画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV55B2V4 | 0.0504 | ![]() | 6430 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55B2V4TR | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 100 MA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 85オーム | |||||||||||
![]() | 1N5825E3 | 55.7850 | ![]() | 1046 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 軸 | ショットキー | 軸 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5825E3 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 380 mV @ 5 a | 10 ma @ 40 v | -65°C〜125°C | 5a | - | |||||||||||
![]() | ACZRC5354B-G | 0.3480 | ![]() | 7360 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | ACZRC5354 | 5 W | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 12.9 v | 17 v | 2.5オーム | |||||||||||
![]() | DF10S | 0.9702 | ![]() | 4076 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DF10 | 標準 | DF-S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 1000 v | 1 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | PMEG3002ESFYL | 0.0400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 0201 (0603 メトリック) | PMEG3002 | ショットキー | DSN0603-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 535 mV @ 200 Ma | 1.42 ns | 9 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 200mA | 21pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||
![]() | NTE5824 | 10.8400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE5824 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.4 V @ 12 a | 400 ns | 25 µA @ 1000 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||||||||||
![]() | CPR1F-060 BK | - | ![]() | 2944 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 前回購入します | CPR1F | - | 影響を受けていない | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF801GHC0G | - | ![]() | 1835 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SFAF801 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | 90pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | set010204 | - | ![]() | 8227 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | シャーシ、スタッドマウント | モジュール | set01 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||
![]() | MMSZ5240B-HE3_A-08 | 0.0549 | ![]() | 8597 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5240B-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-1EAH02-M3/h | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 2-vdfn | VS-1EAH02 | 標準 | DFN3820A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 970 mV @ 1 a | 23 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | jantx1n1188r | - | ![]() | 8180 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/297 | バルク | sicで中止されました | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.4 V @ 110 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 35a | - | |||||||||||
![]() | jan1n4372dur-1/tr | 14.4438 | ![]() | 3834 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4372dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 30 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム | |||||||||||||
![]() | MM3Z3V0C | 0.0200 | ![]() | 9665 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 8,889 | 1 V @ 10 mA | 9 µA @ 1 V | 3 v | 89オーム | |||||||||||||||
![]() | jan1n4984cus/tr | 33.5100 | ![]() | 8983 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4984cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 91.2 v | 120 v | 170オーム | ||||||||||||||
SB020-E3/73 | - | ![]() | 7591 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | mpg06 、軸 | SB020 | ショットキー | MPG06 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mV @ 600 Ma | 500 µA @ 20 V | -65°C〜125°C | 600MA | - | |||||||||||
![]() | SZMMSZ4685T1G | 0.3700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | SZMMSZ4685 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 v | ||||||||||||
![]() | 1PGSMC5363H | 0.3459 | ![]() | 9314 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 自動車、AEC-Q101、1PGSMC53 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 22.8 v | 30 V | 8オーム | ||||||||||||
![]() | FR605 | - | ![]() | 7721 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | R-6 、軸 | FR60 | 標準 | R-6 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | FR605SMC | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 6 a | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜125°C | 6a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZD27C30P-M-08 | - | ![]() | 8253 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C30 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22 v | 30 V | 15オーム | |||||||||||
![]() | RKZ9.1BJKU #P6 | 0.1100 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5334BE3/TR12 | - | ![]() | 9054 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5334 | 5 W | T-18 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 150 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5オーム | ||||||||||||
![]() | GL1B-CT | 0.3635 | ![]() | 5725 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | ストリップ | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | 標準 | DO-213AA 、ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-GL1B-CT | 8541.10.0000 | 30 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.2 V @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 100 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||
VS-ETU1506-M3 | 1.4400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | ETU1506 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 15 a | 40 ns | 15 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||
jantx1n5532c-1/tr | 13.9384 | ![]() | 6712 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5532c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.8 v | 12 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | SMBZ1444LT3G | 0.0700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||
Jan1n4130d-1 | 13.1400 | ![]() | 4414 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4130 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.7 v | 68 v | 700オーム | |||||||||||||
![]() | CZRF52C3-HF | 0.0805 | ![]() | 9829 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 1005 (2512 メトリック) | CZRF52 | 200 MW | 1005/SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | |||||||||||
![]() | CMPSH-3-TP | 0.0915 | ![]() | 7194 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | CMPSH-3 | 標準 | SOT-23 | ダウンロード | 353-CMPSH-3-TP | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 500 NA @ 25 V | -55°C〜150°C | 100mA | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | HZ3C1TA-E | 0.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,929 |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