SIC
close

メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT42L32M32D2AC-25 AAT：A TR -
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 134-VFBGA MT42L32M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 -
IS42S32200E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6TLI -
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D4NQ-053 RS WT：F TR -
RFQ
 ECAD 1179 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - 557-MT53E512M32D4NQ-053RSWT：FTR 廃止 2,000
SST39VF800A-90-4I-B3KE-T Microchip Technology SST39VF800A-90-4I-B3KE-T -
RFQ
 ECAD 6720 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA SST39VF800 フラッシュ 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 512K x 16 平行 20µs
MB85RS512TPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS512TPNF-G-AWE2 4.1436
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） MB85RS512 フラム（強誘電性ラム） 1.8V〜3.6V 8ソップ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 865-MB85RS512TPNF-G-AWE2 ear99 8542.32.0071 85 30 MHz 不揮発性 512kbit 9 ns フラム 64k x 8 spi 400µs
AT45DB021E-SSHN-T Adesto Technologies at45db021e-sshn-t 1.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT45DB021 フラッシュ 1.65v〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 70 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 264バイトx 1024ページ spi 8µs、3ms
MT46V32M8CY-5B:M TR Micron Technology Inc. mt46v32m8cy-5b：m tr -
RFQ
 ECAD 2246 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
IS61WV6416BLL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416BLL-12TLI-TR 1.8501
RFQ
 ECAD 8323 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61Wv6416 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
S34ML04G100BHA000 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G100BHA000 -
RFQ
 ECAD 3724 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA S34ML04 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-BGA （11x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 25ns
CY7C107B-20VC Cypress Semiconductor Corp Cy7C107B-20VC 6.6200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C107 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 20 ns sram 1m x 1 平行 20ns
CAT24S128C4ATR onsemi CAT24S128C4ATR 0.8200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP CAT24S128 Eeprom 1.7V〜5.5V 4-wlcsp（ 0.84x0.84） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 128kbit 400 ns Eeprom 16k x 8 i²c 5ms
7015L15J Renesas Electronics America Inc 7015L15J -
RFQ
 ECAD 9827 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 68-lcc 7015L15 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PLCC（24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 18 揮発性 72kbit 15 ns sram 8k x 9 平行 15ns
MT29F512G08EBLEEJ4-QJ:E Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-QJ：e 13.2450
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ：e 1
S25FL512SAGMFMR10 Nexperia USA Inc. S25FL512SAGMFMR10 -
RFQ
 ECAD 7459 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S25FL512SAGMFMR10 1
IS42S81600F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600F-6TLI 2.9441
RFQ
 ECAD 6688 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S81600 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 -
IS61NVF51236B-6.5B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236B-6.5B3LI 17.0617
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61NVF51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
S25HS512TDPMHB010 Infineon Technologies S25HS512TDPMHB010 12.1800
RFQ
 ECAD 3333 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 16-SOIC ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 240 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
S98GL064NB0HI0080 Infineon Technologies S98GL064NB0HI0080 -
RFQ
 ECAD 1954年年 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 影響を受けていない 廃止 1
W25R128JWPIQ Winbond Electronics W25R128JWPIQ 3.1100
RFQ
 ECAD 569 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25R128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R128JWPIQ 3A991B1A 8542.32.0071 570 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -
BR34E02FVT-3E2 Rohm Semiconductor BR34E02FVT-3E2 0.4900
RFQ
 ECAD 246 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR34E02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
MT46H64M32LFCX-6 AT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-6 AT：B TR -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
71V632S7PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v632S7pfi -
RFQ
 ECAD 6094 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 71v632 sram- sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 2mbit 7 ns sram 64k x 32 平行 -
IS34MW01G164-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G164-BLI-TR 3.4331
RFQ
 ECAD 7691 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS34MW01G164-BLI-TR 2,500 不揮発性 1gbit 30 ns フラッシュ 64m x 16 平行 45ns
93C86A-E/MS Microchip Technology 93C86A-E/MS -
RFQ
 ECAD 1946年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 93C86 Eeprom 4.5v〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 3 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 マイクロワイヤ 2ms
S34ML08G301TFI000 Infineon Technologies S34ML08G301TFI000 8.2617
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 Infineon Technologies ML-3 トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S34ML08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
IDT71V124SA10YI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V124SA10YI8 -
RFQ
 ECAD 8697 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅） IDT71V124 sram-非同期 3.15V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V124SA10YI8 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Micron Technology Inc. MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 162-VFBGA MT29RZ2B1 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA（10.5x8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT「NAND ）、1GBit （LPDDR2」 フラッシュ、ラム 256M x 8 平行 -
71V65603S100PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v65603S100pfi 4.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 71v65603 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 9mbit 5 ns sram 256k x 36 平行 -
BR93G66FVT-3GE2 Rohm Semiconductor BR93G66FVT-3GE2 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR93G66 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 3 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 256 x 16 マイクロワイヤ 5ms
S25FL128LDPNFA010 Infineon Technologies S25FL128LDPNFA010 3.5175
RFQ
 ECAD 9287 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100 トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 4,900 66 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs.1.2ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます