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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
uf804f_t0_00001	0.7000	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	UF804	標準		ITO-220AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-UF804F_T0_00001	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns			400 V	1.3 V @ 8 a	50 ns	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	8a	-
1N4744G	0.0627	RFQ	6181	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4744		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-1N474444GTR	ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 11.4 v						15 V	14オーム
GBPC25005W	2.5335	RFQ	5871	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4平方、GBPC-W	GBPC25005	標準		GBPC-W	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		gbpc25005wgs	ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 7.5 a		5 µA @ 50 V		25 a		単相	50 v
TB4S-G	-	RFQ	2622	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼		標準		TBS	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500					950 mV @ 400 Ma		10 µA @ 400 V		800 Ma		単相	400 V
DF10SA-E3/77	0.6400	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF10	標準		DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500					1.1 V @ 1 a		5 µA @ 1000 v		1 a		単相	1 kV
UD6KB05-BP	0.2151	RFQ	4465	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip	ud6k	標準		D3K	ダウンロード				353-UD6KB05-BP	ear99	8541.10.0080	1					1 V @ 3 a		10 µA @ 50 V		6 a		単相	50 v
CBRHD-10 TR13 PBFREE	0.6300	RFQ	11	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	CBRHD-10	標準		4-HDディップ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000					1 V @ 400 Ma		5 µA @ 1000 v		500 Ma		単相	1 kV
jan1n5521bur-1/tr	12.9542	RFQ	4080	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5521bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1.5 v						4.3 v	18オーム
DF1502S-E3/77	0.7700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF1502	標準		DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500					1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 200 V		1.5 a		単相	200 v
1N2598	44.1600	RFQ	3905	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2598	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns			50 v	1.2 V @ 30 a		10 µA @ 50 V	-65°C〜200°C	22a	-
GBJ2508A	0.9600	RFQ	6839	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-ESIP 、KBJ		標準		6kbj	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99		750					1 V @ 12.5 a		5 µA @ 800 V		25 a		単相	800 V
PZU4.3B2A 、115	0.2300	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	PZU4.3		320 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 100 MA		3 µA @ 1 V						4.3 v	90オーム
KVX2153-150B	-	RFQ	5922	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-		死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-KVX2153-150BTR	ear99	8541.10.0080	1										-	-	-			-
byv30w-600pt2q	1.0905	RFQ	7638	ウィーン半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	byv30	標準		TO-247-2	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	600	高速回復= <500ns			600 V	1.55 V @ 30 a	75 ns	10 µA @ 600 V	175°C	30a	-
GBPC2506W-BP	2.0988	RFQ	7520	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4平方、GBPC-W	GBPC2506	標準		GBPC-W	ダウンロード				353-GBPC2506W-BP	ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 12.5 a		5 µA @ 600 v		25 a		単相	600 V
DF15005S-E3/45	0.3298	RFQ	6334	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF15005	標準		DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000					1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 1000 v		1.5 a		単相	50 v
NZ8F4V7MX2WT5G	0.0486	RFQ	9290	onsemi	NZ8F	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント、濡れ可能な側面	2-xdfn			250 MW	2-x2dfnw（ 1x0.6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	488-NZ8F4V7MX2WT5GTR	ear99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 1 V						4.7 v	100オーム
GBJ6D	0.6645	RFQ	1569	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbj	GBJ6	標準		GBJ	ダウンロード	ROHS3準拠			1242-GBJ6D	ear99	8541.10.0080	200					1.05 V @ 3 a		5 µA @ 200 V		6 a		単相	200 v
ABZT52C39-HF	0.0690	RFQ	6277	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.13％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123	ABZT52		500 MW	SOD-123	-	ROHS準拠			641-ABZT52C39-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 27.3 v						39 v	130オーム
GBPC3504W	2.6700	RFQ	5959	うねり	-	バッグ	アクティブ		-65°C〜150°C	穴を通して	4平方、GBPC-W		標準		GBPC-W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2616-GBPC3504W	3A001	8541.10.0080	1					1.1 V @ 17.5 a		5 µA @ 400 V		35 a		単相	400 V
DF1502S-E3/45	0.3298	RFQ	5193	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF1502	標準		DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000					1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 200 V		1.5 a		単相	200 v
MMSZ5240B-G3-08	0.0409	RFQ	6056	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5240		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							3 µA @ 8 V						10 v	17オーム
BAR6405E6327HTSA1	0.3600	RFQ	4739	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）		TO-236-3	bar6405			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma	250 MW							0.35pf @ 20V、1MHz	ピン-1ペア共通カソード	150V			1.35OHM @ 100MA 、100MHz
GBU6M-E3/45	2.2100	RFQ	8705	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU6	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800					1 V @ 6 a		5 µA @ 1000 v		3.8 a		単相	1 kV
MSD100-16	-	RFQ	1096	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	M3		標準		M3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1					1.9 V @ 300 a		300 µA @ 1600 V		100 a		3フェーズ	1.6 kV
jan1n6637dus/tr	-	RFQ	8379	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	e-melf	ダウンロード				150-jan1n6637dus/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		5 µA @ 1 V						5.1 v	1.5オーム
KBL410	0.5500	RFQ	2080	Rectron USA	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip 、kbl		標準		KBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2516-KBL410	ear99	8541.10.0080	4,600					1.1 V @ 4 a		10 µA @ 1000 v		4 a		単相	1 kV
BR50504W-G	-	RFQ	9671	comchipテクノロジー	-	トレイ	廃止		-	穴を通して	4 平方、BR-W		標準		BR-W	-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 25 a		10 µA @ 400 V		50 a		単相	400 V
M3P75A-60	-	RFQ	6517	遺伝的半導体	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	5-SMDモジュール		標準		5-SMD	-		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	24							10 µA @ 600 V		75 a		3フェーズ	600 V
GBLA10-E3/45	0.6630	RFQ	7533	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	GBLA10	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000					1 V @ 4 a		5 µA @ 1000 v		3 a		単相	1 kV

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²