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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） テスト条件 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
UNR32ANG0L Panasonic Electronic Components UNR32ANG0L -
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-723 UNR32 100 MW SSSMINI3-F2 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 300µa 、10ma 80 @ 5MA 、10V 150 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L 、LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK90S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 90a（ta） 4.5V 、10V 3.3mohm @ 45a 、10V 2.5V @ 500µA 81 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 10 V - 157W
IRFR12N25DPBF Infineon Technologies IRFR12N25DPBF -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない *IRFR12N25DPBF ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 250 v 14a（tc） 10V 260mohm @ 8.4a 、10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 810 pf @ 25 V - 144W
FJN3304RBU onsemi fjn3304rbu -
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 FJN330 300 MW to-92-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
IRF4905PBF Infineon Technologies IRF4905PBF 2.8100
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IRF4905 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 55 v 74a（tc） 10V 20mohm @ 38a 、10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 25 V - 200W （TC）
G75P04D5I Goford Semiconductor G75P04D5I 0.3673
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 ECAD 2339 0.00000000 Goford Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-dfn （4.9x5.75） - ROHS準拠 影響を受けていない 3141-G75P04D5ITR ear99 8541.29.0000 5,000 pチャネル 40 v 70a 4.5V 、10V 6.5mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6414 PF @ 20 V - 150W
MMBT2907A-7-F-79 Diodes Incorporated MMBT2907A-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 5992 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS準拠 1 （無制限） 31-MMBT2907A-7-F-79TR 廃止 3,000
QS5Y1TR Rohm Semiconductor QS5Y1TR 0.7400
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 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-5薄い、TSOT-23-5 QS5Y1 1.25W TSMT5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 3,000 30V 3a 1µa（icbo） npn、pnp （エミッタ結合） 400mv @ 50ma、1a 200 @ 500MA 、2V 300MHz 、270MHz
STM1683411 Analog Devices Inc. STM1683411 1.0000
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 ECAD 1951年年 0.00000000 Analog Devices Inc. * バルク アクティブ STM16834 - - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
DMTH43M8LFG-7 Diodes Incorporated DMTH43M8LFG-7 0.9500
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 ECAD 4403 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-POWERVDFN DMTH43 モスフェット（金属酸化物） PowerDi3333-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 24a（タタ）、 100a（tc） 5V、10V 3mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 250µA 40.1 NC @ 10 V ±20V 2798 PF @ 20 V - 2.62W
UF3C065040K4S Qorvo UF3C065040K4S 13.8200
RFQ
 ECAD 5167 0.00000000 Qorvo - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 UF3C065040 TO-247-4 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 2312-UF3C065040K4S ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 54a（tc） 12V 52mohm @ 40a、 12v 6V @ 10MA 43 NC @ 12 v ±25V 1500 PF @ 100 V - 326W （TC）
IRGI4062DPBF Infineon Technologies IRGI4062DPBF -
RFQ
 ECAD 1772 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック 標準 48 w TO-220AB FULL-PAK ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 400V 、12A 、10OHM15V 56 ns 溝 600 V 22 a 44 a 1.58V @ 15V 、12a 31µj（on 183µj（オフ） 48 NC 41ns/100ns
IRG4PSH71U Infineon Technologies IRG4PSH71U -
RFQ
 ECAD 7599 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-274AA 標準 350 W Super-247™（To-274AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない *IRG4PSH71U ear99 8541.29.0095 25 960V 、70a - 1200 v 99 a 200 a 2.7V @ 15V 、70a 4.77mj 370 NC 51ns/280ns
ZXMC4559DN8TA Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TA 1.2100
RFQ
 ECAD 3793 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） ZXMC4559 モスフェット（金属酸化物） 1.25W 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 nおよびpチャネル 60V 3.6a 、2.6a 55mohm @ 4.5a 、10V 1V @ 250µA 20.4NC @ 10V 1063pf @ 30V ロジックレベルゲート
IRFP450PBF Vishay IRFP450PBF 2.7000
RFQ
 ECAD 359 0.00000000 vishay - 箱 アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247AC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3845-IRFP450PBF ear99 1 nチャネル 500 V 14a（tc） 10V 400mohm @ 8.4a 、10V 4V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 190W
