画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1SS119-21TE-E | 0.1000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | bav23ca | 0.1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | bav23 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 200 v | 225MA | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 200 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SR20100H | 0.6996 | ![]() | 1207 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SR20100 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-SR20100H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 900 mV @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | 1N5809URS/TR | 34.3200 | ![]() | 7656 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | B、sq-melf | - | 100 | 高速回復= <500ns | 100 V | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | UF1002_T0_00001 | 0.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | UF1002 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-UF1002_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 10 a | 50 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 10a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||
![]() | curc305-hf | 0.2175 | ![]() | 5673 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | curc305 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-CURC305-HFTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 3 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | 150°C | 3a | - | |||||||||
![]() | MBR1060CTS | 0.2720 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR106 | ショットキー | TO-220AB | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MBR1060CTSTR | ear99 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 10a | 750 mv @ 5 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | S4G R7 | - | ![]() | 6304 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S4GR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.15 V @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 4a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | CD5194 | 5.2269 | ![]() | 6652 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5194 | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 80 v | 1 V @ 100 MA | 25 Na @ 80 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | |||||||||||
![]() | MSRTA200120D | 142.3575 | ![]() | 5712 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | MSRTA200 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1242-MSRTA200120D | ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 200a | 1.1 V @ 200 a | 10 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | 1N1193ra | 2.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準、逆極性 | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N1193ra | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1.2 V @ 30 a | -65°C〜200°C | 12a | - | ||||||||||||
![]() | ES3CH | - | ![]() | 8708 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-es3chtr | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | HS2DA | 0.2600 | ![]() | 8919 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | jantx1n6315dus/tr | 55.7550 | ![]() | 6359 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantx1n6315dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N1186R | 2.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N1186R | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.19 V @ 90 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜200°C | 40a | - | ||||||||||
![]() | VS-80-5049 | - | ![]() | 6781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 80-5049 | - | 112-VS-80-5049 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S4250 | 102.2400 | ![]() | 4934 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準 | do-205aa | - | 影響を受けていない | 150-S4250 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 500 V | 1.2 V @ 200 a | 50 µA @ 500 V | -65°C〜200°C | 125a | - | ||||||||||||
![]() | STR60100CB_R2_00001 | 2.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | STR60100 | ショットキー | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 30a | 830 mV @ 30 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | mur110shr5g | - | ![]() | 4583 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | MUR110 | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 100 V | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 1a | - | |||||||||
![]() | SMBT1580LT3 | 0.0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS1H9-E3/61T | 0.3900 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS1H9 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 90 v | 770 mV @ 1 a | 1 µA @ 90 V | 175°C (最大) | 1a | - | ||||||||||
![]() | SB140 | - | ![]() | 8923 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SB14 | ショットキー | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -60°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SFAF2008GH | - | ![]() | 10000 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SFAF2008GH | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 20a | 150pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | mur520f | 0.3340 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MUR520FTR | ear99 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 5 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 5a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | PZU6.8B2,115 | - | ![]() | 9523 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU6.8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | V10PL63HM3/h | 0.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ(CT) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V10PL63 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 530 mV @ 10 a | 250 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 10a | 2100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | v8pm45-m3/i | 0.2393 | ![]() | 3928 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V8PM45 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 45 v | 600 mV @ 8 a | 200 µA @ 45 V | -40°C〜175°C | 8a | 1450pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1SMA5945BT3G | 0.4800 | ![]() | 596 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA5945 | 1.5 w | SMA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 51.7 v | 68 v | 120オーム | |||||||||||
1N5251B | 2.0700 | ![]() | 6487 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5251 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N5251BMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | ||||||||||||
![]() | MMSZ5223et1g | - | ![]() | 2451 | 0.00000000 | onsemi | MMSZ52XXXT1G | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ522 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム |
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