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トランジスタ（100539）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce 抵抗-RDS （オン） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FGH20N60SFDTU onsemi FGH20N60SFDTU 3.8000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 onsemi - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 FGH20 標準 165 W TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 2266-FGH20N60SFDTU ear99 8541.29.0095 30 400V 、20a 、10ohm15V 34 ns フィールドストップ 600 V 40 a 60 a 2.8V @ 15V 、20A 370µj（on 160µj （オフ） 65 NC 13ns/90ns
SQ4410EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4410EY-T1_GE3 1.5200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SQ4410 モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a（tc） 4.5V 、10V 12mohm @ 10a 、10V 2.5V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 2385 PF @ 25 V - 5W （TC）
DIW085N06 Diotec Semiconductor DIW085N06 4.5997
RFQ
 ECAD 5286 0.00000000 diotec半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-247-3L ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 未定義のベンダー 2796-DIW085N06 8541.29.0000 450 nチャネル 85a 240W
KSA1013OTA onsemi KSA1013OTA -
RFQ
 ECAD 2657 0.00000000 onsemi - カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 KSA1013 900 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 160 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 200MA 、5V 50MHz
STGW45HF60WDI STMicroelectronics STGW45HF60WDI -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 STGW45 標準 250 W To-247 Long Leads ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 497-10402-5 ear99 8541.29.0095 30 400V 、30A 、4.7OHM、15V 90 ns - 600 V 70 a 150 a 2.5V @ 15V 、30a 330µj （オフ） 160 NC - /145ns
SI6963DQ Fairchild Semiconductor SI6963DQ 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） SI6963 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 3.8a（ta） 43mohm @ 3.8a 、4.5V 1.5V @ 250µA 16NC @ 4.5V 1015pf @ 10V -
PN4392_D75Z onsemi PN4392_D75Z -
RFQ
 ECAD 9766 0.00000000 onsemi - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 PN439 625 MW to-92-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 14pf @ 20V 30 V 25 ma @ 20 v 2 V @ 1 Na 60オーム
IPW65R15OCFDAFKSA1 Infineon Technologies IPW65R15OCFDAFKSA1 -
RFQ
 ECAD 5270 0.00000000 Infineon Technologies * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1
PN2222TA Fairchild Semiconductor PN2222TA -
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 30 V 600 Ma 10na （icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10mv 300MHz
DMTH10H032LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H032LFVWQ-13 0.2533
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント、濡れ可能な側面 8-POWERVDFN dmth10 モスフェット（金属酸化物） PowerDi3333-8 - 31-DMTH10H032LFVWQ-13 ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 26a（tc） 4.5V 、10V 30mohm @ 10a 、10V 2.5V @ 250µA 11.9 NC @ 10 V ±20V 683 PF @ 50 V - 1.7W
IKD10N60RAATMA2 Infineon Technologies IKD10N60RAATMA2 -
RFQ
 ECAD 3514 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜175°C 表面マウント to-252-3 IKD10N 標準 150 W PG-to252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 400V 、10A 、23OHM15V 62 ns 溝 600 V 20 a 30 a 2.1V @ 15V 、10a - 64 NC 14ns/192ns
TSM042N03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS 0.8059
RFQ
 ECAD 8384 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TSM042 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-TSM042N03CSTR ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 30a（tc） 4.5V 、10V 4.2mohm @ 12a 、10V 2.5V @ 250µA 24 NC @ 4.5 v ±20V 2200 PF @ 25 V - 7W （TC）
STP30NM60N STMicroelectronics STP30NM60N -
RFQ
 ECAD 5593 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH™II チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 STP30N モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 25a（tc） 10V 130mohm @ 12.5a 、10V 4V @ 250µA 91 NC @ 10 V ±30V 2700 PF @ 50 V - 190W
STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics stgb10nc60kdt4 1.6300
RFQ
 ECAD 6371 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 STGB10 標準 65 W d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 390V 、5a 、10ohm、15V 22 ns - 600 V 20 a 30 a 2.5V @ 15V 、5a 55µj（85µj（オフ） 19 NC 17ns/72ns
STB6NK90ZT4 STMicroelectronics stb6nk90zt4 3.2000
