画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CMHZ4679 BK | - | ![]() | 1117 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1514-CMHZ4679BK | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 2 v | ||||||||||||||
![]() | jantx1n4107ur-1 | 8.0850 | ![]() | 7048 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4107 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.9 v | 13 v | 200オーム | |||||||||||
![]() | SZBZX84C51LT3 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SZBZX84 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | |||||||||||
![]() | S2J-AQ-CT | 0.4570 | ![]() | 6406 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | ストリップ | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S2J | 標準 | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-S2J-AQ-CT | 8541.10.0000 | 15 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 2 a | 1.5 µs | 5 µA @ 600 v | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||||
![]() | BZX84-C11/LF1VL | - | ![]() | 9893 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C11 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934069417235 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||||||
![]() | MM5Z6V2T5G | 0.2300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.45% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MM5Z6 | 500 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n4957us/tr | 9.7650 | ![]() | 7032 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jantx1n4957us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 25 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 2オーム | ||||||||||||||
DSSK70-003B | - | ![]() | 9846 | 0.00000000 | ixys | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-247-3 | DSSK70 | ショットキー | TO-247AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 35a | 125°C (最大) | |||||||||||||
![]() | BZX84C30_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 410 MW | SOT-23 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZX84C30_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | |||||||||||
![]() | MBRB25H35CT-E3/81 | - | ![]() | 3162 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB25 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 640 mV @ 15 a | 100 µA @ 35 V | -65°C〜175°C | ||||||||||
![]() | SBR8050R | 138.6150 | ![]() | 8347 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | ショットキー | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 740 mV @ 80 a | -65°C〜175°C | 80a | - | |||||||||||||
![]() | RB451FT106 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RB451 | ショットキー | UMD3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 550 mV @ 100 Ma | 30 µA @ 10 V | 125°C (最大) | 100mA | 6PF @ 10V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZX85C7V5-TR | 0.0475 | ![]() | 3402 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C7V5 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1 µA @ 4.5 v | 7.5 v | 3オーム | ||||||||||||
![]() | BZS55B18 RXG | - | ![]() | 7677 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 13 V | 18 v | 50オーム | |||||||||||
![]() | 1N5932P/TR12 | 1.8600 | ![]() | 2970 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5932 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム | |||||||||||
BZX84C20-E3-08 | 0.2300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C20 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | |||||||||||||
![]() | BZD27C200P-M-08 | - | ![]() | 3292 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C200 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 150 V | 200 v | 500オーム | |||||||||||
![]() | S50410TS | 158.8200 | ![]() | 7102 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S50410TS | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5253B-AU_R1_000A1 | 0.0270 | ![]() | 8169 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5253 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | ||||||||||||
![]() | 1N3261R | - | ![]() | 4089 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 1N3261 | 標準、逆極性 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 12 ma @ 100 v | -65°C〜175°C | 160a | - | ||||||||||||
![]() | MMSZ5233C-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 6591 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5233 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 3.5 v | 6 v | 7オーム | ||||||||||||
jantx1n4100-1 | 6.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4100 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | SK84LHE3-TP | 0.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SK84 | ショットキー | smc(do-214ab) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 650 mv @ 8 a | 100 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 8a | 400pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SSC53L-M3/9AT | 0.2891 | ![]() | 6746 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SSC53 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 30 V | 450 mv @ 5 a | 700 µA @ 30 V | -65°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | SDUR860 | 0.7200 | ![]() | 963 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | -1765-SDUR860 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 50 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | - | - | |||||||||
![]() | M3Z43VC | 0.0294 | ![]() | 5552 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | M3Z43 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-M3Z43VCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 Na @ 32 v | 43 v | 90オーム | ||||||||||||
![]() | PZU3.9BA-QX | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | ||||||||||||
![]() | ES1JE-TP | - | ![]() | 4232 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES1J | 標準 | do-214ac(smae) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.35 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -50°C〜150°C | 1a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZT52C22SQ | 0.0270 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZT52C22SQTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | TZX22C-TAP | 0.0287 | ![]() | 5682 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX22 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 17 V | 22 v | 65オーム |
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