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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
A6996789-C ProLabs A6996789-C 37.0000
RFQ
 ECAD 5216 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A6996789-C ear99 8473.30.5100 1
71V632S7PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v632S7pfi -
RFQ
 ECAD 6094 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 71v632 sram- sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 2mbit 7 ns sram 64k x 32 平行 -
BR93G66FVT-3GE2 Rohm Semiconductor BR93G66FVT-3GE2 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR93G66 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 3 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 256 x 16 マイクロワイヤ 5ms
CAT28C512HI12 onsemi CAT28C512HI12 -
RFQ
 ECAD 6430 0.00000000 onsemi - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） CAT28C512 Eeprom 4.5v〜5.5V 32-tsop ダウンロード 2a （4 週間） 影響を受けていない 2156-CAT28C512HI12-488 ear99 8542.32.0051 156 不揮発性 512kbit 120 ns Eeprom 64k x 8 平行 5ms
CY7C1665KV18-550BZXC Infineon Technologies Cy7C1665KV18-550BZXC 488.2850
RFQ
 ECAD 3100 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1665 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 525 550 MHz 揮発性 144mbit sram 4m x 36 平行 -
IS34MW01G164-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G164-BLI-TR 3.4331
RFQ
 ECAD 7691 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS34MW01G164-BLI-TR 2,500 不揮発性 1gbit 30 ns フラッシュ 64m x 16 平行 45ns
CY7C1315LV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1315Lv18-250bzc 32.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1315 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA - 適用できない 3A991B2A 10 250 MHz 揮発性 18mbit sram 512K x 36 平行 - 確認されていません
IS49NLC36800-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-3333 -
RFQ
 ECAD 1581 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
S29GL512T11FHIV10 Cypress Semiconductor Corp S29GL512T11FHIV10 -
RFQ
 ECAD 8009 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp gl-t バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード 1 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 64m x 8 平行 60ns 検証
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Micron Technology Inc. MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 162-VFBGA MT29RZ2B1 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA（10.5x8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT「NAND ）、1GBit （LPDDR2」 フラッシュ、ラム 256M x 8 平行 -
IS62WV12816BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TLI 2.6700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS62WV12816 sram-非同期 2.5V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 55 ns sram 128k x 16 平行 55ns
CAT24C02LI-G Catalyst Semiconductor Inc. cat24c02li-g -
RFQ
 ECAD 4260 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） CAT24C02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0051 50 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
N25Q016A11EV7A0 Micron Technology Inc. N25Q016A11EV7A0 -
RFQ
 ECAD 3506 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜125°C（タタ - - N25Q016A11 フラッシュ - 1.7V〜2V - - ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 108 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 8ms、1ms
IS42S16800E-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 4332 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
BR34E02FVT-3E2 Rohm Semiconductor BR34E02FVT-3E2 0.4900
RFQ
 ECAD 246 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR34E02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
MT29F2T08EMHBFJ4-T:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHBFJ4-T：B TR -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F2T08 フラッシュ-Nand （TLC） 1.7V〜1.95V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2T08EMHBFJ4-T：BTR 廃止 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MR1A16AYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AYS35R 17.2350
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 Everspin Technologies Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MR1A16 ミスター（磁気抵抗ラム） 3V〜3.6V 44-TSOP2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 819-MR1A​​ 16AYS35RTR ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 2mbit 35 ns ラム 128k x 16 平行 35ns
IS26KS512S-DPBLI00 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS26KS512S-DPBLI00 -
RFQ
 ECAD 7827 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA IS26KS512 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS26KS512S-DPBLI00 3A991B1A 8542.32.0071 338 166 MHz 不揮発性 512mbit 96 ns フラッシュ 64m x 8 平行 -
S70FL01GSAGBHVC13 Infineon Technologies S70FL01GSAGBHVC13 15.2600
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga S70FL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o -
W29N04KZSIBG TR Winbond Electronics w29n04kzsibg tr 6.7961
RFQ
 ECAD 9791 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W29N04KZSIBGTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ 512m x 8 onfi 35NS 、700µs
W25R128JVPIQ Winbond Electronics W25R128JVPIQ 2.1494
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25R128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R128JVPIQ 3A991B1A 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
IDT70824S35PF8 Renesas Electronics America Inc IDT70824S35PF8 -
RFQ
 ECAD 1549 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 80-lqfp IDT70824 サラム 4.5v〜5.5V 80-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 70824S35PF8 ear99 8542.32.0041 750 揮発性 64kbit 35 ns ラム 4k x 16 平行 35ns
70V06S15PF8 Renesas Electronics America Inc 70V06S15PF8 -
RFQ
 ECAD 5001 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 70V06S sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 128kbit 15 ns sram 16k x 8 平行 15ns
S99GL256S90DHI020 Analog Devices Inc. S99GL256S90DHI020 -
RFQ
 ECAD 7443 0.00000000 Analog Devices Inc. - バルク アクティブ - 2156-S99GL256S90DHI020 1
S34ML08G201TFB000 SkyHigh Memory Limited S34ML08G201TFB000 -
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - トレイ sicで中止されました S34ML08 - ROHS準拠 3 （168 時間） 2120-S34ML08G201TFB000 3A991B1A 8542.32.0071 96 確認されていません
W25Q32FWSFIG TR Winbond Electronics w25q32fwsfig tr -
RFQ
 ECAD 2994 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q32 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
FT24C02A-UDR-B Fremont Micro Devices Ltd FT24C02A-UDR-B -
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 Fremont Micro Devices Ltd - チューブ sicで中止されました -40°C〜85°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） FT24C02 Eeprom 1.8V〜5.5V 8ディップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 50 1 MHz 不揮発性 2kbit 550 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
W25Q256JVBAM Winbond Electronics w25q256jvbam -
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q256JVBAM 1 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 3ms
713981-S21-C ProLabs 713981-S21-C 72.5000
RFQ
 ECAD 7467 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-713981-S21-C ear99 8473.30.5100 1
SM619GEF EGSS Silicon Motion, Inc. SM619GEF EGSS 93.1500
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM619GEFEGSS 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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