SIC
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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） テスト条件 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
DMC62D0SVQ-7 Diodes Incorporated DMC62D0SVQ-7 -
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -55°C〜150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 DMC62 モスフェット（金属酸化物） 510MW SOT-563 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネルの相補的 60V 、50V 571MA 1.7ohm @ 500ma 2.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 、0.3NC @ 4.5V 30pf @ 25V 、26pf @ 25V -
IPL65R130CFD7AUMA1 Infineon Technologies IPL65R130CFD7AUMA1 5.5200
RFQ
 ECAD 3481 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント 4-PowertSfn モスフェット（金属酸化物） PG-VSON-4 ダウンロード ROHS3準拠 2a （4 週間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 650 V 21a（tc） 10V 130mohm @ 8.5a 、10V 4.5V @ 420µA 36 NC @ 10 V ±20V 1694 PF @ 400 v - 127W
IQE046N08LM5ATMA1 Infineon Technologies IQE046N08LM5ATMA1 2.8700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™5 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn IQE046 モスフェット（金属酸化物） PG-TSON-8-5 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 15.6a 4.5V 、10V 4.6mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 47µA 38 NC @ 10 V ±20V 3250 PF @ 40 V - 2.5W （TA ）、100W（TC）
UNR32ANG0L Panasonic Electronic Components UNR32ANG0L -
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-723 UNR32 100 MW SSSMINI3-F2 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 300µa 、10ma 80 @ 5MA 、10V 150 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L 、LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK90S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 90a（ta） 4.5V 、10V 3.3mohm @ 45a 、10V 2.5V @ 500µA 81 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 10 V - 157W
IRFR12N25DPBF Infineon Technologies IRFR12N25DPBF -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない *IRFR12N25DPBF ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 250 v 14a（tc） 10V 260mohm @ 8.4a 、10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 810 pf @ 25 V - 144W
FJN3304RBU onsemi fjn3304rbu -
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 FJN330 300 MW to-92-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
IRF4905PBF Infineon Technologies IRF4905PBF 2.8100
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IRF4905 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 55 v 74a（tc） 10V 20mohm @ 38a 、10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 25 V - 200W （TC）
G75P04D5I Goford Semiconductor G75P04D5I 0.3673
RFQ
 ECAD 2339 0.00000000 Goford Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-dfn （4.9x5.75） - ROHS準拠 影響を受けていない 3141-G75P04D5ITR ear99 8541.29.0000 5,000 pチャネル 40 v 70a 4.5V 、10V 6.5mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6414 PF @ 20 V - 150W
MMBT2907A-7-F-79 Diodes Incorporated MMBT2907A-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 5992 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS準拠 1 （無制限） 31-MMBT2907A-7-F-79TR 廃止 3,000
QS5Y1TR Rohm Semiconductor QS5Y1TR 0.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-5薄い、TSOT-23-5 QS5Y1 1.25W TSMT5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 3,000 30V 3a 1µa（icbo） npn、pnp （エミッタ結合） 400mv @ 50ma、1a 200 @ 500MA 、2V 300MHz 、270MHz
STM1683411 Analog Devices Inc. STM1683411 1.0000
RFQ
 ECAD 1951年年 0.00000000 Analog Devices Inc. * バルク アクティブ STM16834 - - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
DMTH43M8LFG-7 Diodes Incorporated DMTH43M8LFG-7 0.9500
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-POWERVDFN DMTH43 モスフェット（金属酸化物） PowerDi3333-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 24a（タタ）、 100a（tc） 5V、10V 3mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 250µA 40.1 NC @ 10 V ±20V 2798 PF @ 20 V - 2.62W
UF3C065040K4S Qorvo UF3C065040K4S 13.8200
RFQ
 ECAD 5167 0.00000000 Qorvo - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 UF3C065040 TO-247-4 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 2312-UF3C065040K4S ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 54a（tc） 12V 52mohm @ 40a、 12v 6V @ 10MA 43 NC @ 12 v ±25V 1500 PF @ 100 V - 326W （TC）
AONS32306 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS32306 0.3420
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 アルファ＆オメガ半導体Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERSMD 、フラットリード aons323 モスフェット（金属酸化物） 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 785-AONS32306TR ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 36a（tc） 4.5V 、10V 3.6mohm @ 20a 、10v 2.1V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 4080 PF @ 15 V - 6.2W
