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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
BLU6H0410LS-600P,1 Ampleon USA Inc. blu6H0410LS-600P、1 828.1500
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 ECAD 5325 0.00000000 Ampleon USA Inc. - トレイ 新しいデザインではありません 110 v 表面マウント SOT-539B Blu6H0410 860MHz ldmos SOT539B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934066968112 ear99 8541.29.0075 20 デュアル、共通のソース - 1.3 a 250W 21dB - 50 v
BUK753R8-80E,127 Nexperia USA Inc. buk753r8-80e、127 -
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 120a（tc） 10V 4mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 169 NC @ 10 V ±20V 12030 PF @ 25 V - 349W
VWI6-12P1 IXYS VWI6-12P1 -
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 ECAD 2533 0.00000000 ixys - 箱 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント ECO-PAC2 Vwi 40 W 標準 ECO-PAC2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 25 三相インバーター npt 1200 v 6 a 4.6V @ 15V 、4a 100 µA はい 205 pf @ 25 v
AONR20485 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR20485 0.2253
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 ECAD 8803 0.00000000 アルファ＆オメガ半導体Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERVDFN AONR204 モスフェット（金属酸化物） 8-dfn-ep（3x3） ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 785-AONR20485TR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 40 v 14a（ta ）、 34a（tc） 4.5V 、10V 15mohm @ 13a 、10V 2.3V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 2430 pf @ 20 v - 5W （TA ）、69W（TC）
IRF7379 Infineon Technologies IRF7379 -
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 ECAD 2239 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IRF737 モスフェット（金属酸化物） 2.5W 8-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない *IRF7379 ear99 8541.29.0095 95 nおよびpチャネル 30V 5.8a 、4.3a 45mohm @ 5.8a 、10V 1V @ 250µA 25NC @ 10V 520pf @ 25V -
IRFS634BT Fairchild Semiconductor IRFS634BT 0.1800
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 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ IRFS634 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1,803 -
MCH6337-TL-H onsemi MCH6337-TL-H -
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 ECAD 5946 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード MCH63 モスフェット（金属酸化物） 6 MCPH ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.5a（ta） 1.8V 、4.5V 49mohm @ 3a 、4.5V - 7.3 NC @ 4.5 v ±10V 670 PF @ 10 V - 1.5W
SAC2504 SuperApex, LLC SAC2504 10.2100
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 ECAD 49 0.00000000 SuperApex 、LLC - テープ＆ボックス（ TB） アクティブ 表面マウント 死ぬ 40ghz 死ぬ - 4775-SAC2504TB 3 85ma 20 ma - 6db 1.4db 2 v
BSM100GB120DLCKHOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DLCKHOSA1 -
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 ECAD 8279 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -40°C〜125°C シャーシマウント モジュール BSM100 830 W 標準 モジュール - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 ハーフブリッジ - 1200 v 100 a - はい
BLF0910H9LS750PJ Ampleon USA Inc. BLF0910H9LS750PJ 163.8427
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 ECAD 9409 0.00000000 Ampleon USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 108 v 表面マウント SOT-539B BLF0910 915MHz ldmos SOT539B - ROHS3準拠 1603-BLF0910H9LS750PJTR 100 2 nチャンネル（デュアル）共通ソース 2.8µA 250 Ma 750W 21.5dB - 50 v
MRF5P21045NR1 Freescale Semiconductor MRF5P21045NR1 41.5000
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 ECAD 3 0.00000000 フリースケール半導体 - バルク アクティブ 65 v 表面マウント TO-270AB 2.11GHz〜2.17GHz ldmos TO-270 WB-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 500 デュアル 10µA 500 Ma 10W 14.5dB - 28 v
FDMS3006SDC onsemi FDMS3006SDC -
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 ECAD 7134 0.00000000 onsemi Dual Cool™、PowerTrench®、Syncfet™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS30 モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 34a（ta） 4.5V 、10V 1.9mohm @ 30a 、10V 3V @ 1MA 80 NC @ 10 V ±20V 5725 PF @ 15 V - 3.3W （TA ）、89W（TC）
IXTV280N055T IXYS IXTV280N055T -
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 ECAD 4529 0.00000000 ixys trenchmv™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 、ショートタブ IXTV280 モスフェット（金属酸化物） プラス220 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 280a 10V 3.2mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 9800 PF @ 25 V - 550W
FDD6N25TF Fairchild Semiconductor FDD6N25TF -
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 ECAD 4233 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 6 nチャネル 250 v 4.4a（tc） 10V 1.1OHM @ 2.2A 、10V 5V @ 250µA 6 NC @ 10 V ±30V 250 PF @ 25 V - 50W （TC）
TIP107G onsemi TIP107G 1.1300
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 ECAD 16 0.00000000 onsemi - チューブ アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 TIP107 2 W TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 100 V 8 a 50µA pnp-ダーリントン 2.5V @ 80ma 、8a 1000 @ 3a 、4V -
SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7106DN-T1-GE3 1.5600
