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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） テスト条件 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
MFT20N15T252 Meritek MFT20N15T252 -
RFQ
 ECAD 4074 0.00000000 Meritek - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C モスフェット（金属酸化物） - ROHS準拠 1 （無制限） 2997-MFT20N15T252TR ear99 8532.25.0020 10 nチャネル 200 v 15a（ta） 47 NC @ 160 v 1955 PF @ 25 V
BC848BW Infineon Technologies BC848BW 1.0000
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
JANSP2N3501UB/TR Microchip Technology jansp2n3501ub/tr 94.4906
RFQ
 ECAD 4542 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/366 テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 500 MW ub - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-JANSP2N3501UB/TR ear99 8541.21.0095 1 150 v 300 Ma 10µa（icbo） npn 400MV @ 15MA、150MA 100 @ 150ma 、10V -
ZXMN4A06GTA Diodes Incorporated ZXMN4A06GTA 0.9300
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA ZXMN4A06 モスフェット（金属酸化物） SOT-223-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 40 v 5a（ta） 4.5V 、10V 50mohm @ 4.5a 、10V 1V @ 250µA 18.2 NC @ 10 V ±20V 770 PF @ 40 V - 2W （TA）
BC808-16-TP Micro Commercial Co BC808-16-TP 0.0940
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BC808 300 MW SOT-23 ダウンロード 353-BC808-16-TP ear99 8541.21.0075 1 25 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 170MHz
IRL5602STRR Infineon Technologies IRL5602STRR -
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 pチャネル 20 v 24a（tc） 2.5V 、4.5V 42mohm @ 12a 、4.5V 1V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ±8V 1460 PF @ 15 V - 75W
STGW20IH125DF STMicroelectronics STGW20IH125DF 4.0700
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 STGW20 標準 259 W TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 600V、15A 、10OHM 、15V トレンチフィールドストップ 1250 v 40 a 80 a 2.5V @ 15V 、15a 410µj （オフ） 68 NC - /106ns
DI068P04D1-AQ Diotec Semiconductor DI068P04D1-AQ 1.4954
RFQ
 ECAD 3332 0.00000000 diotec半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント d-pak（to-252aa） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー 2796-DI068P04D1-AQTR 8541.29.0000 2,500 pチャネル 68a 54W
JANSP2N3440UA Microchip Technology JANSP2N3440UA -
RFQ
 ECAD 7512 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/368 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 4-SMD 、リードなし 800 MW ua - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-JANSP2N3440UA ear99 8541.21.0095 1 250 v 1 a 2µA npn 500MV @ 4MA 、50MA 40 @ 20MA 、10V -
APT1201R6BVFRG Microchip Technology APT1201R6BVFRG 18.9800
RFQ
 ECAD 3717 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMosv® チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 APT1201 モスフェット（金属酸化物） to-247 [b] ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 1200 v 8a（tc） 1.6OHM @ 4A 、10V 4V @ 1MA 230 NC @ 10 V 3660 PF @ 25 V -
CPC5608NTR IXYS Integrated Circuits Division CPC5608NTR -
RFQ
 ECAD 6807 0.00000000 Ixys Integrated Circuits Division - テープ＆リール（ tr） 廃止 - - 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CPC5608 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 - -
APT4F120S Microchip Technology APT4F120S 4.9000
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 マイクロチップテクノロジー Power Mos 8™ チューブ アクティブ - 表面マウント TO-268-3 APT4F120 モスフェット（金属酸化物） d3pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 150-apt4f120S ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 4a（tc） 10V 4.2OHM @ 2A 、10V 5V @ 500µA 43 NC @ 10 V ±30V 1385 PF @ 25 V - 175W
NVB5860NLT4G onsemi NVB5860NLT4G -
RFQ
 ECAD 1875年 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 NVB586 モスフェット（金属酸化物） d²pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 220a 4.5V 、10V 3mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 220 NC @ 10 V ±20V 13216 PF @ 25 V - 283W
NVMFWD016N06CT1G onsemi NVMFWD016N06CT1G 1.2195
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn NVMFWD016 モスフェット（金属酸化物） 3.1W 8-dfn - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 488-NVMFWD016N06CT1GTR ear99 8541.29.0095 1,500 2 nチャンネル（デュアル） 60V 9a（ta ）、 32a 16.3mohm @ 5a、10V 4V @ 25µA 6.9NC @ 10V 489pf @ 30V -
