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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SE15PD-M3/85A	0.1005	RFQ	7639	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	SE15	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	標準回復> 500ns		200 v		1.05 V @ 1.5 a	900 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	1.5a	9.5pf @ 4V、1MHz
1N5382BE3/TR13	-	RFQ	6606	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5382		5 W	T-18	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,250					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 101 v						140 v	230オーム
1SMB5942BT3G	0.3800	RFQ	1	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	1SMB5942		3 W	SMB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 38.8 v						51 v	70オーム
SF18GHB0G	-	RFQ	4002	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SF18	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
MD250S16M3	42.9217	RFQ	600	Yangjieテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール		標準		M3	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MD250S16M3	ear99		6					1.6 V @ 300 a		500 µA @ 1600 V		250 a		3フェーズ	1.6 kV
1N2970B	-	RFQ	7796	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N2970		10 W	DO-4	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	Q522801	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 a		150 µA @ 5.2 v						6.8 v	1.2オーム
v30dm60cl-m3/i	1.6600	RFQ	90	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V30DM60	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	15a	640 mV @ 15 a		1.2 mA @ 60 v	-40°C〜175°C
jantx1n6316dus	55.6050	RFQ	4397	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6316		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		5 µA @ 1.5 v						4.7 v	17オーム
1N4478	6.9600	RFQ	7489	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N4478		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N4478ms	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		50 Na @ 28.8 v						36 v	27オーム
FR605G	-	RFQ	7004	SMCダイオードソリューション	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	R-6 、軸	FR60	標準		R-6	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 6 a	250 ns	10 µA @ 420 v	-65°C〜150°C	6a	150pf @ 4V、1MHz
SC3AS15FF	-	RFQ	5651	Semtech Corporation	-	バルク	sicで中止されました		-55°C〜150°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	SC3AS15	標準		-	-	ROHS非準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1					970 mV @ 30 a		180 µA @ 150 v		18 a		3フェーズ	150 v
BZX84C20W-7	-	RFQ	9834	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±6％	-65°C〜125°C	表面マウント	SC-70、SOT-323	BZX84		200 MW	SOT-323	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 14 V						20 v	55オーム
S4D R6G	-	RFQ	6873	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc		標準		do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-S4DR6GTR	ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		200 v		1.15 V @ 4 a	1.5 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	4a	60pf @ 4V、1MHz
RP 3FV3	-	RFQ	2083	Sanken Electric USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	軸		標準		-	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns		1500 v			700 ns		-	2a	-
EG01CV1	-	RFQ	1181	サンケン	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	軸	EG01	標準		-	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0070	1,000	高速回復= <500ns		1000 V		3.3 V @ 500 Ma	100 ns	50 µA @ 1000 V	-40°C〜150°C	500mA	-
jantxv1n5523b-1	7.7000	RFQ	100	マコムテクノロジーソリューション	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2.5 v						5.1 v	26オーム
MBR3060PT	-	RFQ	7312	onsemi	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	MBR3060	ショットキー		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	MBR3060PTFS	ear99	8541.10.0080	900	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	30a	750 mv @ 20 a		5 ma @ 60 v	-65°C〜150°C
jans1n4993/tr	193.0808	RFQ	2385	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4993/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 228 v						300 V	950オーム
jantxv1n4970us/tr	14.2975	RFQ	5430	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4970us/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 25.1 v						33 v	10オーム
jan1n4371c-1	7.4700	RFQ	9757	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4371			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		60 µA @ 1 V						2.7 v	30オーム
CDLL3025A	15.3000	RFQ	8213	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL3025		1 W	DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 12.2 v						16 v	16オーム
jantx1n7049-1	8.8950	RFQ	6734	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
1N1194a	2.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N1194a	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns				1.2 V @ 30 a			-65°C〜200°C	12a	-
UES2606R	78.9000	RFQ	3081	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3	UES2606	標準、逆極性		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 15 a	50 ns	50 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	30a	-
UZ5716	32.2650	RFQ	6111	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			5 W	b 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ5716	ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 12.2 v						16 v	3.5オーム
MF200U12F2	48.1700	RFQ	800	Yangjieテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	モジュール		標準		F2	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MF200U12F2	ear99		8	高速回復= <500ns		1200 v		2.3 V @ 200 a	110 ns	1 MA @ 1200 v	-40°C〜150°C	200a	-
MTZJ22SC R0G	0.0305	RFQ	3535	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ag	MTZJ22		500 MW	DO-34	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							200 Na @ 17 V						21.63 v	30オーム
bym13-30he3/96	-	RFQ	9684	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab 、メルフ	bym13	ショットキー		gl41（do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	bym13-30he3_a/h	ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 1 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	1a	110pf @ 4V、1MHz
fese8at-e3/45	-	RFQ	3975	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	fese8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		50 v		950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
SML4746HE3/61	-	RFQ	2241	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4746		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800							5 µA @ 13.7 v						18 v	20オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²