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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MSCDC300A120AG	396.6000	RFQ	3	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	MSCDC300	sic （炭化シリコン）ショットキー		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCDC300A120AG	ear99	8541.10.0080	1		回復時間なし> 500ma	1ペアシリーズ接続	1200 v	300a	1.8 V @ 300 a	0 ns	1.2 mA @ 1200 v	-40°C〜175°C
F1B	0.0210	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-F1BTR	ear99		3,000
jantxv1n6661	-	RFQ	5522	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns		225 v		1 V @ 400 Ma		50 Na @ 225 v	-65°C〜175°C	500mA	-
jantxv1n5543d-1	29.2200	RFQ	4257	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5543		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.4 v				25 v	100オーム
DR752-TP	0.3816	RFQ	8227	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			穴を通して	R-6 、軸	DR752	標準		R-6	ダウンロード				353-DR752-TP	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 6 a		10 µA @ 200 v	-50°C〜150°C	6a	100pf @ 4V、1MHz
VT4045CHM3/4W	-	RFQ	6621	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	VT4045	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VT4045CHM34W	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	20a	580 mV @ 20 a		3 MA @ 45 v	-40°C〜150°C
S300BR	63.8625	RFQ	2398	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	S300	標準、逆極性		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		S300BRGN	ear99	8541.10.0080	8		標準回復> 500ns		100 V		1.2 V @ 300 a		10 µA @ 100 V	-60°C〜200°C	300a	-
BZT52B12JS-TP	0.3400	RFQ	3067	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZT52B12		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V				12 v	25オーム
DZ23C15Q-7-F	0.0738	RFQ	8535	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.12％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード			影響を受けていない	31-DZ23C15Q-7-FTR	ear99	8541.10.0050	3,000	1ペア共通カソード											14.7 v	30オーム
DSA17C	0.1000	RFQ	14	onsemi	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0080	1
SK56BFL-TP	0.1888	RFQ	4685	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-221AA	SK56	ショットキー		SMBF	ダウンロード				353-SK56BFL-TP	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		60 V		700 mV @ 5 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	5a	220pf @ 4V、1MHz
1N5829	14.0145	RFQ	1994年年	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N5829	ショットキー		DO-4	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		1N5829GN	ear99	8541.10.0080	250		高速回復= <500ns		20 v		580 mV @ 25 a		2ma @ 20 v	-55°C〜150°C	25a	-
MBRD10150CT	0.6600	RFQ	4	SMCダイオードソリューション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRD10150	ショットキー		dpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	2,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	-	900 mV @ 5 a		1 MA @ 150 v	-55°C〜150°C
ss13he3_a/h。	-	RFQ	2977	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS13	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
BZT52-B5V1FN2_R1_00001	0.0297	RFQ	3314	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1.96％	-55°C〜150°C	表面マウント	0402 （1006メトリック）	BZT52		250 MW	2-dfn（1x0.6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,252,000								2 µA @ 2 V				5.1 v	60オーム
FMB-24	0.6200	RFQ	279	サンケン	-	バルク	廃止			穴を通して	TO-220-3フルパック		ショットキー		TO-220F	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		FMB-24 DK	ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	4a	550 mv @ 2 a		2 MA @ 40 V	-40°C〜150°C
B350A-E3/61T	0.4100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	B350	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		50 v		720 mV @ 3 a		200 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	145pf @ 4V、1MHz
SFAF1002GHC0G	-	RFQ	6401	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	SFAF1002	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		100 V		975 mV @ 10 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	10a	170pf @ 4V、1MHz
rsfdlhrhg	-	RFQ	2739	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	rsfdl	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		高速回復= <500ns		200 v		1.3 V @ 500 Ma	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	500mA	4PF @ 4V、1MHz
jantx1n3017b-1/tr	8.7900	RFQ	4100	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸			1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3017b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 5.7 v				7.5 v	4オーム
BZT52B24-E3-08	0.3100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B24		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								100 Na @ 18 V				24 v	28オーム
BZT52C36LP-TP	-	RFQ	9567	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5.56％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-882	BZT52C36		100 MW	SOD-882	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 25.2 v				36 v	90オーム
jans1n4129-1	33.7800	RFQ	2203	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 47.1 v				62 v	500オーム
jan1n2979rb	-	RFQ	8058	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 2 a		10 µA @ 11.4 v				15 V	3オーム
BZG05C11-M3-18	0.1089	RFQ	1383	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.45％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C11		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 8.2 v				11 v	8オーム
SR320 A0G	0.3500	RFQ	9703	台湾半導体コーポレーション	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	SR320	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns		200 v		950 mv @ 3 a		100 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	3a	-
jantx1n4127d-1	16.9800	RFQ	5060	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4127		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 42.6 v				56 v	300オーム
1N2998R	6.5000	RFQ	10	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa	1N2998		10 W	DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N2998R	ear99	8541.10.0080	10						1.5 V @ 2 a						52 v	15オーム
JANTX1N6629US	-	RFQ	1395	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/590	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf e	1N6629	標準		D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		880 v		1.4 V @ 1.4 a	50 ns	2 µA @ 880 v	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V、1MHz
murf40020r	-	RFQ	3160	遺伝的半導体	-	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB		標準		TO-244	-		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	25		高速回復= <500ns	1ペア共通アノード	200 v	200a	1 V @ 200 a	150 ns	25 µA @ 200 V	-55°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²