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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
GBL005-E3/51	0.7456	RFQ	9723	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	GBL005	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	400					1.1 V @ 4 a		5 µA @ 50 V		3 a		単相	50 v
VS-1ENH01HM3/85A	0.0957	RFQ	2643	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	1ENH01	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		100 V		920 mv @ 1 a	28 ns	2 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	1a	-
BZT52-C6V2_R1_00001	0.1500	RFQ	13	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1.94％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-BZT52-C6V2_R1_00001DKR	ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 2 V						6.2 v	10オーム
HS1DL R3G	-	RFQ	5405	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	HS1D	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		200 v		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
jantx1n3000rb	-	RFQ	1067	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 a		10 µA @ 47.1 v						62 v	17オーム
RS1007M	0.9800	RFQ	4048	Rectron USA	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4 rs-10m		標準		RS-10m	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2516-RS1007M	ear99	8541.10.0080	1,800					1.1 V @ 5 a		5 µA @ 1000 v		10 a		単相	1 kV
MD70C16D1-BP	38.8600	RFQ	10	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	D1	MD70	標準		D1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	MD70C16D1-BPMS	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	1600 v	70a	1.3 V @ 200 a		5 ma @ 1600 v	-40°C〜150°C
jantxv1n4969cus	40.8900	RFQ	9107	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4969cus	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 22.8 v						30 V	8オーム
P600m	0.1528	RFQ	8445	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	P600 、軸		標準		P600	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	2796-P600MTR		8541.10.0000	1,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 6 a	1.5 µs	10 µA @ 1000 v	-50°C〜175°C	6a	-
CPT50235A	-	RFQ	3689	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB		ショットキー		TO-244AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペア共通アノード	35 v	250a	550 mV @ 250 a		12 ma @ 35 v
1N5809	1.2500	RFQ	4512	Solid State Inc.	-	バルク	アクティブ			穴を通して	軸		標準		軸	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N5809	ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns		100 V		875 mV @ 4 a	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	6a	-
1N5948bg	3.4050	RFQ	4305	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5948		1.25 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 69.2 v						91 v	200オーム
1N4553a	53.5800	RFQ	9113	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N4553		50 W	do-5（do-203ab）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		20 µA @ 1 V						5.6 v	0.12オーム
CDLL5521D	16.2000	RFQ	1973年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5521D	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1.5 v						4.3 v	18オーム
MMSZ5252C-G3-08	0.0483	RFQ	6319	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5252		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 18 V						24 v	33オーム
BZX384C7V5-E3-08	0.2400	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C7V5		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							1 µA @ 5 V						7.5 v	15オーム
BZX79-B10,143	0.0200	RFQ	175	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 7 V						10 v	20オーム
HZ16-1RE-E	0.0500	RFQ	16	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000
rs1pdhm3_a/i	0.3700	RFQ	1715	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	rs1p	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		200 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	1a	9pf @ 4V、1MHz
FEP16GT-5300HE3/45	-	RFQ	3440	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	FEP16	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	16a	1.3 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C
VS-8EWS12SLHM3	1.6100	RFQ	7900	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	8ews12	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1200 v		1.1 V @ 8 a		50 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	8a	-
1N5619GP-E3/54	0.6300	RFQ	638	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	1N5619	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	高速回復= <500ns		600 V		1.2 V @ 1 a	250 ns	500 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 4V、1MHz
BZX84-C4V7,215	0.0200	RFQ	1	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	SOT-23	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 2 V						4.7 v	80オーム
RM 2Z	-	RFQ	4284	サンケン	-	バルク	廃止			穴を通して	軸		標準		軸	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1,000	標準回復> 500ns		200 v		910 mv @ 1.5 a		10 µA @ 200 v	-40°C〜150°C	1.2a	-
SMBG5344B/TR13	2.2500	RFQ	9139	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5344		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		10 µA @ 5.9 v						8.2 v	1.5オーム
3EZ39D2E3/TR12	-	RFQ	5736	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3EZ39		3 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 29.7 v						39 v	28オーム
CZ5361B BK TIN/LEAD	0.5408	RFQ	5625	Corp	-	箱	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	DO-201AA			5 W	DO-2011	ダウンロード			影響を受けていない	1514-CZ5361BBKTIN/LEAD	ear99	8541.10.0050	500					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 20.6 v						27 v	5オーム
1N4898A/TR	101.7450	RFQ	5496	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C	穴を通して	DO-204AA			400 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4898A/TR	ear99	8541.10.0050	1													12.8 v	400オーム
MSQ1PG-M3/h	1.5600	RFQ	51	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	MicroSMP	MSQ1	標準		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	標準回復> 500ns		400 V		1.2 V @ 1 a	650 ns	1 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1a	4PF @ 4V、1MHz
SD125SC150A.T	1.5389	RFQ	200	SMCダイオードソリューション	-	トレイ	アクティブ			表面マウント	死ぬ	SD125	ショットキー		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	1655-1765	ear99	8541.10.0040	100	高速回復= <500ns		150 v		890 mV @ 15 a		500 µA @ 150 V	200°C （最大）	15a	500pf @ 5V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²