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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX84B12Q	0.0290	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-BZX84B12QTR	ear99		3,000
RB520CS3002LYL	0.3000	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-882	RB520CS3002	ショットキー		DFN1006-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		450 mv @ 10 ma		500 NA @ 10 V	150°C （最大）	200mA	-
MBRF2060	-	RFQ	9240	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック		ショットキー		ITO-220AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-MBRF2060	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		60 V		820 mv @ 20 a		200 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	20a	-
1N4448WXHE3-TP	0.2700	RFQ	6	Micro Commercial Co	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	1N4148	標準		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	353-1N4448WXHE3-TPTR	ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns		75 v		1.25 V @ 150 MA	4 ns	2.5 µA @ 75 V	-65°C〜150°C	250ma	4PF @ 0V、1MHz
1N4007GPEHE3/73	-	RFQ	5004	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4007	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	IN4007GPEHE3/73	ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
NTE5999	13.9000	RFQ	67	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ			スタッドマウント	DO-203AA		標準		DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠			2368-NTE5999	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		800 V		1.3 V @ 40 a		9 mA @ 800 v	-65°C〜190°C	40a	-
FR2K-TP	-	RFQ	6735	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	FR2K	標準		do-214aa hsmb	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		800 V			500 ns	5 µA @ 800 V	-50°C〜150°C	2a	40pf @ 4V、1MHz
BZX84C3V3-E3-18	0.2300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C3V3		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							5 µA @ 1 V						3.3 v	95オーム
MMBZ5239B-AU_R1_000A1	0.0189	RFQ	6523	Panjit International Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5239		410 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,252,000							3 µA @ 6.5 v						9.1 v	10オーム
cdll5537d/tr	16.3950	RFQ	1676	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-cdll5537d/tr	ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 15.3 v						17 v	100オーム
GAS06520D	-	RFQ	8628	Global Power Technology Co. Ltd	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-263	-			未定義のベンダー	4436-gas06520d			1	回復時間なし> 500ma		650 V		1.7 V @ 20 a	0 ns	50 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	79.5a	1390pf @ 0V、1MHz
MPP4402-206/tr	5.0700	RFQ	1	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MPP4402-206/tr	ear99	8541.10.0060	1,000
jantxv1n5527dur-1	61.9050	RFQ	8162	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5527		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 6.8 v						7.5 v	35オーム
jantx1n5519d-1	21.9150	RFQ	1473	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5519		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V						3.6 v	24オーム
BZX55C2V4-TR	0.2400	RFQ	23	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55C2V4		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V						2.4 v	85オーム
jan1n938bur-1/tr	-	RFQ	1184	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/156	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n938bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V						9 v	20オーム
SFT11GHA1G	-	RFQ	4629	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	sicで中止されました			穴を通して	T-18 、軸	SFT11	標準		TS-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		50 v		950 mv @ 1 a	35 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
Apt30dq60kg	0.8900	RFQ	1924年年	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	APT30DQ60	標準		TO-220 [k]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		600 V		2.4 V @ 30 a	30 ns	25 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	30a	-
TS10P07G	0.9495	RFQ	5059	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、TS-6p	TS10P07	標準		TS-6P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15					1.1 V @ 10 a		10 µA @ 1000 v		10 a		単相	1 kV
1 PMT5939/TR13	2.2200	RFQ	5842	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5939		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 29.7 v						39 v	45オーム
CD411499C	-	RFQ	4327	Powerex Inc.	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	CD411499	標準			ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	1400 v	100a			8 mA @ 1400 v
SMBJ5944AE3/TR13	0.8850	RFQ	8902	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5944		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 47.1 v						62 v	100オーム
BZX84W-B51X	0.0389	RFQ	3681	Nexperia USA Inc.	BZX84W	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BZX84W		275 MW	SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 35.7 v						51 v	180オーム
on5564j	-	RFQ	1376	Nexperia USA Inc.	-	バルク	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1727-on5564j	廃止		1
jan1n4624cur-1/tr	15.0024	RFQ	2357	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4624cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V						4.7 v	1550オーム
jantx1n6328dus/tr	58.0500	RFQ	6283	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jantx1n6328dus/tr	ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 a		50 na @ 11 v						15 V	10オーム
BZX79-C9V1,133	0.0200	RFQ	290	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX79-C9V1,133-954			1					900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 6 V						9.1 v	15オーム
jantx1n981b-1/tr	3.2319	RFQ	4478	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N981		500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n981b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 52 v						68 v	230オーム
cdll5540d/tr	16.3950	RFQ	1809	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5540D/TR	ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 mA		10 na @ 18 v						20 v	100オーム
CD5545B	2.0349	RFQ	5222	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5545B	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		10 Na @ 27 V						30 V	100オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²