SIC
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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） テスト条件 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
IPQC60R010S7XTMA1 Infineon Technologies IPQC60R010S7XTMA1 30.2000
RFQ
 ECAD 2151 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™s7 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 22-Powerbsopモジュール モスフェット（金属酸化物） PG-HDSOP-22 - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 750 nチャネル 600 V 50a（tc） 12V 10mohm @ 50a、12v 4.5V @ 3.08MA 318 NC @ 12 v ±20V - 694W
AUIRLR3636 Infineon Technologies auirlr3636 -
RFQ
 ECAD 8781 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 auirlr3636 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない SP001520390 ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 50a（tc） 4.5V 、10V 6.8mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 100µA 49 NC @ 4.5 v ±16V 3779 PF @ 50 V - 143W
AUIRFBA1405 Infineon Technologies auirfba1405 -
RFQ
 ECAD 1758 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -40°C〜175°C 穴を通して TO-273AA モスフェット（金属酸化物） Super-220™（to-273aa ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない SP001519538 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 95a 10V 5mohm @ 101a 、10v 4V @ 250µA 260 NC @ 10 V ±20V 5480 PF @ 25 V - 330W
IXFB82N60Q3 IXYS IXFB82N60Q3 43.4700
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™Q3クラス チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-264-3、TO-264AA IXFB82 モスフェット（金属酸化物） Plus264™ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 82a（tc） 10V 75mohm @ 41a 、10V 6.5V @ 8MA 275 NC @ 10 V ±30V 13500 PF @ 25 V - 1560W
SQD100N03-3M4_GE3 Vishay Siliconix SQD100N03-3M4_GE3 1.6100
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 Vishay Siliconix 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 SQD100 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 100a（tc） 10V 3.4mohm @ 20a 、10V 3.5V @ 250µA 124 NC @ 10 V ±20V 7349 PF @ 15 V - 136W
MPSA06,412 NXP USA Inc. MPSA06,412 -
RFQ
 ECAD 8155 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 MPSA06 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000 80 v 500 Ma 50na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 100MHz
BC860CWH6327XTSA1 Infineon Technologies BC860CWH6327XTSA1 0.0543
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 前回購入します 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 BC860 250 MW PG-SOT323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 420 @ 2MA 、5V 250MHz
SQA604CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA604CEJW-T1_GE3 0.5300
RFQ
 ECAD 1968年年 0.00000000 Vishay Siliconix 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント、濡れ可能な側面 PowerPak®SC-70-6 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®SC-70W-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 80 v 5.63a 4.5V 、10V 80mohm @ 3a 、10V 2.5V @ 250µA 9.8 NC @ 10 V ±20V 445 PF @ 25 V - 13.6W
BLF6G27-135,112 Ampleon USA Inc. BLF6G27-135,112 -
RFQ
 ECAD 7785 0.00000000 Ampleon USA Inc. - トレイ 廃止 65 v シャーシマウント SOT-502A BLF6G27 - ldmos SOT502A ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 20 34a 1.2 a 20W - - 32 v
BFG590,215 NXP USA Inc. BFG590,215 -
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-253-4、to-253aa BFG59 400MW SOT-143B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 200mA npn 60 @ 70MA 、8V 5GHz -
UF3C120150B7S Qorvo UF3C120150B7S 8.5200
RFQ
 ECAD 786 0.00000000 Qorvo - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 sicfet D2PAK-7 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 1200 v 17a（tc） 12V 180mohm @ 5a、12v 5.5V @ 10MA 25.7 NC @ 12 v ±25V 738 PF @ 100 V - 136W
BC849C-AQ Diotec Semiconductor BC849C-AQ 0.0236
RFQ
 ECAD 7710 0.00000000 diotec半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 2796-BC849C-AQTR 8541.21.0000 3,000 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 300MHz
APTGT75SK120T1G Microsemi Corporation aptgt75s​​ k120t1g -
RFQ
 ECAD 3648 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP1 357 w 標準 SP1 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル トレンチフィールドストップ 1200 v 110 a 2.1V @ 15V 、75a 250 µA はい 5.34 NF @ 25 V
IXYP10N65B3D1 IXYS IXYP10N65B3D1 -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 ixys XPT™、Genx3™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IXYP10 標準 160 W TO-220 - ROHS3準拠 影響を受けていない 238-IXYP10N65B3D1 ear99 8541.29.0095 50 400V 、10A 、50OHM15V 29 ns pt 650 V 32 a 62 a 1.95V @ 15V 、10a 300µj（on200µj（オフ） 20 NC 17ns/125ns
PN3563_D75Z onsemi PN3563_D75Z -
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 onsemi - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 PN356 350MW to-92-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 2,000 14db〜26db 15V 50ma npn 20 @ 8ma 、10V 1.5GHz -
