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トランジスタ（100539）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce 抵抗-RDS （オン） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
NTMS4802NR2G onsemi NTMS4802NR2G -
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） NTMS4802 モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,500 nチャネル 30 V 11.1a（ta） 4.5V 、10V 4mohm @ 18a 、10V 2.5V @ 250µA 36 NC @ 4.5 v ±20V 5300 PF @ 25 V - 910MW
NVMFS6H852NWFT1G onsemi NVMFS6H852NWFT1G 1.2300
RFQ
 ECAD 7965 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn NVMFS6 モスフェット（金属酸化物） 5-dfn ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 80 v 10a（タタ）、40a（tc） 10V 14.2mohm @ 10a 、10v 4V @ 45µA 13 NC @ 10 V ±20V 760 PF @ 40 V - 3.6W
IRF6218PBF International Rectifier IRF6218PBF -
RFQ
 ECAD 8651 0.00000000 国際整流器 hexfet® チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 50 pチャネル 150 v 27a（tc） 10V 150mohm @ 16a 、10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 2210 pf @ 25 v - 250W
SUD50P10-43L-E3 Vishay Siliconix sud50p10-43l-e3 2.6500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 sud50 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 100 V 37.1a 4.5V 、10V 43mohm @ 9.2a 、10V 3V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 50 V - 8.3W
DTA124XMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA124XMFHAT2L 0.0668
RFQ
 ECAD 1035 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 表面マウント SOT-723 DTA124 150 MW VMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
IRFR24N15DPBF International Rectifier IRFR24N15DPBF -
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 150 v 24a（tc） 10V 95mohm @ 14a 、10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 25 V - 140W
AUIRLS3036 International Rectifier Auirls3036 -
RFQ
 ECAD 1491 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） PG-to263-3 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 195a（tc） 4.5V 、10V 2.4mohm @ 165a 、10V 2.5V @ 250µA 140 NC @ 4.5 v ±16V 11210 PF @ 50 V - 380W
FDB5800 onsemi FDB5800 2.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onsemi PowerTrench® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 FDB580 モスフェット（金属酸化物） d²pak（ to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 14a（タタ）、 80a（tc） 4.5V 、10V 6mohm @ 80a 、10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 V ±20V 6625 PF @ 15 V - 242W （TC）
AUIRFS3006-7P-IR International Rectifier auirfs3006-7p-ir 3.7500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 60 V 240a 10V 2.1mohm @ 168a 、10V 4V @ 250µA 300 NC @ 10 V ±20V 8850 PF @ 50 V - 375W
IRGP4063D1-EPBF International Rectifier IRGP4063D1-EPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 国際整流器 - バルク アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 IRGP4063D 標準 330 W TO-247AD ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 400V 、48A 、10OHM15V 80 ns - 600 V 100 a 192 a 2.14V @ 15V 、48a 1.4MJ 150 NC 60ns/160ns
STD2NK70Z-1 STMicroelectronics STD2NK70Z-1 -
RFQ
 ECAD 8571 0.00000000 stmicroelectronics SuperMesh™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 std2n モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 700 V 1.6a（tc） 10V 7OHM @ 800MA 、10V 4.5V @ 50µA 11.4 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 v - 45W
2SD1682T onsemi 2SD1682T 0.1500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1
FQI5N80TU Fairchild Semiconductor FQI5N80TU 0.8000
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 800 V 4.8a（tc） 10V 2.6OHM @ 2.4A 、10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1250 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、 140W （TC）
NTNS3CS68NZT5G onsemi NTNS3CS68NZT5G 0.1200
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-NTNS3CS68NZT5G-488 1
FD800R17KE3B2NOSA1-IR International Rectifier FD800R17KE3B2NOSA1-IR -
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 国際整流器 * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1
2PA1774SMB,315 NXP USA Inc. 2PA1774SMB 、315 0.0600
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 250 MW DFN1006-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 40 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 200mV @ 5MA 、50mA 270 @ 1MA 、6V 100MHz
