画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1PS70SB14,115 | 0.0300 | ![]() | 297 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-1PS70SB14,115-954 | 10,051 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S15 | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-S15TR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 4RS202M | 0.5200 | ![]() | 7703 | 0.00000000 | Rectron USA | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 シップ、rs-2m | 標準 | RS-2M | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2516-4RS202M | ear99 | 8541.10.0080 | 3,600 | 1.1 V @ 4 a | 2 µA @ 100 V | 4 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||||
![]() | 1N4947 BK | - | ![]() | 1497 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | R-1 、軸 | 1N4947 | 標準 | GPR-1A | - | 影響を受けていない | 1 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µA @ 800 V | -65°C〜200°C | 1a | - | ||||||||||||||||
![]() | MUR2040PT-BP | - | ![]() | 9926 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | MUR2040 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | 353-MUR2040PT-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 15a | 1.25 V @ 15 a | 60 ns | 100 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | SBR30A40CT-G | - | ![]() | 6730 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | SBR® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SBR30 | スーパーバリア | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-SBR30A40CT-G | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 30a | 500 mV @ 15 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | 3EZ30_R2_00001 | 0.1080 | ![]() | 2730 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 3EZ30 | 3 W | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-3EZ30_R2_00001CT | ear99 | 8541.10.0050 | 28,000 | 500 NA @ 22.5 v | 30 V | 16オーム | ||||||||||||||
![]() | BZD27C10PH | 0.1173 | ![]() | 6947 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD27C10PHTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 7 µA @ 7.5 v | 10 v | 4オーム | ||||||||||||||
![]() | DBL152GHC1G | - | ![]() | 4395 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | DBL152 | 標準 | dbl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 a | 2 µA @ 100 V | 1.5 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||||
![]() | NBRS2H100NT3G | 0.1523 | ![]() | 7098 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | NBRS2H | ショットキー | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-NBRS2H100NT3GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 790 mV @ 2 a | 8 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | jantxv1n6350cus/tr | 57.2550 | ![]() | 6472 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantxv1n6350cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 91 v | 120 v | 600オーム | |||||||||||||||||
![]() | MBRF30H50CTHE3/45 | - | ![]() | 2507 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF30 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 15a | 820 mv @ 15 a | 60 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | |||||||||||||
VSIB6A20-E3/45 | - | ![]() | 3486 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | vsib6a | 標準 | GSIB-5S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 1 V @ 3 a | 10 µA @ 200 v | 2.8 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||
![]() | SF2JDF-13 | 0.1266 | ![]() | 3660 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | SF2 | 標準 | d-flat | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | SF2JDF-13DI | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | Jan1n4134ur-1/tr | 7.8736 | ![]() | 9858 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4134ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 69.2 v | 91 v | 1200オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5186US/TR | 9.4000 | ![]() | 1172 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | e-melf | - | 103 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.5 V @ 9 a | 150 ns | 2 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||||||
![]() | AZ23C4V3 | 0.0786 | ![]() | 7159 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-az23c4v3tr | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 4.3 v | 95オーム | |||||||||||||||
![]() | ues1302/tr | 31.5000 | ![]() | 5504 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | 軸 | 標準 | 軸 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-US1302/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 925 mV @ 6 a | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 6a | - | |||||||||||||
![]() | SR5010L-BP | 0.2168 | ![]() | 8656 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR5010 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | 353-SR5010L-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 700 mV @ 5 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | 200pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n5553/tr | 14.2500 | ![]() | 2692 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/420 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 標準 | b 、軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5553/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 5a | - | |||||||||||||
![]() | jantx1n3030dur-1 | 46.6950 | ![]() | 5843 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3030 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | ||||||||||||||
![]() | MURS480GP-TP | 0.2995 | ![]() | 5836 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | MURS480 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 353-MURS480GP-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.85 V @ 4 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 4a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | bzx84b5v1-aq | 0.0431 | ![]() | 7700 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2796-BZX84B5V1-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||||||||
![]() | AZ23C11Q | 0.0460 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-AZ23C11QTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B4V7,115 | 0.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | jan1n4961us/tr | 8.9700 | ![]() | 4877 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4961us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 10 µA @ 9.9 v | 13 v | 3オーム | |||||||||||||||||
![]() | US1b | 0.0240 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-US1BTR | ear99 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | TZX6V2B-TAP | 0.2300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | カットテープ(CT) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX6V2 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | CZRA5935B-G | 0.1352 | ![]() | 1511 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | CZRA5935 | 1.5 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20.6 v | 27 v | 23オーム | ||||||||||||||
![]() | MB3045S-E3/8W | - | ![]() | 5174 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MB3045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 45 v | 700 mV @ 30 a | 200 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 30a | - |
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