画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FD1000R17IE4DB2BOSA1 | - | ![]() | 4829 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack™3 | トレイ | 廃止 | -40°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | FD1000 | 6250 w | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2 | シングル | - | 1700 v | 1390 a | 2.45V @ 15V、1000A | 5 Ma | はい | 81 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF5210L | - | ![]() | 5011 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | TO-262 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF5210L | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 100 V | 40a(tc) | 10V | 60mohm @ 24a 、10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 2700 PF @ 25 V | - | 3.8W (TA )、200W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2461-AZ | 2.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ルネサス | - | バルク | 廃止 | 150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | モスフェット(金属酸化物) | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-2SK2461-AZ | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 20a(ta) | 4V 、10V | 80mohm @ 10a 、10V | 2V @ 1MA | 51 NC @ 10 V | ±20V | 1400 PF @ 10 V | - | 2W (TA)、35W(TC | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ntljs1102ptag | - | ![]() | 1800 | 0.00000000 | onsemi | µCool™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | NTLJS11 | モスフェット(金属酸化物) | 6-wdfn (2x2) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 8 v | 3.7a(ta) | 1.2V 、4.5V | 36mohm @ 6.2a 、4.5v | 720MV @ 250µA | 25 NC @ 4.5 v | ±6V | 1585 PF @ 4 V | - | 700MW | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2500DBU | - | ![]() | 4940 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | KSC2500 | 900 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 10 v | 2 a | 100na(icbo) | npn | 500mv @ 50ma 、2a | 420 @ 500MA、1V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
FDB047N10 | 4.0200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | FDB047 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 100 V | 120a(tc) | 10V | 4.7mohm @ 75a 、10V | 4.5V @ 250µA | 210 NC @ 10 V | ±20V | 15265 PF @ 25 V | - | 375W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLA1011-10 | 127.3800 | ![]() | 280 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BLA1011-10-2156 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7453TRPBF | - | ![]() | 5182 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 250 v | 2.2a(ta) | 10V | 230mohm @ 1.3a 、10V | 5.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 930 PF @ 25 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856BDW1T3 | 0.0500 | ![]() | 90 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BC856 | 380MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 65V | 100mA | - | 2 PNP (デュアル) | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PJQ5476AL-AU_R2_000A1 | 0.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | PJQ5476 | モスフェット(金属酸化物) | DFN5060-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 6.5a | 4.5V 、10V | 25mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 1519 PF @ 30 V | - | 2W (TA )、83W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | upa2670t1r-e2-ax | - | ![]() | 6950 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-wfdfn露出パッド | UPA2670 | モスフェット(金属酸化物) | 2.3W | 6-HUSON (2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 3a | 79mohm @ 1.5a 、4.5V | - | 5.1NC @ 4.5V | 473pf @ 10V | ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ | ||||||||||||||||||||||||||||
SI5855DC-T1-E3 | - | ![]() | 2704 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5855 | モスフェット(金属酸化物) | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 2.7a(ta) | 1.8V 、4.5V | 110mohm @ 2.7a 、4.5V | 1V @ 250µA | 7.7 NC @ 4.5 v | ±8V | ショットキーダイオード(分離) | 1.1W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL6342TRPBF | 0.5900 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IRL6342 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 30 V | 9.9a | 2.5V 、4.5V | 14.6mohm @ 9.9a 、4.5V | 1.1V @ 10µA | 11 NC @ 4.5 v | ±12V | 1025 PF @ 25 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO4411 | 0.6300 | ![]() | 162 | 0.00000000 | アルファ&オメガ半導体Inc. | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AO44 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 8a(ta) | 4.5V 、10V | 32mohm @ 8a、10V | 2.4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 760 PF @ 15 V | - | 3.1W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | nvtys008n06cltwg | 0.7187 | ![]() | 4006 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOT-205、8-LFPAK56 | モスフェット(金属酸化物) | 8-lfpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-NVTYS008N06CLTWGTR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 