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トランジスタ（102018）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
IPB024N08NF2SATMA1	3.1100	RFQ	779	Infineon Technologies	Strongirfet™2	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB024N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800		nチャネル					80 v	107a（tc）	6V 、10V	2.4mohm @ 100a 、10V	3.8V @ 85µA	133 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 40 V	-	150W
FF11MR12W1M1C11BPSA1	-	RFQ	9433	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止					FF11MR12		-				-					廃止		1															-
MMRF1012NR1	-	RFQ	5258	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	120 v		表面マウント	TO-270-2	MMRF1	220MHz	ldmos			TO-270-2	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	500			-	30 Ma	10W	23.9db											-					50 v
BSC0906NSE8189ATMA1	-	RFQ	7728	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-34	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル					30 V	18a（タタ63a（tc）	4.5V 、10V	4.5mohm @ 30a 、10V	2V @ 250µA	18 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 15 V	-	2.5w
C3M0040120J1	24.5600	RFQ	1	wolfspeed	C3M™	チューブ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-263-8			sicfet （炭化シリコン）			TO-263-7	ダウンロード		3 （168 時間）			ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					1200 v	64a（tc）	15V	53.5mohm @ 33.3a、15V	3.6V @ 9.2MA	94 NC @ 15 V	+15V、-4V	2900 PF @ 1000 V	-	272W
FDD6690S	0.6300	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-252	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	3,000		nチャネル					30 V	40a（ta）	10V	16mohm @ 10a 、10v	3V @ 1MA	24 NC @ 10 V	±20V	2010 PF @ 15 V	-	1.3W
MMSF1310R2	0.2000	RFQ	7	onsemi	*	バルク	アクティブ											ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	2,500
SIR5211DP-T1-GE3	0.9300	RFQ	8048	Vishay Siliconix	trenchfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	PowerPak®SO-8			モスフェット（金属酸化物）			PowerPak®SO-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	3,000		pチャネル					20 v	31.2a（ta ）、 105a（tc）	2.5V 、10V	3.2mohm @ 10a 、10V	1.5V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±12V	6700 PF @ 10 V	-	5W （TA ）、56.8W（TC）
DMT6030LFCL-7	0.1417	RFQ	6392	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-powerufdfn			モスフェット（金属酸化物）			u-dfn1616-6	ダウンロード			影響を受けていない	31-DMT6030LFCL-7TR	ear99	8541.29.0095	3,000		nチャネル					60 V	6.5a（ta）	4.5V 、10V	25mohm @ 6.5a 、10V	2.5V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	639 PF @ 30 V	-	780MW
STH250N55F3-6	5.5100	RFQ	980	stmicroelectronics	Stripfet™III	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7	STH250		モスフェット（金属酸化物）			h²pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル					55 v	180a（tc）	10V	2.6mohm @ 60a 、10V	4V @ 250µA	100 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	300W （TC）
STB80PF55T4	-	RFQ	7629	stmicroelectronics	Stripfet™II	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	STB80P		モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		pチャネル					55 v	80a（tc）	10V	18mohm @ 40a 、10V	4V @ 250µA	258 NC @ 10 V	±16V	5500 PF @ 25 V	-	300W （TC）
SSM3J16FU	0.3700	RFQ	9188	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323			モスフェット（金属酸化物）			USM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.21.0095	3,000		pチャネル					20 v	100ma（ta）	1.5V 、4V	8OHM @ 10MA 、4V	1.1V @ 100µA		±10V	11 pf @ 3 v	-	150MW
ATF-541M4-TR2	-	RFQ	9545	Broadcom Limited	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	5 v			0505 （1412 メトリック）	ATF-541M4	2GHz	フェットフェット			ミニパック1412	-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	10,000			120ma	60 Ma	21.4dbm	17.5dB											0.5dB					3 v
IPA65R600E6	-	RFQ	8800	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-111	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					650 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 2.1a 、10V	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	28W （TC）
