology Jan1n4982us -
RFQ
ECAD 7900 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/356 バルク sicで中止されました ±5% -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf e 5 W D-5B ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 2 µA @ 76 v 100 V 110オーム
G3SBA20L-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20L-M3/51 -
RFQ
ECAD 6359 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu G3SBA20 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 2 a 5 µA @ 200 V 2.3 a 単相 200 v
G3SBA60-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60-M3/45 0.8910
RFQ
ECAD 5644 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu G3SBA60 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 1 V @ 2 a 5 µA @ 600 v 2.3 a 単相 600 V
G5SBA80-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G5SBA80-M3/51 1.0096
RFQ
ECAD 4161 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu G5SBA80 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 3 a 5 µA @ 800 V 2.8 a 単相 800 V
GBU6A-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6A-M3/45 1.2844
RFQ
ECAD 7028 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU6 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 1 V @ 6 a 5 µA @ 50 V 3.8 a 単相 50 v
GBU8A-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8A-M3/51 1.1425
RFQ
ECAD 5888 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU8 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 8 a 5 µA @ 50 V 3.9 a 単相 50 v
Z4DGP410L-HF Comchip Technology Z4DGP410L-HF 1.4800
RFQ
ECAD 42 0.00000000 comchipテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント Z4-D Z4DGP410 標準 Z4-D ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 950 mV @ 4 a 5 µA @ 1000 v 4 a 単相 1 kV
VJ448M Microsemi Corporation VJ448M -
RFQ
ECAD 9221 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して 4 平方、 VJ 標準 VJ ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 1.3 V @ 1 a 5 µA @ 400 V 10 a 単相 400 V
CDLL3039 Microchip Technology CDLL3039 15.3000
RFQ
ECAD 7369 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±20% -55°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL3039 1 W DO-213AB - ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 47.1 v 62 v 125オーム
CDLL4103 Microchip Technology CDLL4103 3.5850
RFQ
ECAD 3453 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL4103 500 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 7 V 9.1 v 200オーム
CDLL3049B-1 Microsemi Corporation CDLL3049B-1 -
RFQ
ECAD 9605 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク アクティブ CDLL3049 - ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1
DZ2727000L Panasonic Electronic Components DZ2727000L -
RFQ
ECAD 8912 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ&リール( tr) sicで中止されました ±5% - 表面マウント 2-SMD 、フラットリード DZ27270 120 MW sssmini2-f4-b - ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 mA 50 Na @ 21 V 27 v 120オーム
JANS1N6490US Microchip Technology jans1n6490us -
RFQ
ECAD 7647 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/406 バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf、a 1.5 w D-5a ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 1 µA @ 1 V 5.1 v 7オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