画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BLP9H10S-350AY | 46.4500 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 105 v | 表面マウント | OMP-780-4F-1 | blp9 | 600MHz〜960MHz | ldmos | OMP-780-4F-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 5A991G | 8541.29.0075 | 100 | デュアル、共通のソース | 1.4µA | 400 Ma | 350W | 18.6db | - | 48 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | rjk03b7dpa-ws#J53 | 0.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 541 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTQ36P15P | 7.5500 | ![]() | 9984 | 0.00000000 | ixys | Polarp™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | IXTQ36 | モスフェット(金属酸化物) | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | pチャネル | 150 v | 36a(tc) | 10V | 110mohm @ 18a 、10V | 4.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3100 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | AOT8N50L | - | ![]() | 2123 | 0.00000000 | アルファ&オメガ半導体Inc. | - | バルク | 前回購入します | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | AOT8 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | - | 影響を受けていない | 785-AOT8N50L | 1 | nチャネル | 500 V | 9a(tc) | 10V | 850mohm @ 4a 、10V | 4.5V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1042 PF @ 25 V | - | 192W | |||||||||||||||||||||||
![]() | AO3400A_101 | - | ![]() | 8276 | 0.00000000 | アルファ&オメガ半導体Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | AO34 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 5.7a(ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPLK70R2K0P7ATMA1 | 1.0500 | ![]() | 5942 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™p7 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 表面マウント | 8-powertdfn | IPLK70 | モスフェット(金属酸化物) | PG-TDSON-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 700 V | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSM060N03PQ33 | 0.6306 | ![]() | 5227 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | TSM060 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (3.1x3.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM060N03PQ33TR | ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | nチャネル | 30 V | 15a(タタ62a(tc) | 4.5V 、10V | 6mohm @ 15a 、10V | 2.5V @ 250µA | 25.4 NC @ 10 V | ±20V | 1342 PF @ 15 V | - | 2.3W | ||||||||||||||||||||
![]() | FQPF32N12V2 | - | ![]() | 4422 | 0.00000000 | onsemi | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | FQPF3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 120 v | 32a | 10V | 50mohm @ 16a 、10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±30V | 1860 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | upa2780gr-e1-a | 1.4800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MSC080SMA120J | 28.8000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | MSC080 | sicfet (炭化シリコン) | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 691-MSC080SMA120J | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1200 v | 37a(tc) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | std6nm60n | - | ![]() | 3679 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH™II | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | std6n | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 4.6a(tc) | 10V | 920mohm @ 2.3a 、10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±25V | 420 pf @ 50 V | - | 45W | ||||||||||||||||||||
![]() | MIO600-65E11 | - | ![]() | 3468 | 0.00000000 | ixys | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | E11 | ミオ | 標準 | E11 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングルスイッチ | npt | 6500 v | 600 a | 4.2V @ 15V 、600A | 120 Ma | いいえ | 150 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AON7416 | - | ![]() | 8538 | 0.00000000 | アルファ&オメガ半導体Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | AON741 | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn-ep(3x3) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 14a(タタ)、40a(tc) | 4.5V 、10V | 8.5mohm @ 20a 、10V | 1.7V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±12V | 1900 PF @ 15 V | - | 3.1W | |||||||||||||||||||||
DMC2038LVT-7 | 0.4200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | DMC2038 | モスフェット(金属酸化物) | 800mw | TSOT-26 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 20V | 3.7a 、2.6a | 35mohm @ 4a 、4.5V | 1V @ 250µA | 17NC @ 10V | 530pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFD9113 | 0.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRFD9113 | モスフェット(金属酸化物) | 4-dip 、hexdip 、hvmdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | pチャネル | 60 V | 600ma(ta) | 1.6OHM @ 300MA 、10V | - | 15 NC @ 15 V | 250 PF @ 25 V | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | IMZA65R072M1HXKSA1 | 12.9500 | ![]() | 264 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-4 | IMZA65 | sicfet (炭化シリコン) | PG-to247-4-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 28a(tc) | 18V | 94mohm @ 13.3a、18V | 5.7V @ 4MA | 22 NC @ 18 V | +23V、-5V | 744 PF @ 400 v | - | 96W | ||||||||||||||||||||