SI5853CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5853CDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 Vishay Siliconix リトルフット® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード SI5853 モスフェット（金属酸化物） 1206-8 Chipfet™ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（tc） 1.8V 、4.5V 104mohm @ 2.5a 、4.5V 1V @ 250µA 11 NC @ 8 V ±8V 350 PF @ 10 V ショットキーダイオード（分離） 1.5W
2SC4883A Sanken 2SC4883A -
RFQ
 ECAD 7061 0.00000000 サンケン - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 20 W TO-220F ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 2SC4883A DK ear99 8541.29.0075 1,000 180 v 2 a 10µa（icbo） npn 1V @ 70MA 、700MA 60 @ 700MA 、10V 120MHz
ZVN3320FTC Diodes Incorporated ZVN3320FTC -
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 200 v 60ma（ta） 10V 25OHM @ 100MA 、10V 3V @ 1MA ±20V 45 PF @ 25 V - 330MW
SCT4036KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT4036KEHRC11 23.1200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247N ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 846-SCT4036KEHRC11 ear99 8541.29.0095 450 nチャネル 1200 v 43a（tc） 18V 47mohm @ 21a、18V 4.8V @ 11.1MA 91 NC @ 18 V +21V、-4V 2335 PF @ 800 V - 176W
ARF466AG Microchip Technology ARF466AG 65.5000
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ 1000 V TO-264-3、TO-264AA ARF466 40.68MHz モスフェット TO-264 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 13a 300W 16dB - 150 v
HGTG30N60C3D Fairchild Semiconductor HGTG30N60C3D 6.9600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-247-3 標準 208 w TO-247 ダウンロード ear99 8542.39.0001 44 - 60 ns - 600 V 63 a 252 a 1.8V @ 15V 、30a 1.05MJ （オン）、2.5MJ 162 NC -
PDTA115TM,315 NXP USA Inc. PDTA115TM 、315 0.0300
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA11 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 10,000
IPW60R024CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R024CFD7XKSA1 19.7200
RFQ
 ECAD 4669 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™cfd7 チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 IPW60R024 モスフェット（金属酸化物） PG-to247-3-41 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 77a（tc） 10V 24mohm @ 42.4a 、10V 4.5V @ 2.12MA 183 NC @ 10 V ±20V 7268 PF @ 400 v - 320W
IXTH96N25T IXYS IXTH96N25T 6.1857
RFQ
 ECAD 2981 0.00000000 ixys 溝 チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 IXTH96 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 250 v 96a（tc） 10V 29mohm @ 500ma 、10V 5V @ 1MA 114 NC @ 10 V ±30V 6100 PF @ 25 V - 625W （TC）
DMA961030R Panasonic Electronic Components DMA961030R -
RFQ
 ECAD 6607 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 表面マウント SOT-665 DMA96103 125MW SSMINI5-F4-B ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 250mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、10V - 47kohms 47kohms
AUIRG4BC30S-S International Rectifier auirg4bc30s-s 1.6500
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 国際整流器 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 auirg4 標準 100 W d2pak - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-auirg4bc30s-s ear99 8541.29.0095 1 480v - 600 V 34 a 68 a 1.6V @ 15V 、18a 260µj（on 3.45mj （オフ） 50 NC 22ns/540ns
SIRA00DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA00DP-T1-RE3 0.7903
RFQ
 ECAD 2197 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント PowerPak®SO-8 SIRA00 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®SO-8 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 100a（tc） 4.5V 、10V 1mohm @ 20a 、10v 2.2V @ 250µA 220 NC @ 10 V +20V、 -16V 11700 PF @ 15 V - 104W
SQ3460EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3460EV-T1_GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 SQ3460 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 8a（tc） 1.8V 、4.5V 30mohm @ 5.1a 、4.5V 1V @ 250µA 14 NC @ 4.5 v ±8V 1060 PF @ 10 V - 3.6W （TC）
ART450FEU Ampleon USA Inc. ART450FEU 151.1700
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 Ampleon USA Inc. - トレイ アクティブ ART450 - 60
CM50DY-24H Powerex Inc. CM50DY-24H -
RFQ
 ECAD 9415 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 400 W 標準 モジュール ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2 ハーフブリッジ - 1200 v 50 a 3.4V @ 15V 、50a 1 Ma いいえ 10 nf @ 10 v
BC327-40,112 NXP USA Inc. BC327-40,112 -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 BC32 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 250 @ 100MA、1V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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