FS450R12OE4B81BPSA1 Infineon Technologies FS450R12OE4B81BPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 8228 0.00000000 Infineon Technologies econopack™+ トレイ アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール FS450R12 20 MW 標準 ag-econopp ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 4 三相インバーター トレンチフィールドストップ 1200 v 450 a 2.1V @ 15V 、450A 3 Ma はい 27.9 nf @ 25 v
UJ3C065030K3S Qorvo UJ3C065030K3S 19.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Qorvo - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 UJ3C065030 TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 2312-UJ3C0650K3S ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 85a（tc） 12V 35mohm @ 50a、12V 6V @ 10MA 51 NC @ 15 V ±25V 1500 PF @ 100 V - 441W
MS2562 Microsemi Corporation MS2562 -
RFQ
 ECAD 2848 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク 廃止 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1
SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies SPB08P06PGATMA1 -
RFQ
 ECAD 2848 0.00000000 Infineon Technologies SIPMOS® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 SPB08P モスフェット（金属酸化物） PG-to263-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 pチャネル 60 V 8.8a（ta） 10V 300mohm @ 6.2a 、10V 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 420 PF @ 25 V - 42W
TK1K0A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K0A60F、S4x 1.1100
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK1K0A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 7.5a（ta） 10V 1OHM @ 3.8A 、10V 4V @ 770µA 24 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 40W （TC）
G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K 10.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ - 穴を通して TO-247-4 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-G3R60MT07K ear99 8541.29.0095 30 - 750 V - - - - +20V、 -10V - -
NVB5860NLT4G onsemi NVB5860NLT4G -
RFQ
 ECAD 1875年 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 NVB586 モスフェット（金属酸化物） d²pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 220a 4.5V 、10V 3mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 220 NC @ 10 V ±20V 13216 PF @ 25 V - 283W
NVMFWD016N06CT1G onsemi NVMFWD016N06CT1G 1.2195
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn NVMFWD016 モスフェット（金属酸化物） 3.1W 8-dfn - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 488-NVMFWD016N06CT1GTR ear99 8541.29.0095 1,500 2 nチャンネル（デュアル） 60V 9a（ta ）、 32a 16.3mohm @ 5a、10V 4V @ 25µA 6.9NC @ 10V 489pf @ 30V -
SI5853CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5853CDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 Vishay Siliconix リトルフット® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード SI5853 モスフェット（金属酸化物） 1206-8 Chipfet™ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（tc） 1.8V 、4.5V 104mohm @ 2.5a 、4.5V 1V @ 250µA 11 NC @ 8 V ±8V 350 PF @ 10 V ショットキーダイオード（分離） 1.5W
2SC4883A Sanken 2SC4883A -
RFQ
 ECAD 7061 0.00000000 サンケン - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 20 W TO-220F ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 2SC4883A DK ear99 8541.29.0075 1,000 180 v 2 a 10µa（icbo） npn 1V @ 70MA 、700MA 60 @ 700MA 、10V 120MHz
ZVN3320FTC Diodes Incorporated ZVN3320FTC -
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 200 v 60ma（ta） 10V 25OHM @ 100MA 、10V 3V @ 1MA ±20V 45 PF @ 25 V - 330MW
SCT4036KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT4036KEHRC11 23.1200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247N ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 846-SCT4036KEHRC11 ear99 8541.29.0095 450 nチャネル 1200 v 43a（tc） 18V 47mohm @ 21a、18V 4.8V @ 11.1MA 91 NC @ 18 V +21V、-4V 2335 PF @ 800 V - 176W
ARF466AG Microchip Technology ARF466AG 65.5000
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ 1000 V TO-264-3、TO-264AA ARF466 40.68MHz モスフェット TO-264 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 13a 300W 16dB - 150 v
HGTG30N60C3D Fairchild Semiconductor HGTG30N60C3D 6.9600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-247-3 標準 208 w TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 44 - 60 ns - 600 V 63 a 252 a 1.8V @ 15V 、30a 1.05MJ （オン）、2.5MJ 162 NC -
PDTA115TM,315 NXP USA Inc. PDTA115TM 、315 0.0300
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA11 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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