画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy7C1313AV18-200BZC | 18.4200 | ![]() | 780 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1313 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||
IS62WV12816BLL-55TLI | 2.6700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV12816 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | IS49NLC36800-3333 | - | ![]() | 1581 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS25LP064D-JLLE | 1.3716 | ![]() | 5872 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP064D-JLLE | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||||
![]() | IS43TR81024B-107MBLI | 22.8583 | ![]() | 9132 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR81024B-107MBLI | 136 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||
![]() | AB445285-C | 1.0000 | ![]() | 3008 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-AB445285-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CG8555AAT | - | ![]() | 9647 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 影響を受けていない | 廃止 | 1,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | mtfc32gapalna-aat | 34.6800 | ![]() | 760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 前回購入します | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 100-TBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 100-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||
R1LP0108ESA-7SI#B0 | - | ![]() | 8270 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | R1LP0108 | sram | 4.5v〜5.5V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 70 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 70ns | |||||
EM032LXOAB320CS1T | 30.9000 | ![]() | 9584 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 24-tbga | ミスター(磁気抵抗ラム) | 1.65V〜2V | 24-tbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 819-EM032LXOAB320CS1T | ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 不揮発性 | 32mbit | ラム | 4m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||||||
![]() | mt29c2g48maklcji-6 it tr | - | ![]() | 6758 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT29C2G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性、揮発性 | 2GBIT (NAND)、1GBIT (LPDRAM) | フラッシュ、ラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | w25q80dvsnsg | - | ![]() | 1843年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80DVSNSG | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | |||||
![]() | 71V547S100PFGI8 | 7.4482 | ![]() | 4390 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71V547 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4.5mbit | 10 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | 71V2556S133PFGI | - | ![]() | 7460 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71v2556 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4.2 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||||||
![]() | Cy7C1512V18-200BZXC | - | ![]() | 1445 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1512 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 (48 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
w25q16bvzpig | - | ![]() | 5082 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||||
![]() | 647893-S21-C | 37.5000 | ![]() | 5250 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-647893-S21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CG8303AAT | - | ![]() | 8562 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | 7025L35PFI | - | ![]() | 7618 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 7025L35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 128kbit | 35 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 35ns | |||||
S29GL01GP11FAIR20 | 26.6700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 19 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 110ns | |||||||
![]() | IDT71V35761YSA200BQ | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V35761 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V35761YSA200BQ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
thgbmug7c1lbail | - | ![]() | 2949 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | - | 3 (168 時間) | 1853-THGBMUG7C1LBAIL | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1314JV18-250BZXC | 34.9600 | ![]() | 289 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1314 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | GS864018GT-250I | 105.7100 | ![]() | 9391 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | GS864018 | sram- 同期、標準 | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 100-TQFP (20x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS864018GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | MT62F768M64D4ZU-026 WT:b | 27.9300 | ![]() | 6515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | MT62F768 | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4ZU-026WT:b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | ||||||||
![]() | Cy7C1061G18-15ZSXI | 48.1250 | ![]() | 4911 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1061 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 108 | 揮発性 | 16mbit | 15 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS61QDB41M36-250M3 | - | ![]() | 9941 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB41 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS42S32800J-75ETL | 6.0682 | ![]() | 6954 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | FM25L04B-G | - | ![]() | 1078 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | f-ram™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM25L04 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 153 | 20 MHz | 不揮発性 | 4kbit | フラム | 512 x 8 | spi | - | 確認されていません | |||||
![]() | 815098-B21-C | 162.0000 | ![]() | 6544 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-815098-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
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