画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB751S-40FVTE61 | - | ![]() | 5979 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | RB751 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-RB751S-40FVTE61TR | 廃止 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C2V4,115 | 0.6200 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | BZV49-C2V4 | 1 W | SOT-89 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1 V @ 50 mA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | ||||||||||||||||
![]() | BB833E6327HTSA1 | - | ![]() | 7945 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BB833 | PG-SOD323-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 0.9pf @ 28V、1MHz | シングル | 30 V | 12.4 | C1/C28 | - | |||||||||||||||||
![]() | sml4757ahe3_a/i | 0.2063 | ![]() | 7339 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4757 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 38.8 v | 51 v | 95オーム | |||||||||||||||||
Jan1n6351us | 15.9300 | ![]() | 8909 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6351 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 99 v | 130 v | 850オーム | ||||||||||||||||||
![]() | TDZ4V7J、115 | 0.3400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | TDZ4v7 | 500 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | ||||||||||||||||
![]() | GBPC2504W | - | ![]() | 8880 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | トレイ | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | GBPC2504 | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | GBPC2504WDI | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 400 V | 25 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||||
![]() | DHG100X1200NA | 38.8300 | ![]() | 3520 | 0.00000000 | ixys | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | DHG100 | 標準 | SOT-227B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | -dhg100x1200na | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 1200 v | 50a | 2.16 V @ 50 a | 75 ns | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | 2EZ3.6DE3/TR8 | - | ![]() | 3652 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2ez3.6 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 80 µA @ 1 V | 3.6 v | 5オーム | |||||||||||||||||
![]() | CD5240C | - | ![]() | 4780 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD5240C | ear99 | 8541.10.0050 | 261 | 1.5 V @ 200 mA | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BAT5404WH6327XTSA1 | 0.5000 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAT5404 | ショットキー | PG-SOT323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 200MA (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||
![]() | RD13JS-AZ | 0.0600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4709 TR PBFREE | 0.4600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | CMHZ4709 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 100 MA | 10 Na @ 18.2 v | 24 v | |||||||||||||||||
jantxv1n4993cus | 86.5500 | ![]() | 5746 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 228 v | 300 V | 950オーム | |||||||||||||||||||
jans1n4582a-1 | 103.1250 | ![]() | 8928 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B5V6-TP | 0.0341 | ![]() | 2804 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B5 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||||
![]() | MBRB2515LG | - | ![]() | 7770 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB2515 | ショットキー | d²pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 15 V | 450 mv @ 25 a | 15 mA @ 15 v | 100°C (最大) | 25a | - | |||||||||||||||
Jan1n964d-1 | 6.0900 | ![]() | 3776 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N964 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | |||||||||||||||||
![]() | NRTS1060PFST3G | 0.7400 | ![]() | 8067 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | NRTS1060 | ショットキー | TO-277-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 660 mV @ 10 a | 350 µA @ 60 V | -55°C〜175°C | 10a | 1023pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | jantx1n4983c | 18.2550 | ![]() | 9129 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4983 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 83.6 v | 110 v | 125オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V3-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 5653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C4V3 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 4.3 v | 95オーム | ||||||||||||||||||
![]() | PZM16NB1,115 | - | ![]() | 9182 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM16 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 na @ 12 v | 16 v | 20オーム | ||||||||||||||||
jans1n4981us | 92.0400 | ![]() | 7295 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 69.2 v | 91 v | 90オーム | |||||||||||||||||||
CMR1U-06 BK PBFREE | 0.2325 | ![]() | 4346 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | CMR1U-06 | 標準 | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | SRAF1630 C0G | - | ![]() | 6650 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SRAF1630 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mv @ 16 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 16a | - | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n5809 | - | ![]() | 6684 | 0.00000000 | Semtech Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | 軸 | 1N5809 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA @ 100 V | - | 6a | 60pf @ 5v、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | RRE02VTM6SFHTR | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | RRE02 | 標準 | tumd2sm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 600 V | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 200mA | - | |||||||||||||||
1N4565A-1E3/TR | 3.6300 | ![]() | 6844 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4565A-1E3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.4 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||
MBR740 | - | ![]() | 9310 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 40 v | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 7.5a | 400pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | ES5JC | 0.3285 | ![]() | 69 | 0.00000000 | MDD | SMC | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 3372-ES5JCTR | 6,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.68 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | - |
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