- 中国語
- 英語
- フランス語
- ドイツ語
- ポルトガル語
- スペイン語
- ロシア
- 日本語
- 韓国語
- アラビア語
- アイルランド
- ギリシャ語
- トルコ語
- イタリア語
- デンマーク語
- ルーマニア人
- インドネシア語
- チェコ
- アフリカーンス
- スウェーデン語
- 研磨
- バスク
- カタロニア
- エスペラント
- ヒンディー語
- ラオス
- アルバニア語
- アムハラ語
- アルメニア人
- アゼルバイジャン
- ベラルーシ人
- ベンガル語
- ボスニア人
- ブルガリア
- セブアノ
- チチェワ
- コルシカ人
- クロアチア語
- オランダ語
- エストニアン
- フィリピン人
- フィンランド語
- フリジアン
- ガリシア語
- ジョージアン
- グジャラート語
- ハイチ人
- ハウサ
- ハワイアン
- ヘブライ語
- hmong
- ハンガリー
- アイスランド語
- イボ
- Javanese
- カンナダ
- カザフ
- クメール
- クルド
- キルギス
- ラテン
- ラトビアン
- リトアニアン
- ルクセンボウ..
- マケドニア語
- マラガシー
- マレー
- マラヤーラム語
- マルタ
- マオリ
- マラーティー
- モンゴル人
- ビルマ
- ネパール
- ノルウェー語
- パシュ
- ペルシャ語
- パンジャブ
- セルビア人
- セソト
- シンハラ
- スロバキア
- スロベニア人
- ソマリア
- サモアン
- スコットランドゲール語
- ショナ
- シンディ
- スンダネーゼ
- スワヒリ
- タジク
- タミル語
- テルグ語
- タイ
- ウクライナ人
- ウルドゥー語
- ウズベック
- ベトナム人
- ウェールズ
- xhosa
- イディッシュ語
- ヨルバ
- ズールー
- キニャルワンダ
- タタール
- オリヤ
- タークメン
- uyghur
メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SST39WF800B-70-4I-C2QE | - |  | 6297 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-uflga | SST39WF800 | フラッシュ | 1.65V〜1.95V | 48-xflga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 666 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 16 | 平行 | 40µs | ||||
 | IDT71V3577SA80BQGI | - | | 1108 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V3577 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA（13x15） | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71V3577SA80BQGI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 揮発性 | 4.5mbit | 8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||
 | A3132544-C | 15.7500 | | 1492 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A3132544-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 5962-8687504UA | - | | 8047 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | - | 影響を受けていない | 800-5962-8687504UA | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | IS64WV10248EDBLL-10BLA3-TR | 14.8500 | | 7692 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS64WV10248 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 10ns | ||||
| S34MS02G104BHV010 | - | | 8458 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | トレイ | sicで中止されました | S34MS02 | - | ROHS準拠 | 3 （168 時間） | 2120-S34MS02G104BHV010 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 確認されていません | ||||||||||||||||
 | S34ML04G204BHI010Z | 7.1200 | | 153 | 0.00000000 | スパンション | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
 | AT25DF161-SH-B | - | | 6703 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | AT25DF161 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 95 | 100 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 7µs、3ms | ||||
 | W29GL256SH9B | - | | 1191 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | W29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga（11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 171 | 不揮発性 | 256mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 90ns | ||||
 | IS42S32200E-6TLI | - | | 6668 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | |||
 | IS62WV6416DBLL-45TLI-TR | - | | 7637 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS62Wv6416 | sram-非同期 | 2.3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 45ns | ||||
 | U62256AS2C07LLG1TR | - | | 3746 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 28-SOIC （0.330 "、幅8.38mm） | U62256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 70 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
 | FT24C128A-UTR-B | - | | 6110 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | FT24C128 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 128kbit | 550 ns | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||
| MEM-DR464L-HL02-ER32-C | 770.0000 | | 7112 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR464L-HL02-ER32-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT42L32M32D2AC-25 AAT：A TR | - | | 4129 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 134-VFBGA | MT42L32M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-FBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | 平行 | - | ||||
 | gd25lq40ceigr | - | | 6319 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25LQ40 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||||
| S34ML01G200GHI000 | - | | 7319 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | トレイ | sicで中止されました | S34ML01 | - | ROHS準拠 | 3 （168 時間） | 2120-S34ML01G200GHI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 確認されていません | ||||||||||||||||
| Cy7C1019bn-12xc | 0.8300 | | 9192 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | - | - | 2156-CY7C1019BN-12XC | 26 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||||||||
 | w25q16jvzpam | - | | 7745 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x5） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25Q16JVZPAM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
| MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 | 3.5200 | | 2794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 死ぬ | MT29F4G01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | ||||||
 | w25q128jvfjm tr | - | | 9255 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | w25q128jvfjmtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
| 520966231566 | - | | 9329 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | W25Q32FWXGBQ | - | | 5046 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-xson （4x4） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25Q32FWXGBQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
 | MEM2800-128U256CF-C | 58.7500 | | 9 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM2800-128U256CF-C | ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT66R7072A10AB5ZW.ZCA TR | - | | 6871 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 121-WFBGA | MT66R7072 | PCM -LPDDR2、MCP -LPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 121-VFBGA （11x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 1GBIT （PCM | ラム | 128m x 8（PCM | 平行 | - | |||||
| w25q32fwzpiq | - | | 4775 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson （6x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
 | 70v9199l7pfg | - | | 7280 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9199 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 1.125mbit | 7 ns | sram | 128k x 9 | 平行 | - | ||||
| CAT28C65BX-115T | 1.0000 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | CAT28C65 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-CAT28C65BX-115T-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | 5ms | |||||
| IS64WV6416BLL-15TLA3 | 4.5034 | | 4151 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS64Wv6416 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
 | M24C16-WBN6P | - | | 3052 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | M24C16 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
ウィッシュリスト（0アイテム）