15a(ta )、 63a(tc) | 4.5V 、10V | 8mohm @ 9a 、10V | 2.2V @ 50µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 1230 PF @ 25 V | - | 3.2W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-2304 | - | ![]() | 7624 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRL2203 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 30 V | 116a(tc) | 4.5V 、10V | 7mohm @ 60a 、10V | 1V @ 250µA | 60 NC @ 4.5 v | ±16V | 3290 PF @ 25 V | - | 180W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AON6912ALS | - | ![]() | 8709 | 0.00000000 | アルファ&オメガ半導体Inc. | * | バルク | 廃止 | AON6912 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BCV46,215 | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BCV46 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 500 Ma | 100na(icbo) | pnp-ダーリントン | 1V @ 100µA 、100mA | 10000 @ 100MA 、5V | 220MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
Jan2N4237 | 39.7936 | ![]() | 8124 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/581 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N4237 | 1 W | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1 a | 100na(icbo) | npn | 600MV @ 100MA、1A | 30 @ 250ma、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF600R12IP4DVBOSA1 | 583.4867 | ![]() | 3912 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack™2 | トレイ | 新しいデザインではありません | DF600R12 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S16150HSR3 | 1.0000 | ![]() | 1195 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | - | バルク | 廃止 | 65 v | シャーシマウント | NI-780S | 1.6GHz1.66GHz | ldmos | NI-780S | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.5 a | 32W | 19.7db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa75545S3s | - | ![]() | 9375 | 0.00000000 | onsemi | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | hufa75 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 80 v | 75a(tc) | 10V | 10mohm @ 75a 、10V | 4V @ 250µA | 235 NC @ 20 V | ±20V | 3750 PF @ 25 V | - | 270W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD3055LESM9A | - | ![]() | 3106 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 11a(tc) | 5V | 107mohm @ 8a、5v | 3V @ 250µA | 11.3 NC @ 10 V | ±16V | 350 PF @ 25 V | - | 38W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBC143EDP6T5G | 0.1054 | ![]() | 7963 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-963 | NSBC143 | 339MW | SOT-963 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 npn- バイアス(デュアル) | 250MV @ 1MA 、10ma | 15 @ 5MA 、10V | - | 4.7kohms | 4.7kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
IXTA15N50L2-TRL | 9.7021 | ![]() | 2009年 | 0.00000000 | ixys | 線形L2™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IXTA15 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-IXTA15N50L2-TRLTR | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 500 V | 15a(tc) | 10V | 480mohm @ 7.5a 、10V | 4.5V @ 250µA | 123 NC @ 10 V | ±20V | 4080 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFY8N65X2 | - | ![]() | 5334 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™x2 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | IXFY8N65 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | -1402-IXFY8N65X2 | ear99 | 8541.29.0095 | 70 | nチャネル | 650 V | 8a(tc) | 10V | 450mohm @ 4a 、10V | 5V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 790 PF @ 25 V | - | 150W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM7001VL BK | - | ![]() | 4282 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-883VL | ダウンロード | 1 (無制限) | 1514-CEDM7001VLBK | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 20 v | 100ma(ta) | 1.5V 、4V | 3OHM @ 10MA 、4V | 900MV @ 250µA | 0.566 NC @ 4.5 v | 10V | 9 PF @ 3 V | - | 100MW | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP110N04PUK-E1-AY | 4.8100 | ![]() | 758 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | NP110N04 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 40 v | 110a(tc) | 10V | 1.4mohm @ 55a 、10V | 4V @ 250µA | 297 NC @ 10 V | ±20V | 15750 PF @ 25 V | - | 1.8W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF11N65 | - | ![]() | 6263 | 0.00000000 | onsemi | Superfet™ | チューブ | アクティブ | - | 穴を通して | TO-220-3フルパック | FCPF11 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 650 V | 11a(tc) | 380mohm @ 5.5a 、10V | 5V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | 1490 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBT3904VL | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | MMBT3904 | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 40 v | 200 ma | 50na(icbo) | npn | 300mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 300MHz |
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