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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C
SQJ401EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ401EP-T2_GE3 0.9356
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 Vishay Siliconix 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント PowerPak®SO-8 SQJ401 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®SO-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 742-SQJ401EP-T2_GE3TR ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 32a 2.5V 、4.5V 6mohm @ 15a 、4.5v 1.5V @ 250µA 164 NC @ 4.5 v ±8V 10015 PF @ 6 V - 83W
SQJ460AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ460AEP-T2_GE3 0.5433
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 Vishay Siliconix 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント PowerPak®SO-8 SQJ460 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®SO-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 742-SQJ460AEP-T2_GE3TR ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 58a 4.5V 、10V 8.7mohm @ 10.7a 、10V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 2654 PF @ 30 V - 68W （TC）
NVBG020N120SC1 onsemi NVBG020N120SC1 55.8500
RFQ
 ECAD 3527 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 NVBG020 sicfet （炭化シリコン） D2PAK-7 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 488-NVBG020N120SC1TR ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 1200 v 8.6a 20V 28mohm @ 60a 、20V 4.3V @ 20MA 220 NC @ 20 V +25V、-15V 2943 PF @ 800 V - 3.7W （TA ）、468W（TC）
SIGC14T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC14T60NCX7SA1 -
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 死ぬ SIGC14 標準 死ぬ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 1 300V、15a 、18ohm15V npt 600 V 15 a 45 a 2.5V @ 15V 、15a - 21ns/110ns
IGC06T60TEX7SA2 Infineon Technologies IGC06T60TEX7SA2 -
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ - - - IGC06 - - - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 0000.00.0000 1 - - - - -
FDMS86152 Fairchild Semiconductor FDMS86152 2.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ear99 8542.39.0001 114 nチャネル 100 V 14a（ta ）、45a（tc） 6V 、10V 6mohm @ 14a 、10v 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 3370 PF @ 50 V - 2.7W
2SJ559-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SJ559-T1-A 0.1500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 モスフェット（金属酸化物） SC-75-3 、USM ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 pチャネル 30 V 100ma（ta） 13OHM @ 10MA 、10V 1.7V @ 10µA 5000 pf @ 3 v -
IKW50N60TA Infineon Technologies IKW50N60TA -
RFQ
 ECAD 7410 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop™ バルク アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 標準 333 w PG-to247-3-41 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V、50A 、7OHM15V 143 ns トレンチフィールドストップ 600 V 80 a 150 a 2V @ 15V、50a 1.2MJ 310 NC 26ns/299ns
FDB16AN08A0 Fairchild Semiconductor FDB16AN08A0 1.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ear99 8542.39.0001 239 nチャネル 75 v 9a（タタ）、 58a（tc） 6V 、10V 16mohm @ 58a 、10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 1857 PF @ 25 V - 135W
BUK9615-100E,118 NXP USA Inc. BUK9615-100E 、118 -
RFQ
 ECAD 6859 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 66a（tc） 5V、10V 14mohm @ 15a 、10V 2.1V @ 1MA 60 NC @ 5 V ±10V 6813 PF @ 25 V - 182W
IRFB3207ZPBF International Rectifier IRFB3207ZPBF -
RFQ
 ECAD 1010 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 75 v 120a（tc） 10V 4.1mohm @ 75a 、10V 4V @ 150µA 170 NC @ 10 V ±20V 6920 PF @ 50 V - 300W （TC）
FDME910PZT Fairchild Semiconductor FDME910PZT 1.0000
RFQ
 ECAD 3527 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-powerufdfn モスフェット（金属酸化物） マイクロフェット1.6x1.6薄い ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 pチャネル 20 v 8a（ta） 1.8V 、4.5V 24mohm @ 8a 、4.5V 1.5V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ±8V 2110 pf @ 10 v - 2.1W
IRFS7730PBF International Rectifier IRFS7730PBF -
RFQ
 ECAD 4097 0.00000000 国際整流器 hexfet®、 strongirfet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d²pak（ to-263ab） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 75 v 195a（tc） 6V 、10V 2.6mohm @ 100a 、10V 3.7V @ 250µA 407 NC @ 10 V ±20V 13660 PF @ 25 V - 375W
FQP16N25C-F105 onsemi FQP16N25C-F105 -
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - 0000.00.0000 1
FDS4470 Fairchild Semiconductor FDS4470 0.9100
RFQ
 ECAD 194 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ear99 8541.29.0095 329 nチャネル 40 v 12.5a（ta） 10V 9mohm @ 12.5a 、10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 V +30V、 -20V 2659 PF @ 20 V - 2.5W
FDMA1025P Fairchild Semiconductor FDMA1025p 0.2900
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-vdfn露出パッド FDMA1025 モスフェット（金属酸化物） 700mw 6- マイクロフェット（2x2） ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 3.1a 155mohm @ 3.1a 、4.5V 1.5V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V 450pf @ 10V ロジックレベルゲート
IRFS4620PBF International Rectifier IRFS4620PBF 1.0000
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 24a（tc） 10V 77.5mohm @ 15a 、10V 5V @ 100µA 38 NC @ 10 V ±20V 1710 pf @ 50 v - 144W
IRFR1N60APBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR1N60APBF-BE3 1.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 IRFR1 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード 1 （無制限） 742-IRFR1N60APBF-BE3 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 1.4a（tc） 7OHM @ 840MA 、10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 229 PF @ 25 V - 36W （TC）
STW68N65DM6-4AG STMicroelectronics STW68N65DM6-4AG 12.3100
RFQ
 ECAD 9273 0.00000000 stmicroelectronics Automotive、AEC-Q101 、MDMESH™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-4 STW68 モスフェット（金属酸化物） TO-247-4 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 497-STW68N65DM6-4AG ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 72a（tc） 39mohm @ 36a 、10V 4.75V @ 250µA 118 NC @ 10 V ±25V 5900 PF @ 100 V - 480W
NVMYS6D2N06CLTWG onsemi nvmys6d2n06cltwg 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SOT-1023、4-LFPAK nvmys6 モスフェット（金属酸化物） lfpak4 （5x6） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 17a（タタ71a（tc） 6.1mohm @ 35a 、10V 2V @ 53µA 20 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 25 V - 3.6W （TA ）、61W（TC）
IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies IPP80P03PL04AKSA2 3.1200
RFQ
 ECAD 5576 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q101 チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IPP80p03 モスフェット（金属酸化物） PG-to220-3-1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 30 V 80a（tc） 4.4mohm @ 80a 、10V 2V @ 253µA 160 NC @ 10 V +5V、 -16V 11300 PF @ 25 V - 137W
SIHB24N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB24N80AE-GE3 3.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 SIHB24 モスフェット（金属酸化物） d²pak（ to-263） ダウンロード 1 （無制限） 742-SIHB24N80AE-GE3 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 21a（tc） 184mohm @ 10a 、10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 V ±30V 1836 PF @ 100 V - 208W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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