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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） テスト条件 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce
PQMD10147 NXP Semiconductors PQMD10147 0.0300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PQMD10 ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-PQMD10147-954 1
IRL520PBF-BE3 Vishay Siliconix IRL520PBF-BE3 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IRL520 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 1 （無制限） 742-IRL520PBF-BE3 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 9.2a 270mohm @ 5.5a 、5v 2V @ 250µA 12 NC @ 5 V ±10V 490 PF @ 25 V - 60W （TC）
PD57006S-E STMicroelectronics PD57006S-E -
RFQ
 ECAD 5460 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 65 v Powerso-10露出ボトムパッド PD57006 945MHz ldmos Powerso-10rf （ストレートリード） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 1a 70 Ma 6W 15dB - 28 v
AFT21S230-12SR3 NXP USA Inc. AFT21S230-12SR3 -
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S AFT21 2.11GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935314934128 5A991G 8541.29.0040 250 - 1.5 a 50W 16.7db - 28 v
STGW40M120DF3 STMicroelectronics STGW40M120DF3 8.2200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 STGW40 標準 468 w TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 600V 、40A 、10OHM15V 355 ns トレンチフィールドストップ 1200 v 80 a 160 a 2.3V @ 15V 、40a 1.5MJ （オン）、2.25MJ 125 NC 35ns/140ns
MWT-5F Microwave Technology Inc. MWT-5F 52.8000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Microwave Technology Inc. - 場合 アクティブ 死ぬ 500MHz〜26GHz Gaas fet チップ ダウンロード 1203-MWT-5F 10 80ma 30 Ma - 19db 3.5dB 6 v
FS400R07A3E3BOMA1 Infineon Technologies FS400R07A3E3BOMA1 526.4700
RFQ
 ECAD 8273 0.00000000 Infineon Technologies * トレイ アクティブ FS400R07 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 16
60189 Microsemi Corporation 60189 -
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク 廃止 - 適用できない 廃止 0000.00.0000 1
BSM10GP120BOSA1 Infineon Technologies BSM10GP120BOSA1 105.4200
RFQ
 ECAD 1877 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 前回購入します -40°C〜125°C シャーシマウント モジュール BSM10G 100 W 三相ブリッジ整流器 モジュール - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 三相インバーター - 1200 v 20 a 2.85V @ 15V 、10a 500 µA はい 600 PF @ 25 V
PMN80XP,115 NXP USA Inc. PMN80XP 、115 -
RFQ
 ECAD 6986 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-74、SOT-457 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 pチャネル 20 v 2.5a（ta） 102mohm @ 2.5a 、4.5V 1V @ 250µA 7.5 NC @ 4.5 v ±12V 550 PF @ 10 V - 385MW
MMDF2P02ER2G onsemi MMDF2P02ER2G -
RFQ
 ECAD 9503 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） MMDF2 モスフェット（金属酸化物） 2W 8-SOIC ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 25V 2.5a 250mohm @ 2a 、10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 475pf @ 16V ロジックレベルゲート
APT4F120S Microchip Technology APT4F120S 4.9000
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 マイクロチップテクノロジー Power Mos 8™ チューブ アクティブ - 表面マウント TO-268-3 APT4F120 モスフェット（金属酸化物） d3pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 150-apt4f120S ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 4a（tc） 10V 4.2OHM @ 2A 、10V 5V @ 500µA 43 NC @ 10 V ±30V 1385 PF @ 25 V - 175W
SI8417DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8417DB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 6508 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 6-MICROFOOT®CSP SI8417 モスフェット（金属酸化物） 6-MICROFOOT™（1.5x1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 14.5a 1.8V 、4.5V 21mohm @ 1a 、4.5v 900MV @ 250µA 57 NC @ 5 V ±8V 2220 pf @ 6 v - 2.9W （TA ）、6.57W
IXFV15N100P IXYS IXFV15N100P -
RFQ
 ECAD 4104 0.00000000 ixys hiperfet™、polarp2™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 、ショートタブ IXFV15 モスフェット（金属酸化物） プラス220 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 1000 V 15a（tc） 10V 760mohm @ 500ma 、10V 6.5V @ 1MA 97 NC @ 10 V ±30V 5140 PF @ 25 V - 543W （TC）
TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W、S1VQ 10.7200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK39J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 38.8a 10V 65mohm @ 19.4a 、10V 3.7V @ 1.9ma 110 NC @ 10 V ±30V 4100 pf @ 300 v - 270W
G50N03J Goford Semiconductor G50N03J 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Goford Semiconductor - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK モスフェット（金属酸化物） TO-251 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 30 V 65a（tc） 4.5V 、10V 7mohm @ 20a 、10v 2.5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 V ±20V 1255 PF @ 15 V - 48W （TC）
AON7902 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7902 -
RFQ
 ECAD 2400 0.00000000 アルファ＆オメガ半導体Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN AON790 モスフェット（金属酸化物） 1.8W 8-dfn-ep（3.3x3.3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） 30V 8a、13a 21mohm @ 8a 、10V 2.3V @ 250µA 11NC @ 10V 710pf @ 15V ロジックレベルゲート
ATF-33143-TR1G Broadcom Limited ATF-33143-TR1G -
RFQ
 ECAD 4539 0.00000000 Broadcom Limited - テープ＆リール（ tr） 廃止 5.5 v SC-82A 、SOT-343 ATF-34143 2GHz フェットフェット SOT-343 - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 305ma 80 Ma 22dbm 15dB 0.5dB 4 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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