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 ECAD 922 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント PowerPak®1212-8 SI7106 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®1212-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 12.5a（ta） 2.5V 、4.5V 6.2mohm @ 19.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ±12V - 1.5W
NTLJS1102PTBG onsemi ntljs1102ptbg -
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 onsemi µCool™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド NTLJS11 モスフェット（金属酸化物） 6-wdfn （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 8 v 3.7a（ta） 1.2V 、4.5V 36mohm @ 6.2a 、4.5v 720MV @ 250µA 25 NC @ 4.5 v ±6V 1585 PF @ 4 V - 700MW
PSMN2R6-60PSQ127 NXP USA Inc. PSMN2R6-60PSQ127 -
RFQ
 ECAD 8011 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1 nチャネル 60 V 150a（ta） 2.6mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 140 NC @ 10 V ±20V 7629 PF @ 25 V - 326W
ZXMN2A04DN8TC Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TC -
RFQ
 ECAD 2942 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） ZXMN2 モスフェット（金属酸化物） 1.8W 8-SO ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 20V 5.9a 25mohm @ 5.9a 、4.5V 700MV @ 250µA （最小） 22.1NC @ 5V 1880pf @ 10V ロジックレベルゲート
SIHB17N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB17N80AE-GE3 4.1600
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 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix e チューブ アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 SIHB17 モスフェット（金属酸化物） d²pak（ to-263） - ROHS3準拠 1 （無制限） 742-SIHB17N80AE-GE3 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 15a（tc） 10V 290mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±30V 1260 PF @ 100 V - 179W
IRFU3303PBF Infineon Technologies IRFU3303PBF -
RFQ
 ECAD 3503 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） IPAK（TO-251AA） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 30 V 33a 10V 31mohm @ 18a 、10v 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 750 PF @ 25 V - 57W
JANTXV2N1893S Microchip Technology JANTXV2N1893S 30.2176
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 ECAD 1961年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/182 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 2N1893 3 W to-39 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 80 v 500 Ma 10µa（icbo） npn 5V @ 15MA、150MA 40 @ 150ma 、10V -
2SA1618-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1618-Y （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SA1618 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル）マッチングペア、一般的なエミッター 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SD669A-B-BP Micro Commercial Co 2SD669A-B-BP -
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 ECAD 4360 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-225AA、to-126-3 2SD669 1 W TO-126 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1,000 160 v 1.5 a 10µa（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 60 @ 150ma 、5v 140MHz
FP75R07N2E4B16BOSA1 Infineon Technologies FP75R07N2E4B16BOSA1 -
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 ECAD 2818 0.00000000 Infineon Technologies econopim™2 トレイ sicで中止されました -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール FP75R07 20 MW 三相ブリッジ整流器 ag-econo2b - 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 三相インバーター トレンチフィールドストップ 650 V 95 a 1.95V @ 15V 、75a 1 Ma はい 4.6 nf @ 25 v
FCX1053AQTA Diodes Incorporated FCX1053AQTA 0.2720
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 ECAD 5799 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA FCX1053 500 MW MPT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた 31-FCX1053AQTATR ear99 8541.21.0075 1,000 120 v 1.5 a 1µa（icbo） npn 320MV @ 80MA 、800MA 120 @ 200MA 、5V 280MHz
PSMN017-80PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN017-80PS、127 1.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 PSMN017 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 50a（tc） 10V 17mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA 26 NC @ 10 V ±20V 1573 PF @ 40 V - 103W
MMBTA55-7-F Diodes Incorporated MMBTA55-7-F 0.2200
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 ECAD 92 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBTA55 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 60 V 500 Ma 100na（icbo） PNP 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 50MHz
DMG964H30R Panasonic Electronic Components DMG964H30R -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 表面マウント SOT-563、SOT-666 DMG964 125MW SSMINI6-F3-B - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 250mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、10V / 30 @ 5MA 、10V - 47kohms、1kohms 47kohms 、10kohms
IRFB7530PBF Infineon Technologies IRFB7530PBF 3.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies hexfet®、 strongirfet™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IRFB7530 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 195a（tc） 6V 、10V 2mohm @ 100a 、10V 3.7V @ 250µA 411 NC @ 10 V ±20V 13703 PF @ 25 V - 375W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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