NVMFS4C05NT3G	1.7100	RFQ	8703	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	NVMFS4		モスフェット（金属酸化物）			5-dfn	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル					30 V	24.7a	4.5V 、10V	3.4mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 PF @ 15 V	-	3.61W （TA ）、79W（TC）
PH3830DLX	-	RFQ	2248	Nexperia USA Inc.	*	テープ＆リール（ tr）	廃止											-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		1,500
NVD3055-150T4G-VF01	0.8000	RFQ	6223	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	NVD3055		モスフェット（金属酸化物）			dpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500		nチャネル					60 V	9a（ta）	10V	150mohm @ 4.5a 、10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 25 v	-	1.5W （TA ）、28.8W （TJ
FS6R06VE3B2BOMA1	-	RFQ	8156	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止		-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FS6R06			40.5 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	40	フルブリッジ																	-	600 V	11 a	2V @ 15V、6a		1 Ma	はい	330 PF @ 25 V
PSMN8R040PS127	-	RFQ	9657	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1		nチャネル					40 v	77a（ta）		7.6mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	21 NC @ 10 V	±20V	1262 PF @ 12 v	-	86W
FQI13N06LTU	0.7200	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			i2pak（to-262）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					60 V	13.6a	5V、10V	110mohm @ 6.8a 、10V	2.5V @ 250µA	6.4 NC @ 5 V	±20V	350 PF @ 25 V	-	3.75W （TA ）、45W（TC）
upa2752gr	-	RFQ	4550	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止											-	ROHS3準拠	未定義のベンダー			廃止	0000.00.0000	3,000								-
NVTYS010N04CTWG	0.5844	RFQ	4208	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	SOT-205、8-LFPAK56			モスフェット（金属酸化物）			8-lfpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	488-NVTYS010N04CTWGTR	ear99	8541.29.0095	3,000		nチャネル					40 v	12a（ta ）、 38a（tc）	10V	12mohm @ 10a 、10V	3.5V @ 20µA	7 NC @ 10 V	±20V	492 PF @ 25 V	-	3.1W
BS170	-	RFQ	9226	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			穴を通して	to-226-3			モスフェット（金属酸化物）			to-92	ダウンロード						0000.00.0000	1		nチャネル					60 V	300ma（ta）		5OHM @ 200MA 、10V	3V @ 1MA			60 pf @ 10 v	-
NTMFS5H610NLT1G	1.5900	RFQ	843	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	NTMFS5		モスフェット（金属酸化物）			5-dfn	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500		nチャネル					60 V	12a（タタ）44a（tc）	4.5V 、10V	10mohm @ 8a、10V	2V @ 40µA	13.7 NC @ 10 V	±20V	880 PF @ 30 V	-	3W （TA ）、43W（TC）
MRF5S21100HSR3	54.8800	RFQ	334	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		シャーシマウント	NI-780S		2.11GHz〜2.17GHz	ldmos			NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	0000.00.0000	250			10µA	1.05 a	23W	13.5dB											-					28 v
IRLS4030TRLPBF	4.3400	RFQ	6	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRLS4030		モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800		nチャネル					100 V	180a（tc）	4.5V 、10V	4.3mohm @ 110a 、10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 v	±16V	11360 PF @ 50 V	-	370W （TC）
IPU80R1K2P7AKMA1	0.6448	RFQ	7236	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3	IPU80R1		モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500		nチャネル					800 V	4.5a	10V	1.2OHM @ 1.7A 、10V	3.5V @ 80µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 500 v	-	37W （TC）
BLF6G20-75,112	-	RFQ	6363	Ampleon USA Inc.	-	トレイ	廃止	65 v		シャーシマウント	SOT-502A	BLF6G20	1.93GHz1.99GHz	ldmos			SOT502A	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	20			18a	550 Ma	29.5W	19db											-					28 v
SSF6909	0.3900	RFQ	5	グッドアーク半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）			SOT-223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0080	3,000		pチャネル					60 V	3.2a（ta）	4.5V 、10V	105mohm @ 3a、10V	-	15 NC @ 10 V	±20V	1300 PF @ 30 V	-	2W （TA）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²