![]() | upa2742gr-e1-at | 1.0200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATP114-TL-H | - | ![]() | 5926 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | atpak | ATP114 | モスフェット(金属酸化物) | atpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 55a(ta) | 4V 、10V | 16mohm @ 28a 、10v | - | 92 NC @ 10 V | ±20V | 4000 pf @ 20 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BUK626R2-40C 、118 | - | ![]() | 8478 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 90a | 10V | 6.2mohm @ 15a 、10V | 2.8V @ 1MA | 67 NC @ 10 V | ±16V | 3720 PF @ 25 V | - | 128W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDME910PZT | - | ![]() | 8741 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-powerufdfn | FDME910 | モスフェット(金属酸化物) | マイクロフェット1.6x1.6薄い | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 20 v | 8a(ta) | 1.8V 、4.5V | 24mohm @ 8a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 v | ±8V | 2110 pf @ 10 v | - | 2.1W | ||||||||||||||||||||
![]() | DMP2006UFGQ-7 | 0.3819 | ![]() | 8536 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | DMP2006 | モスフェット(金属酸化物) | PowerDi3333-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | pチャネル | 20 v | 17.5a | 1.5V 、4.5V | 5.5mohm @ 15a 、4.5V | 1V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | ±10V | 7500 PF @ 10 V | - | 2.3w | ||||||||||||||||||||
![]() | stfi9n60m2 | - | ![]() | 7103 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH™IIプラス | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-251-3 | STFI9 | モスフェット(金属酸化物) | i2pakfp(to-281) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 5.5a(tc) | 10V | 780mohm @ 3a 、10V | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±25V | 320 PF @ 100 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BSM35GD120DLCE324BOSA1 | 147.3320 | ![]() | 8226 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜125°C | シャーシマウント | モジュール | BSM35G | 280 W | 標準 | モジュール | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | フルブリッジ | - | 1200 v | 70 a | 2.6V @ 15V、35a | 80 µA | いいえ | 2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R150CFDXKSA2 | 4.6900 | ![]() | 6540 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™cfd2 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IPP65R150 | モスフェット(金属酸化物) | PGから220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 650 V | 22.4a | 10V | 150mohm @ 9.3a 、10V | 4.5V @ 900µA | 86 NC @ 10 V | ±20V | 2340 PF @ 100 V | - | 195.3W | ||||||||||||||||||||
![]() | PJA3415_R1_00001 | 0.3700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PJA3415 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 4a(ta) | 1.8V 、4.5V | 57mohm @ 4a 、4.5V | 1.2V @ 250µA | 18 NC @ 4.5 v | ±12V | 756 PF @ 10 V | - | 1.25W | ||||||||||||||||||||
![]() | sish410dn-t1-ge3 | 1.0800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8SH | Sish410 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8SH | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 22a(ta )、 35a | 4.5V 、10V | 4.8mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 1600 pf @ 10 v | - | 3.8w | |||||||||||||||||||||
![]() | IRF6797MTRPBF | 1.2500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 国際整流器 | hexfet® | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | directfet™mx | モスフェット(金属酸化物) | DirectFet™MX | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 25 v | 36a(タタ210a(tc) | 4.5V 、10V | 1.4mohm @ 38a 、10V | 2.35V @ 150µA | 68 NC @ 4.5 v | ±20V | 5790 PF @ 13 V | - | 2.8W (TA )、89W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6VS25LR5 | 76.8700 | ![]() | 7077 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 133 v | シャーシマウント | NI-360 | Mrfe6 | 512MHz | ldmos | NI-360 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 10 Ma | 25W | 25.9db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FMS7G20US60 | - | ![]() | 6702 | 0.00000000 | onsemi | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | 25 pm-aa | FMS7 | 89 W | 三相ブリッジ整流器 | 25 pm-aa | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | ブレーキ付きの3相インバーター | - | 600 V | 20 a | 2.7V @ 15V 、20a | 250 µA | はい | 1.277 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84 RFG | 0.4000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 150ma(ta) | 4.5V 、10V | 8ohm @ 150ma 、10V | 2V @ 250µA | 1.9 NC @ 10 V | ±20V | 37 PF @ 30 V | - | 357MW |
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