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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT45W2MW16BGB-701 IT TR Micron Technology Inc. mt45w2mw16bgb-701 it tr -
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W2MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 32mbit 70 ns psram 2m x 16 平行 70ns
IS61LF51236A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5B3I-TR -
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LF51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 512K x 36 平行 -
5962-9166205MYA Renesas Electronics America Inc 5962-9166205mya -
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 前回購入します -55°C〜125°C 表面マウント 84フラットパック sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 84-FPACK - 800-5962-9166205mya 1 揮発性 64kbit 45 ns sram 4k x 16 平行 45ns
S98KL0BGT00HC0040 Cypress Semiconductor Corp S98KL0BGT00HC0040 232.6940
RFQ
 ECAD 324 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 - ROHS非準拠 適用できない 未定義のベンダー 5 確認されていません
MX25L12872FZNI-10G Macronix MX25L12872FZNI-10G 1.5916
RFQ
 ECAD 1290 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MX25L12872 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs 、1.2ms
GD25Q40ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q40esigr 0.3167
RFQ
 ECAD 5297 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25Q40EGIGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 4mbit 7 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 70µs 、2ms
MT46V64M8CY-5B L:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B L：J TR -
RFQ
 ECAD 9901 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
CY7C1399BN-12VXI Infineon Technologies Cy7C1399BN-12VXI 3.5900
RFQ
 ECAD 691 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C1399 sram-非同期 3V〜3.6V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 27 揮発性 256kbit 12 ns sram 32k x 8 平行 12ns
CAT24C02VP2GI Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C02VP2GI 0.1200
RFQ
 ECAD 9787 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド CAT24C02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
S25FL256SAGMFVG00 Cypress Semiconductor Corp S25FL256SAGMFVG00 -
RFQ
 ECAD 8429 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-s バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2166-S25FL256SAGMFVG00-428 1 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o - 確認されていません
CY15B108QI-20LPXI Infineon Technologies CY15B108Q-20LPXI 33.9700
RFQ
 ECAD 168 0.00000000 Infineon Technologies Excelon™-LP 、F-Ram™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-UQFN Cy15B108 フラム（強誘電性ラム） 1.8V〜3.6V 8-gqfn （3.23x3.28） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 20 MHz 不揮発性 8mbit フラム 1m x 8 spi -
W631GG6NB11J TR Winbond Electronics w631gg6nb11j tr -
RFQ
 ECAD 3623 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB11JTR ear99 8542.32.0032 3,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
GD5F1GM7REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7REYIGY 2.1331
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD5F1GM7REYIGY 4,800 104 MHz 不揮発性 1gbit 9 ns フラッシュ 256m x 4 spi -quad i/o、dtr 600µs
GD25LQ255EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq255eyigy 2.1699
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25LQ255555555555555555555555555555 4,800 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi -
JR28F032M29EWTB TR Micron Technology Inc. JR28F032M29EWTB TR -
RFQ
 ECAD 1709 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JR28F032M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
GD25LE64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le64etigr 0.8045
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LE64ETIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
S25HS512TFABHM013 Infineon Technologies S25HS512TFABHM013 13.4750
RFQ
 ECAD 5036 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-VBGA フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 24-fbga （6x8） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 166 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
M25P128-VME6G Micron Technology Inc. M25P128-VME6G -
RFQ
 ECAD 1768年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M25P128-VME6G 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 50 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 15ms、7ms
71V35761SA166BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761SA166BGI 11.7900
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BGA 71V35761S sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.5 ns sram 128k x 36 平行 -
DS1249AB-70IND# Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1249AB-70IND＃ 70.5456
RFQ
 ECAD 9815 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 32-dipモジュール（0.600 "、15.24mm） DS1249AB nvsram （不揮発性 sram） 4.75v〜5.25V 32-EDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 9 不揮発性 2mbit 70 ns nvsram 256k x 8 平行 70ns
CY7C1350B-133AI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1350B-133AI 3.8100
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp Cy7C1350 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4.2 ns sram 128k x 36 平行 -
EM6AA160BKE-4IH Etron Technology, Inc. EM6AA160BKE-4IH 2.7826
RFQ
 ECAD 4162 0.00000000 ETRON TECHNOLOGY 、INC。 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA EM6AA160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2174-EM6AA160BKE-4IHTR ear99 8542.32.0024 2,500 250 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS61NVF51236-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-6.5B3 -
RFQ
 ECAD 8165 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61NVF51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
A1229318-C ProLabs A1229318-C 17.5000
RFQ
 ECAD 1081 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A1229318-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C1543KV18-400BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1543KV18-400BZC 218.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1543 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 136 400 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 - 確認されていません
MT40A2G8AG-062E AAT:F Micron Technology Inc. MT40A2G8AG-062EAAT：F 19.8600
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） - - SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V - - 557-MT40A2G8AG-062EAAT：f 1 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 2g x 8 平行 15ns
S25FL129P0XMFI003 Nexperia USA Inc. S25FL129P0XMFI003 -
RFQ
 ECAD 1437 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S25FL129P0XMFI003 1
IS61WV25616EDBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-8TLI 4.3891
RFQ
 ECAD 9971 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61WV25616 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 8 ns sram 256k x 16 平行 8ns
FM24C32ULZM8 Fairchild Semiconductor FM24C32ULZM8 0.4900
RFQ
 ECAD 8271 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FM24C32 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 100 kHz 不揮発性 32kbit 3.5 µs Eeprom 4k x 8 i²c 15ms
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AAT：E TR 29.2650
RFQ
 ECAD 6307 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-VFBGA MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E768M32D4DT-053AAT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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