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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
FD300R07PE4B6BOSA1 Infineon Technologies FD300R07PE4B6BOSA1 246.2433
RFQ
 ECAD 9622 0.00000000 Infineon Technologies Econopack™4 トレイ アクティブ -40°C〜150°C シャーシマウント モジュール FD300R07 940 w 標準 モジュール ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 6 三相インバーター トレンチフィールドストップ 650 V 300 a 1.95V @ 15V 、300A 1 Ma はい 18.5 nf @ 25 v
APT60GT60JR Microchip Technology APT60GT60JR -
RFQ
 ECAD 2348 0.00000000 マイクロチップテクノロジー Thunderboltigbt® チューブ 廃止 -55°C〜150°C シャーシマウント ISOTOP 378 w 標準 ISOTOP® ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 シングル npt 600 V 93 a 2.5V @ 15V 、60a 80 µA いいえ 1.6 nf @ 25 v
SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L61NU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6L61 モスフェット（金属酸化物） - 6-udfn （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 4a - - - - -
BSC019N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC019N08NS5ATMA1 4.1300
RFQ
 ECAD 9230 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™5 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） PG-TSON-8-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 28a（タタ237a（tc） 6V 、10V 1.9mohm @ 50a 、10V 3.8V @ 146µA 117 NC @ 10 V ±20V 8600 PF @ 40 V - 3W （TA）、214W
BC548C Fairchild Semiconductor BC548C 0.0400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92（to-226） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 5,000 30 V 100 Ma 15na npn 250mv @ 500µa 、10ma 420 @ 2MA 、5V 300MHz
SIHP23N60E-BE3 Vishay Siliconix SIHP23N60E-BE3 3.2300
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 23a（tc） 10V 158mohm @ 12a 、10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±30V 2418 PF @ 100 V - 227W
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 287.4700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon Technologies Easypack™ トレイ アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール FS3L200 20 MW 標準 ag-easy3b ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 8 3つのレベルインバーター トレンチフィールドストップ 950 v 70 a 1.55V @ 15V 、25a 31 µA はい 6.48 nf @ 25 v
MPSA64RLRAG onsemi MPSA64RLRAG -
RFQ
 ECAD 6122 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 MPSA64 625 MW to-92（to-226） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） pnp-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 20000 @ 100MA 、5V 125MHz
ZDT619TA Diodes Incorporated ZDT619TA -
RFQ
 ECAD 7396 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SOT-223-8 ZDT619 2.5W SM8 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0075 1,000 50V 2a 100NA 2 NPN （デュアル） 200mV @ 50ma 、2a 200 @ 1a 、2V 165MHz
BD435-BP Micro Commercial Co BD435-BP -
RFQ
 ECAD 9704 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-225AA、to-126-3 BD435 1.25 w TO-126 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 32 v 4 a 10µA npn 500MV @ 200MA 、2a 50 @ 2a、1V 3MHz
FDMC6686P onsemi FDMC6686P -
RFQ
 ECAD 1759 0.00000000 onsemi PowerTrench® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN FDMC6686 モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN（3.3x3.3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 18a（タタ）、 56a（tc） 1.8V 、4.5V 4mohm @ 18a 、4.5v 1V @ 250µA 122 NC @ 4.5 v ±8V 13200 PF @ 10 V - 2.3W
IPA60R380P6 Infineon Technologies IPA60R380P6 0.9700
RFQ
 ECAD 313 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） PG-to220-3-111 ダウンロード 0000.00.0000 313 nチャネル 600 V 10.6a（tc） 10V 380mohm @ 3.8a 、10V 4.5V @ 320µA 19 NC @ 10 V ±20V 877 PF @ 100 V - 31W （TC）
2N7236 Microsemi Corporation 2N7236 -
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-254-3 モスフェット（金属酸化物） TO-254AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 100 V 18a（tc） 10V 200mohm @ 11a 、10V 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V - 4W （TA ）、125W（TC）
DMN67D8L-13 Diodes Incorporated DMN67D8L-13 0.0278
RFQ
 ECAD 9630 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 DMN67 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 60 V 210ma（ta） 5V、10V 5OHM @ 500MA 、10V 2.5V @ 250µA 0.82 NC @ 10 V ±30V 22 pf @ 25 v - 340MW
IPI80N06S3-07 Infineon Technologies IPI80N06S3-07 -
RFQ
 ECAD 7265 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads IPI80N モスフェット（金属酸化物） PG-to262-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 55 v 80a（tc） 10V 6.8mohm @ 51a 、10V 4V @ 80µA 170 NC @ 10 V ±20V 7768 PF @ 25 V - 135W
AUIRF2804STRL7P International Rectifier AUIRF2804STRL7P -
RFQ
