画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SS36 R6G | - | ![]() | 9442 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SS36R6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n4128dur-1 | 36.0000 | ![]() | 4497 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4128 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 45.6 v | 60 V | 400オーム | ||||||||||||||||
![]() | FFSH1665ADN-F155 | 9.7700 | ![]() | 450 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | FFSH1665 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | - | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55°C〜175°C | 11a | 463pf @ 1V 、100kHz | |||||||||||||||
![]() | HER302G R0G | - | ![]() | 5651 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | do-201ad、軸 | HER302 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | CLA4606-000 | 2.6637 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | CLA | トレイ | アクティブ | -65°C〜175°C | 死ぬ | CLA4606 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 200 ma | 650 MW | - | ピン -シングル | 75V | 2OHM @ 10MA、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5418/tr | 10.0200 | ![]() | 1887 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/411 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 標準 | b 、軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5418/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||
rs1blhrtg | - | ![]() | 8067 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | FST83100M | - | ![]() | 3835 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | D61-3M | ショットキー | D61-3M | ダウンロード | 1 (無制限) | FST83100MGN | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 80A (DC) | 840 mV @ 80 a | 1.5 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | BZX79-B3V9,143 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | カットテープ(CT) | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79-B3V9 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5922CPE3/TR8 | 1.2000 | ![]() | 3021 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5922 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 6 V | 7.5 v | 3オーム | ||||||||||||||||
![]() | GP02-40-E3/54 | 0.5700 | ![]() | 675 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP02 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 4000 v | 3 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 4000 V | -65°C〜175°C | 250ma | - | ||||||||||||||
![]() | US1KSAFS-13 | 0.4000 | ![]() | 6513 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ac 、maフラットリード | US1K | 標準 | SMA-FS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.85 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 5PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
BZD27C120P RTG | - | ![]() | 1080 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.39% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 v | 120.5 v | 300オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5349HR7G | - | ![]() | 5712 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 2 µA @ 9.1 v | 12 v | 3オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N4746A-TP | - | ![]() | 5415 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4746 | 1 W | do-41g | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | ||||||||||||||||
![]() | ugb10bcthe3/81 | - | ![]() | 8375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | UGB10 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ugb10bcthe3_a/i | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 5a | 1.1 V @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | PMEG2010BEA 、115 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | PMEG2010 | ショットキー | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 20 V | -65°C〜150°C | 1a | 80pf @ 1V 、1MHz | |||||||||||||||
![]() | bav70sh6327xtsa1 | 0.1021 | ![]() | 4899 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | bav70 | 標準 | PG-SOT363-6-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2ペア共通カソード | 80 v | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||
es1blhmhg | - | ![]() | 3187 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N5955BE3/TR13 | - | ![]() | 3199 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5955 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 136.8 v | 180 v | 900オーム | |||||||||||||||||
![]() | SS16A | 0.0230 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-SS16ATR | ear99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER1601G C0G | - | ![]() | 5189 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | HER1601 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 16a | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | MBR30H100CT | - | ![]() | 3409 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR30H100 | ショットキー | TO-220 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 800 mV @ 15 a | 4.5 µA @ 100 V | 175°C (最大) | |||||||||||||||
1N5952B TR | - | ![]() | 1200 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 98.8 v | 130 v | 450オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C2V4-13-F-79 | - | ![]() | 2720 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | BZT52 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BZT52C2V4-13-F-79DI | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR6-060 | - | ![]() | 6458 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4 平方メートル、 cm | 標準 | CM | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 3 a | 10 µA @ 600 V | 6 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3030dur-1 | 40.7250 | ![]() | 7355 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3030 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | ||||||||||||||||
![]() | MBR2045CT | 0.6000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-MBR2045CT | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 45 v | 20a | - | |||||||||||||||||
![]() | 1N3521A | 2.4900 | ![]() | 1344 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N3521 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 13 v | 12オーム | |||||||||||||||||
![]() | RA254-BP | - | ![]() | 9139 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | ra | RA254 | 標準 | ra | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 25 a | 3 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 25a | 300pf @ 4V、1MHz |
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