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ダイオード（166326）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 現在 -平均修正（ io） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N6637 Microchip Technology 1N6637 -
RFQ
 ECAD 2601 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク sicで中止されました ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して E 、軸 1N6637 5 W E 、軸 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 5 µA @ 1 V 5.1 v 400オーム
1N707A Microchip Technology 1N707A 1.9200
RFQ
 ECAD 1376 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N707 250 MW DO-35 - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 7.1 v 7.1 v 10オーム
1N714 Microchip Technology 1N714 2.7150
RFQ
 ECAD 7193 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N714 250 MW DO-35 - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 10 v 8オーム
1N741 Microchip Technology 1N741 2.0700
RFQ
 ECAD 7278 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N741 250 MW DO-35 - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 130 v 650オーム
1N755A-1 Microchip Technology 1N755A-1 2.1600
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N755 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 2 µA @ 5 V 7.5 v 4オーム
1PMT4132/TR13 Microchip Technology 1 PMT4132/TR13 0.9600
RFQ
 ECAD 2990 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMite® テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-216AA 1PMT4132 1 W DO-216 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 62.32 v 82 v 250オーム
1PMT4626CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4626CE3/TR13 0.3750
RFQ
 ECAD 3321 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMite® テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-216AA 1PMT4626 1 W DO-216 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 mA 10 µA @ 4 V 5.6 v 1400オーム
CDLL4740 Microchip Technology CDLL4740 3.4650
RFQ
 ECAD 2412 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL4740 DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 3 µA @ 7.6 v 10 v 7オーム
CDLL4747A Microchip Technology CDLL4747A 3.4650
RFQ
 ECAD 3065 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL4747 DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 100 Na @ 15.2 v 20 v 22オーム
CDLL4708 Microchip Technology CDLL4708 3.3000
RFQ
 ECAD 3998 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL4708 500 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 16.7 v 22 v
CDLL4622 Microchip Technology CDLL4622 3.7500
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA CDLL4622 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 2.5 µA @ 2 V 3.9 v 1650オーム
CDLL4732 Microchip Technology CDLL4732 2.4450
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL4732 DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 4.7 v 8オーム
CDLL4734A Microchip Technology CDLL4734A 3.8250
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL4734 DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 5.6 v 5オーム
CDLL4678 Microchip Technology CDLL4678 3.3000
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA CDLL4678 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 7.5 µA @ 1 V 1.8 v
CDLL4680 Microchip Technology CDLL4680 3.3000
RFQ
 ECAD 8301 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA CDLL4680 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 4 µA @ 1 V 2.2 v
CDLL5234B Microchip Technology CDLL5234B 4.7700
RFQ
 ECAD 5363 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213ab 、メルフ CDLL5234 10 MW DO-213AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 5 µA @ 4 V 6.2 v 7オーム
CBR10-J040 Central Semiconductor Corp CBR10-J040 -
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 Corp - バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して 4 平方メートル、 cm 標準 CM ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない -CBR10-J040 ear99 8541.10.0080 400 1.2 V @ 5 a 10 µA @ 400 V 5 a 単相 400 V
CBR10-J060 Central Semiconductor Corp CBR10-J060 -
RFQ
 ECAD 1147 0.00000000 Corp - バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して 4 平方メートル、 cm 標準 CM ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない -CBR10-J060 ear99 8541.10.0080 400 1.2 V @ 5 a 10 µA @ 600 V 5 a 単相 600 V
GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S-D1E 106.8000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 セミク - チューブ アクティブ -55°C〜175°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック GHXS030 シリコンカーバイドショットキー SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 10 1.7 V @ 30 a 200 µA @ 1200 v 30 a 単相 1.2 kv
DB105S-G Comchip Technology DB105S-G 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 comchipテクノロジー - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 DB105 標準 DBS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 600 V 1 a 単相 600 V
SC3BH05 Semtech Corporation SC3BH05 -
RFQ
 ECAD 6844 0.00000000 Semtech Corporation - バルク sicで中止されました -55°C〜150°C QC端子 4Rectangle SC3BH 標準 - ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 3 a 3 µA @ 50 V 4 a 3フェーズ 50 v
GBPC3501W GeneSiC Semiconductor GBPC3501W 2.8650
RFQ
 ECAD 5121 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W GBPC3501 標準 GBPC-W ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） GBPC3501WGS ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 a 5 µA @ 100 V 35 a 単相 100 V
GBPC3502W GeneSiC Semiconductor GBPC3502W 2.8650
RFQ
 ECAD 7330 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4平方、GBPC-W GBPC3502 標準 GBPC-W ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） GBPC3502WGS ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 a 5 µA @ 200 V 35 a 単相 200 v
KBP210G GeneSiC Semiconductor KBP210G 0.2280
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbp KBP210 標準 KBP ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 a 10 µA @ 1000 v 2 a 単相 1 kV
KBPC2504W GeneSiC Semiconductor KBPC2504W 2.2995
RFQ
 ECAD 3961 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4 平方、KBPC-W KBPC2504 標準 KBPC-W ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 a 5 µA @ 400 V 25 a 単相 400 V
KBPC2510W GeneSiC Semiconductor KBPC2510W 2.2995
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4 平方、KBPC-W KBPC2510 標準 KBPC-W ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 a 10 µA @ 1000 v 25 a 単相 1 kV
KBPC35005W GeneSiC Semiconductor KBPC35005W 2.4720
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4 平方、KBPC-W KBPC35005 標準 KBPC-W ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 a 5 µA @ 50 V 35 a 単相 50 v
KBPC3510T GeneSiC Semiconductor KBPC3510T 2.4750
RFQ
 ECAD 6256 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C QC端子 4 平方、KBPC-T KBPC3510 標準 KBPC-T ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 a 5 µA @ 1000 v 35 a 単相 1 kV
KBPC5010W GeneSiC Semiconductor KBPC5010W 2.5875
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4 平方、KBPC-W KBPC5010 標準 KBPC-W ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 a 5 µA @ 1000 v 50 a 単相 1 kV
JANTXV1N985C-1 Microchip Technology jantxv1n985c-1 7.5750
RFQ
 ECAD 6386 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/117 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N985 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 76 v 100 V 500オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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