 ECAD 3280 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 モスフェット（金属酸化物） d2pak（7 リード） ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 40 v 240a 10V 1.6mohm @ 160a 、10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 V ±20V 6930 PF @ 25 V - 330W
STP7NM60N STMicroelectronics STP7NM60N -
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH™II チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 stp7n モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 5a（tc） 10V 900mohm @ 2.5a 、10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±25V 363 PF @ 50 V - 45W
NSS40600CF8T1G onsemi NSS40600CF8T1G 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード NSS40600 830 MW Chipfet™ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 40 v 6 a 10µA PNP 220MV @ 400MA 、4a 220 @ 1a 、2V 100MHz
CM400HA-24A Powerex Inc. CM400HA-24A -
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ バルク sicで中止されました -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 2350 w 標準 モジュール ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 シングル - 1200 v 400 a 3V @ 15V 、400A 1 Ma いいえ 70 nf @ 10 v
IKD04N60R Infineon Technologies IKD04N60R -
RFQ
 ECAD 2732 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜175°C 表面マウント to-252-3 IKD04N 標準 75 W PG-to252-3-11 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 400V 、4a 、43ohm、 15V 43 ns 溝 600 V 8 a 12 a 2.1V @ 15V 、4a 240µj 27 NC 14ns/146ns
FMMT495TC Diodes Incorporated FMMT495TC 0.4400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 FMMT495 500 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 10,000 150 v 1 a 100NA npn 300MV @ 50MA 、500MA 10 @ 250ma 、10V 100MHz
DMC62D0SVQ-7 Diodes Incorporated DMC62D0SVQ-7 -
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -55°C〜150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 DMC62 モスフェット（金属酸化物） 510MW SOT-563 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネルの相補的 60V 、50V 571MA 1.7ohm @ 500ma 2.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 、0.3NC @ 4.5V 30pf @ 25V 、26pf @ 25V -
IPL65R130CFD7AUMA1 Infineon Technologies IPL65R130CFD7AUMA1 5.5200
RFQ
 ECAD 3481 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント 4-PowertSfn モスフェット（金属酸化物） PG-VSON-4 ダウンロード ROHS3準拠 2a （4 週間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 650 V 21a（tc） 10V 130mohm @ 8.5a 、10V 4.5V @ 420µA 36 NC @ 10 V ±20V 1694 PF @ 400 v - 127W
IQE046N08LM5ATMA1 Infineon Technologies IQE046N08LM5ATMA1 2.8700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™5 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn IQE046 モスフェット（金属酸化物） PG-TSON-8-5 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 15.6a 4.5V 、10V 4.6mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 47µA 38 NC @ 10 V ±20V 3250 PF @ 40 V - 2.5W （TA ）、100W（TC）
UNR32ANG0L Panasonic Electronic Components UNR32ANG0L -
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-723 UNR32 100 MW SSSMINI3-F2 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 300µa 、10ma 80 @ 5MA 、10V 150 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L 、LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK90S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 90a（ta） 4.5V 、10V 3.3mohm @ 45a 、10V 2.5V @ 500µA 81 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 10 V - 157W
IRFR12N25DPBF Infineon Technologies IRFR12N25DPBF -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない *IRFR12N25DPBF ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 250 v 14a（tc） 10V 260mohm @ 8.4a 、10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 810 pf @ 25 V - 144W
FJN3304RBU onsemi fjn3304rbu -
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 FJN330 300 MW to-92-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
IRF4905PBF Infineon Technologies IRF4905PBF 2.8100
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IRF4905 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 55 v 74a（tc） 10V 20mohm @ 38a 、10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 25 V - 200W （TC）
G75P04D5I Goford Semiconductor G75P04D5I 0.3673
RFQ
 ECAD 2339 0.00000000 Goford Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-dfn （4.9x5.75） - ROHS準拠 影響を受けていない 3141-G75P04D5ITR ear99 8541.29.0000 5,000 pチャネル 40 v 70a 4.5V 、10V 6.5mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 V ±20V 6414 PF @ 20 V - 150W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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