ISL9V3036P3 onsemi ISL9V3036p3 -
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 onsemi ecospark® チューブ 廃止 -40°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 ISL9 論理 150 W TO-220-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 400 300V、1KOHM - 360 v 21 a 1.6V @ 4V 、6a - 17 NC -/4.8µs
STB55NF03LT4 STMicroelectronics STB55NF03LT4 1.5800
RFQ
 ECAD 487 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet™II テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 STB55N モスフェット（金属酸化物） d²pak - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 30 V 55a（tc） 4.5V 、10V 13mohm @ 27.5a 、10V 1V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ±16V 1265 PF @ 25 V - 80W
NHUMB10X Nexperia USA Inc. nhumb10x 0.3900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 nhumb10 350MW 6-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 80V 100mA 100NA 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 100MV @ 500µA 、10mA 100 @ 10ma 、5v 150MHz 2.2kohms 47kohms
IRFU024PBF Vishay Siliconix IRFU024PBF 1.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 IRFU024 モスフェット（金属酸化物） TO-251AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） *IRFU024PBF ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 60 V 14a（tc） 10V 100mohm @ 8.4a 、10V 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 640 PF @ 25 V - 2.5W （Ta ）、42w（tc）
FF450R33T3E3B5BPSA1 Infineon Technologies FF450R33T3E3B5BPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies XHP™3 トレイ アクティブ -40°C〜150°C シャーシマウント モジュール FF450R33 1000000 w 標準 AG-XHP100-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 8541.29.0095 1 ハーフブリッジインバーター トレンチフィールドストップ 3300 v 450 a 2.75V @ 15V 、450A 5 Ma いいえ 84 nf @ 25 v
MGB15N40CLT4 onsemi MGB15N40CLT4 -
RFQ
 ECAD 1090 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 MGB15 論理 150 W d²pak ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 300V 、6.5a、1kohm - 440 v 15 a 50 a 2.9V @ 4V 、25a - - /4µs
RGW00TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW00TS65GC11 6.0700
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 Rohm Semiconductor - チューブ 新しいデザインではありません -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 RGW00 標準 254 W TO-247N ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 400V、50a 、10ohm15V トレンチフィールドストップ 650 V 96 a 200 a 1.9V @ 15V 、50a 1.18mj 141 NC 52ns/180ns
FQI32N12V2TU Fairchild Semiconductor FQI32N12V2TU 0.5100
RFQ
 ECAD 592 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 592 nチャネル 120 v 32a 10V 50mohm @ 16a 、10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±30V 1860 PF @ 25 V - 3.75W
PUMH2/DG/B3,115 Nexperia USA Inc. PUMH2/DG/B3,115 -
RFQ
 ECAD 8147 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 PUMH2 300MW 6-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934066964115 ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 1µA 2 npn- バイアス（デュアル） 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V 230MHz 47kohms 47kohms
PQMD10147 NXP Semiconductors PQMD10147 0.0300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PQMD10 ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-PQMD10147-954 1
IRL520PBF-BE3 Vishay Siliconix IRL520PBF-BE3 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IRL520 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 1 （無制限） 742-IRL520PBF-BE3 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 9.2a 270mohm @ 5.5a 、5v 2V @ 250µA 12 NC @ 5 V ±10V 490 PF @ 25 V - 60W （TC）
PD57006S-E STMicroelectronics PD57006S-E -
RFQ
 ECAD 5460 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 65 v Powerso-10露出ボトムパッド PD57006 945MHz ldmos Powerso-10rf （ストレートリード） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 1a 70 Ma 6W 15dB - 28 v
AFT21S230-12SR3 NXP USA Inc. AFT21S230-12SR3 -
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S AFT21 2.11GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935314934128 5A991G 8541.29.0040 250 - 1.5 a 50W 16.7db - 28 v
STGW40M120DF3 STMicroelectronics STGW40M120DF3 8.2200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 STGW40 標準 468 w TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 600V 、40A 、10OHM15V 355 ns トレンチフィールドストップ 1200 v 80 a 160 a 2.3V @ 15V 、40a 1.5MJ （オン）、2.25MJ 125 NC 35ns/140ns
MWT-5F Microwave Technology Inc. MWT-5F 52.8000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Microwave Technology Inc. - 場合 アクティブ 死ぬ 500MHz〜26GHz Gaas fet チップ ダウンロード 1203-MWT-5F 10 80ma 30 Ma - 19db 3.5dB 6 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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