画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CBR1-L100M | - | ![]() | 7195 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip | CBR1-L100 | 標準 | BM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | CBR1-L100M PBFREE | ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1 V @ 1 a | 10 µA @ 1000 v | 1.5 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||||
![]() | TZX6V8B-TAP | 0.2300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | カットテープ(CT) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX6V8 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 3.5 v | 6.8 v | 15オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B5V1-QX | 0.0434 | ![]() | 6794 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.96% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZT52H-B5V1-QXTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MUR30120P | 1.5200 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MUR30120P | ear99 | 360 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-65APS12L-M3 | 2.4370 | ![]() | 9356 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 65APS12 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.12 V @ 65 a | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 65a | - | |||||||||||||||||
![]() | 1N4680 BK PBFREE | 0.2190 | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 100 MA | 4 µA @ 1 V | 2.2 v | |||||||||||||||||||||
![]() | MA4P604-255 | 52.7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | - | バッグ | アクティブ | -65°C〜175°C(タタ | 死ぬ | MA4P604 | 死ぬ | ダウンロード | 3 (168 時間) | 1465-MA4P604-255 | ear99 | 8541.10.0060 | 100 | 0.3pf @ 100V、1MHz | ピン -シングル | 1000V | 1OHM @ 100MA、1MHz | ||||||||||||||||||||||
1N4098 | 20.2200 | ![]() | 5312 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | A 、軸 | 1N4098 | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 1N4098ms | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 114 v | 150 v | 650オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | BYV25F-600,127 | 0.4125 | ![]() | 1484 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byv25 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||||||||||||||
![]() | jan1n6624us/tr | 14.3400 | ![]() | 5258 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/585 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | a sq-melf | - | 150-jan1n6624us/tr | 100 | 高速回復= <500ns | 900 V | 1.55 V @ 1 a | 60 ns | 500 NA @ 900 V | -65°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | US2G-HF | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US2g | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||||
![]() | R6201640XXOO | - | ![]() | 1681 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | クランプオン | do-200aa、a-puk | R6201640 | 標準 | DO-200AA 、R62 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.5 V @ 800 a | 9 µs | 50 mA @ 1600 v | 400a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBR20H60CT-E3/45 | - | ![]() | 4747 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR20 | ショットキー | TO-220-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 10a | 710 mv @ 10 a | 100 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | |||||||||||||||||
![]() | MGV-125-22-0805-2X | 35.8752 | ![]() | 150 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | MGV | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | MGV-125 | 0805-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1465-MGV-125-22-0805-2X | ear99 | 8541.10.0060 | 25 | 1.17pf @ 4V、1MHz | シングル | 22 v | 10 | C2/C20 | 3000 @ 4V、50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5251B | - | ![]() | 3262 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | |||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5187/tr | 7.9650 | ![]() | 9773 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/424 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 標準 | b 、軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5187/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.5 V @ 9 a | 200 ns | 2 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||||
![]() | VF30120SG-E3/4W | 0.9182 | ![]() | 3038 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | VF30120 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 120 v | 1.28 V @ 30 a | 500 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | 30a | - | |||||||||||||||||
![]() | CLL4619 BK | - | ![]() | 2197 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | 1514-CLL4619BK | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 800 Na @ 1 V | 3 v | 1600オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | UFS560JE3/TR13 | 1.8750 | ![]() | 4226 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | UFS560 | 標準 | DO-214AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.35 V @ 5 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 5a | - | ||||||||||||||||
![]() | VT10200C-E3/4W | 1.2100 | ![]() | 662 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | VT10200 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 5a | 1.6 V @ 5 a | 150 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | VS-MBRB1035HM3 | 0.9075 | ![]() | 8289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VS-MBRB1035HM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 35 v | 840 mV @ 20 a | 100 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | 10a | 600pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CD214C-R3100 | - | ![]() | 5599 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | CD214C | 標準 | smc(do-214ab) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.15 V @ 3 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | SK5C0C | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | グッドアーク半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 850 mv @ 5 a | 30 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 5a | 96pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V3LFHT116 | - | ![]() | 5512 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±6.06% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||||||||
![]() | MBRB2050CT-E3/45 | - | ![]() | 8926 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB20 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 10a | 800 mV @ 10 a | 150 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||
![]() | MMBZ5246BV_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 2986 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MMBZ5246 | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,250,000 | 100 na @ 12 v | 16 v | 17オーム | |||||||||||||||||||
![]() | HSMP-3892-TR2G | - | ![]() | 2156 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | TO-236-3 | HSMP-3892 | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 a | 0.3pf @ 5V、1MHz | ピン-1ペアシリーズ接続 | 100V | 2.5OHM @ 5MA 、100MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4737A-TP | - | ![]() | 7528 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4737 | 1 W | do-41g | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZG03B240-HM3-08 | 0.2310 | ![]() | 4959 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B240 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 180 v | 240 v | 850オーム | ||||||||||||||||||
![]() | S3GB | 0.0863 | ![]() | 3324 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S3G | 標準 | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 3 a | 2.5 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz |
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