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 stmicroelectronics SuperMesh™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 STB6 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 900 V 5.8a（tc） 10V 2OHM @ 2.9A 、10V 4.5V @ 100µA 60.5 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 140W
SI4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4430BDY-T1-E3 1.8500
RFQ
 ECAD 889 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SI4430 モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 14a（ta） 4.5V 、10V 4.5mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 36 NC @ 4.5 v ±20V - 1.6W
FQA19N20C onsemi FQA19N20C -
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 onsemi QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 FQA1 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 200 v 21.8a 10V 170mohm @ 10.9a 、10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±30V 1080 PF @ 25 V - 180W
RJK2508DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc rjk2508dpk-00＃T0 -
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック RJK2508 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 250 v 50a（ta） 10V 64mohm @ 25a 、10V - 60 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 150W
FDB9409-F085 onsemi FDB9409-F085 -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 onsemi Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 FDB9409 モスフェット（金属酸化物） d²pak（ to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 40 v 80a（tc） 10V 3.5mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 2980 PF @ 25 V - 94W
BCP5516H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP5516H6327XTSA1 0.2968
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 前回購入します 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA BCP55 2 W PG-SOT223-4-10 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 100 @ 150ma 、2V 100MHz
WAS300M12BM2 Wolfspeed, Inc. was300m12bm2 966.1940
RFQ
 ECAD 4524 0.00000000 wolfspeed - バルク 新しいデザインではありません 150°C （TJ） シャーシマウント モジュール 300でした モジュール - 1697-WAS300M12BM2 1 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 1200V 423a 1025NC @ 20V 炭化シリコン（原文）
FS400R07A1E3S7BOMA1 Infineon Technologies FS400R07A1E3S7BOMA1 360.8100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies HybridPack™ トレイ アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール FS400R07 1250 w 三相ブリッジ整流器 Ag-Hybrid1-1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 16 フルブリッジインバーター トレンチフィールドストップ 705 v 500 a 1.7V @ 15V 、400A 100 µA はい 28 nf @ 25 v
AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302 0.1900
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 anbon半導体（int'l limited - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 3a（ta） 2.5V 、4.5V 55mohm @ 3a 、4.5V 1.25V @ 250µA 3.81 NC @ 4.5 v ±10V 220 PF @ 10 V - 700MW
MMDFS3P303R2 onsemi MMDFS3P303R2 0.1800
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500
LP8M3FP8TB1 Rohm Semiconductor LP8M3FP8TB1 -
RFQ
 ECAD 6873 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 廃止 LP8M3 - - ROHS3準拠 1 （無制限） 846-LP8M3FP8TB1TR 廃止 2,500 -
FGA30N65SMD Fairchild Semiconductor FGA30N65SMD 2.1100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 FGA30N65 標準 300 W to-3pn ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 400V、30A、6OHM、15V 35 ns フィールドストップ 650 V 60 a 90 a 2.5V @ 15V 、30a 716µj（オン208µj（オフ） 87 NC 14ns/102ns
SIGC25T60SNCX1SA2 Infineon Technologies SIGC25T60SNCX1SA2 -
RFQ
 ECAD 6401 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 死ぬ SIGC25 標準 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 1 400V、30A 、11OHM15V npt 600 V 30 a 90 a 2.5V @ 15V 、30a - 44ns/324ns
BSO303PHXUMA1 Infineon Technologies BSO303PHXUMA1 -
RFQ
 ECAD 4185 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） BSO303 モスフェット（金属酸化物） 2W PG-DSO-8 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 30V 7a 21mohm @ 8.2a 、10V 2V @ 100µA 49NC @ 10V 2678pf @ 25V ロジックレベルゲート
SS8050DTA Fairchild Semiconductor SS8050DTA 0.0600
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード 0000.00.0000 5,124 25 v 1.5 a 100na（icbo） npn 500mv @ 80ma 、800ma 160 @ 100MA、1V 100MHz
BC487 onsemi BC487 0.0600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.21.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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