FDD8870-F085 onsemi FDD8870-F085 -
RFQ
 ECAD 3431 0.00000000 onsemi Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 FDD887 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 21a（ta） 4.5V 、10V 3.9mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 118 NC @ 10 V ±20V 5160 PF @ 15 V - 160W
BD680AS onsemi BD680AS -
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 BD680 14 W TO-126-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 80 v 4 a 500µA pnp-ダーリントン 2.8V @ 40ma 、2a 750 @ 2a、3V -
NTE266 NTE Electronics, Inc NTE266 7.6400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-202ロングタブ 1.33 w TO-202 ダウンロード ROHS3準拠 2368-NTE266 ear99 8541.29.0095 1 50 v 500 Ma 500na npn-ダーリントン 1.5V @ 500µA 、500mA 40000 @ 200MA 、5V 75MHz
TIP35A-S Bourns Inc. tip35a-s -
RFQ
 ECAD 7208 0.00000000 Bourns Inc. - チューブ 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して TO-218-3 TIP35 3.5 w SOT-93 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 300 60 V 25 a 1ma npn 4V @ 5a 、25a 10 @ 15a 、4V -
2N7002E,215 Nexperia USA Inc. 2N7002E 、215 -
RFQ
 ECAD 6746 0.00000000 Nexperia USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 2N7002 モスフェット（金属酸化物） TO-236AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 385ma（ta） 4.5V 、10V 3OHM @ 500MA 、10V 2.5V @ 250µA 0.69 NC @ 10 V ±30V 50 pf @ 10 v - 830MW
SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K407TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K407 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 2a（ta） 4V 、10V 300mohm @ 1a 、10V 2V @ 1MA 6 NC @ 10 V ±20V 150 pf @ 10 V - 500MW
NXH80B120MNQ0SNG onsemi NXH80B120MNQ0SNG 88.7800
RFQ
 ECAD 2793 0.00000000 onsemi - トレイ アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント モジュール 69 W 標準 22-PIM/Q0BOOST（55x32.5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 488-NXH80B120MNQ0SNG ear99 8541.29.0095 24 デュアルブーストチョッパー - - はい
TPC8033-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8033-H （TE12LQM） -
RFQ
 ECAD 5341 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8033 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 17a（ta） 5.3mohm @ 8.5a 、10V 2.5V @ 1MA 42 NC @ 10 V 3713 PF @ 10 V - -
FQD17N08LTM onsemi FQD17N08LTM -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 onsemi QFET® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 FQD17N08 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 80 v 12.9a 5V、10V 100mohm @ 6.45a 、10V 2V @ 250µA 11.5 NC @ 5 V ±20V 520 PF @ 25 V - 2.5W （TA）、40W（TC）
IRF7319PBF Infineon Technologies IRF7319PBF -
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ sicで中止されました -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IRF731 モスフェット（金属酸化物） 2W 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 95 nおよびpチャネル 30V - 29mohm @ 5.8a 、10V 1V @ 250µA 33NC @ 10V 650pf @ 25V -
PJQ4606_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ4606_R1_00001 0.3076
RFQ
 ECAD 3787 0.00000000 Panjit International Inc. - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN PJQ4606 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA ）、 18W （TC） DFN3030B-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3757-PJQ4606_R1_00001TR ear99 8541.29.0095 3,000 nおよびpチャネルの相補的 30V 7.6a（タテ23a 19mohm @ 8a 2.5V @ 250µA 4.8NC @ 4.5V 、7.8NC @ 4.5V 429pf @ 25v、846pf @ 15v -
IV1Q12160T4 Inventchip IV1Q12160T4 18.7400
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 InventChip - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 4084-IV1Q12160T4 ear99 30 nチャネル 1200 v 20a（tc） 20V 195mohm @ 10a 、20V 2.9V @ 1.9ma 43 NC @ 20 V +20V、 -5V 885 PF @ 800 v - 138W
DMT35M8LDG-7 Diodes Incorporated DMT35M8LDG-7 0.9800
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 980MW Powerdi3333-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 2,000 2 n チャネル（デュアル）非対称 30V 17a 4.7mohm @ 20a 、10v、5.8mohm @ 18a 、10v 1.9V @ 250µA 22.7NC @ 10V、16.3NC @ 10V 1510pf @ 15v、1032pf @ 15v 標準
MSCSM120AM50CT1AG Microchip Technology MSCSM120AM50CT1AG 89.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント モジュール MSCSM120 炭化シリコン（原文） 245W SP1F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 150-MSCSM120AM50CT1AG ear99 8541.29.0095 1 2 n チャネル（位相レッグ） 1200V（1.2kv） 55a（tc） 50mohm @ 40a 、20V 2.7V @ 1MA 137NC @ 20V 1990pf @ 1000V -
UT6MB5TCR Rohm Semiconductor UT6MB5TCR 0.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-powerudfn UT6M モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） huml2020l8 ダウンロード 1 （無制限） 3,000 - 40V 5a（ta ）、3.5a（tc） 48mohm @ 5a 2.5V @ 1MA - - 標準
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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