画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBJ5342A/TR13 | 1.6350 | ![]() | 3339 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5342 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 4.9 v | 6.8 v | 1オーム | |||||||||||||
1N5280/tr | 3.3000 | ![]() | 9068 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5280/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 286 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 137 v | |||||||||||||||||||||
VS-400U120D | 62.9900 | ![]() | 5527 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 400U120 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.62 V @ 1500 a | 15 mA @ 1200 v | -40°C〜200°C | 400a | - | |||||||||||||
![]() | SMB3EZ6.8D5-TP | - | ![]() | 8977 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMB3EZ6.8 | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 353-SMB3EZ6.8D5-TPTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 6.8 v | 2オーム | ||||||||||||||
![]() | GDZ4V3B-G3-08 | 0.0445 | ![]() | 7676 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | GDZ-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ4v3 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 100オーム | ||||||||||||||
SS115L MTG | - | ![]() | 8682 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS115 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 900 mV @ 1 a | 50 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | SR5200L-BP | 0.2273 | ![]() | 3177 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR5200 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | 353-SR5200L-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 800 mV @ 5 a | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||
![]() | MBR30200CT-BP | 0.5422 | ![]() | 4724 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR30200 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 353-MBR30200CT-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 30a | 990 mV @ 30 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | MBD4448HAQW REG | - | ![]() | 7836 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | 標準 | SOT-363 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-MBD4448HAQWREGTR | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 2ペア共通アノード | 57 v | 250ma | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 100 Na @ 70 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VS-61CTQ040-N3 | - | ![]() | 8827 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 61CTQ040 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-61CTQ040-N3GI | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 30a | 570 mV @ 30 a | 1 MA @ 40 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | udzwte-1711b | - | ![]() | 5727 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | UMD2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | S40A4 | 70.0350 | ![]() | 2981 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 40 a | 3 µs | - | 40a | - | ||||||||||||||
![]() | fepb16gthe3_a/i | 1.3171 | ![]() | 5091 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 8a | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VS-25FR80M | 11.4300 | ![]() | 6898 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 25FR80 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 78 a | -65°C〜175°C | 25a | - | |||||||||||||
![]() | MBR8200F_T0_00001 | 0.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | MBR8200 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MBR8200F_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 8 a | 50 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 8a | - | |||||||||||
![]() | SBR30A40CT-G-23 | - | ![]() | 2359 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | SBR® | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-3 | スーパーバリア | TO-220-3 | - | 31-SBR30A40CT-G-23 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 30a | 500 mV @ 15 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||
GSIB640N-M3/45 | 1.5423 | ![]() | 3629 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | GSIB640 | 標準 | GSIB-5S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 950 mv @ 3 a | 10 µA @ 400 V | 6 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||
![]() | MBRTA60020L | - | ![]() | 8282 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3つの塔 | ショットキー | 3つの塔 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 20 v | 300a | 580 mV @ 300 a | 3 ma @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | MMBZ5249B_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 1927年年 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5249 | 410 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5938bur-1/tr | 3.3915 | ![]() | 3363 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1.25 w | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5938bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27.4 v | 36 v | 38オーム | ||||||||||||||
rs1jlhmqg | - | ![]() | 8103 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1J | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 800 Ma | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MBRS20200CT-Y | 0.6690 | ![]() | 6027 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS20200 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS20200CT-YTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 990 mV @ 10 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | APTDC20H601G | - | ![]() | 7752 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP1 | シリコンカーバイドショットキー | SP1 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 20 a | 400 µA @ 600 V | 20 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||
![]() | 1N4757A | 0.1400 | ![]() | 474 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±0.5% | -65°C〜20°C | 穴を通して | 軸 | 1 W | 軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2368-1N4757A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 38.8 v | 51 v | 95オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N1199AR | 75.5700 | ![]() | 7996 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N1199 | 標準、逆極性 | DO-4 (DO-203AA) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N1199ARMS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.2 V @ 30 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 12a | - | ||||||||||||
![]() | SBA0840CS_R1_00001 | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | SBA0840 | ショットキー | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-SBA0840CS_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 700 mV @ 800 Ma | 50 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 800mA | - | |||||||||||
![]() | BAS40-HF | 0.0460 | ![]() | 7539 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | BAS40-XX-HF | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS40 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-BAS40-HFTR | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 Na @ 30 V | 125°C | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | rurg8080 | 3.1000 | ![]() | 703 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 雪崩 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.9 V @ 80 a | 200 ns | 500 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 80a | - | ||||||||||||
![]() | SC3BH15FF | - | ![]() | 3711 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | -55°C〜150°C | QC端子 | 4Rectangle | SC3BH15 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 970 mV @ 5 a | 30 µA @ 150 V | 4 a | 3フェーズ | 150 v | ||||||||||||||
![]() | VS-E5TH2112S2LHM3 | 3.0200 | ![]() | 850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT®G5 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 2.66 V @ 20 a | 125 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 20a | - |
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