SUM10250E-GE3 Vishay Siliconix SUM10250E-GE3 2.8900
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 Sum10250 モスフェット（金属酸化物） TO-263 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 250 v 63.5a 7.5V 、10V 31mohm @ 30a 、10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 V ±20V 3002 PF @ 125 v - 375W
FDP3652 Fairchild Semiconductor FDP3652 1.0000
RFQ
 ECAD 6194 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 1 nチャネル 100 V 9a（タタ61a（tc） 6V 、10V 16mohm @ 61a 、10v 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 2880 PF @ 25 V - 150W
NXH160T120L2Q2F2S1G onsemi NXH160T120L2Q2F2S1G 114.2122
RFQ
 ECAD 6764 0.00000000 onsemi - トレイ アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 500 W 標準 56-PIM/Q2PACK （93x47 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 488-NXH160T120L2Q2F2S1G ear99 8541.29.0095 12 3つのレベルインバーター - 1200 v 181 a 2.7V @ 15V 、160a 500 µA はい 38.8 nf @ 25 v
APT94N60L2C3G Microchip Technology APT94N60L2C3G 26.7200
RFQ
 ECAD 6476 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-264-3、TO-264AA APT94N60 モスフェット（金属酸化物） 264 MAX™[L2] ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 94a（tc） 10V 35mohm @ 60a 、10V 3.9V @ 5.4ma 640 NC @ 10 V ±20V 13600 PF @ 25 V - 833W （TC）
FDU8876 Fairchild Semiconductor FDU8876 0.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 30 V 15a（タタ）、 73a（tc） 4.5V 、10V 8.2mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 47 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 15 V - 70W
SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRB40DP-T1-GE3 1.4000
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント PowerPak®SO-8デュアル SIRB40 モスフェット（金属酸化物） 46.2w PowerPak®SO-8デュアル ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 40V 40a（tc） 3.25mohm @ 10a 、10V 2.4V @ 250µA 45NC @ 4.5V 4290pf @ 20V -
FGH20N60SFDTU onsemi FGH20N60SFDTU 3.8000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 onsemi - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 FGH20 標準 165 W TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 2266-FGH20N60SFDTU ear99 8541.29.0095 30 400V 、20a 、10ohm15V 34 ns フィールドストップ 600 V 40 a 60 a 2.8V @ 15V 、20A 370µj（on 160µj （オフ） 65 NC 13ns/90ns
SQ4410EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4410EY-T1_GE3 1.5200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SQ4410 モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a（tc） 4.5V 、10V 12mohm @ 10a 、10V 2.5V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±20V 2385 PF @ 25 V - 5W （TC）
DIW085N06 Diotec Semiconductor DIW085N06 4.5997
RFQ
 ECAD 5286 0.00000000 diotec半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-247-3L ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 未定義のベンダー 2796-DIW085N06 8541.29.0000 450 nチャネル 85a 240W
KSA1013OTA onsemi KSA1013OTA -
RFQ
 ECAD 2657 0.00000000 onsemi - カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 KSA1013 900 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 160 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 200MA 、5V 50MHz
STGW45HF60WDI STMicroelectronics STGW45HF60WDI -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 STGW45 標準 250 W To-247 Long Leads ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 497-10402-5 ear99 8541.29.0095 30 400V 、30A 、4.7OHM、15V 90 ns - 600 V 70 a 150 a 2.5V @ 15V 、30a 330µj （オフ） 160 NC - /145ns
SI6963DQ Fairchild Semiconductor SI6963DQ 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） SI6963 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 2 P-Channel （デュアル） 20V 3.8a（ta） 43mohm @ 3.8a 、4.5V 1.5V @ 250µA 16NC @ 4.5V 1015pf @ 10V -
PN4392_D75Z onsemi PN4392_D75Z -
RFQ
 ECAD 9766 0.00000000 onsemi - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 PN439 625 MW to-92-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 14pf @ 20V 30 V 25 ma @ 20 v 2 V @ 1 Na 60オーム
IPW65R15OCFDAFKSA1 Infineon Technologies IPW65R15OCFDAFKSA1 -
RFQ
 ECAD 5270 0.00000000 Infineon Technologies * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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