SIC
close

メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
GD25D10CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d10ctegr 0.2929
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25D テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25D10CTEGRTR 3,000 100 MHz 不揮発性 1mbit 6 ns フラッシュ 128k x 8 spi-デュアルi/o 80µs 、4ms
IS65WV102416EBLL-55BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV102416EBLL-55BLA3 9.6935
RFQ
 ECAD 6435 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS65WV102416EBLL-55BLA3 480 揮発性 16mbit 55 ns sram 1m x 16 平行 55ns
MTFC4GLGDQ-AIT A Micron Technology Inc. mtfc4glgdq-ait a 9.2611
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない mtfc4glgdq-aita 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
CY62256VNLL-70ZC Cypress Semiconductor Corp Cy62256VNLL-70ZC 0.6700
RFQ
 ECAD 897 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） Cy62256 sram-非同期 2.7V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
CY7C1414AV18-200BZC Infineon Technologies Cy7C1414AV18-200BZC -
RFQ
 ECAD 3703 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1414 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 200 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
S25FL512SDSMFM010 Infineon Technologies S25FL512SDSMFM010 13.9500
RFQ
 ECAD 476 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 80 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
MD27C64-20 Intel MD27C64-20 -
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 インテル - バルク アクティブ MD27C - ear99 8542.32.0061 1
71V65703S80BG8 Renesas Electronics America Inc 71v65703S80bg8 26.1188
RFQ
 ECAD 2202 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA 71v65703 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 9mbit 8 ns sram 256k x 36 平行 -
AT27C2048-90JU-T Microchip Technology AT27C2048-90JU-T 6.3450
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 44-lcc AT27C2048 eprom -otp 4.5v〜5.5V 44-PLCC（16.6x16.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 500 不揮発性 2mbit 90 ns eprom 128k x 16 平行 -
CY62128VL-70ZAC Cypress Semiconductor Corp CY62128VL-70ZAC 1.5000
RFQ
 ECAD 428 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） Cy62128 sram-非同期 2.7V〜3.6V 32-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 70 ns sram 128k x 8 平行 70ns
MT40A512M8SA-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E：F Tr 8.3250
RFQ
 ECAD 7717 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード 557-MT40A512M8SA-062E：FTR 2,000 1.6 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 512m x 8 ポッド 15ns
71V25761S183PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V25761S183PFI 2.0100
RFQ
 ECAD 7372 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 71v25761 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 2156-71V25761S183PFI 3A991B2A 8542.32.0041 1 183 MHz 揮発性 4.5mbit 5.5 ns sram 128k x 36 平行 - 確認されていません
MT53E1G16D1Z42NWC1 Micron Technology Inc. MT53E1G16D1Z42NWC1 18.5900
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT53E1G16D1Z42NWC1 1
MT28EW512ABA1LPN-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LPN-0SIT -
RFQ
 ECAD 4436 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
CY7C1011DV33-10BVIT Infineon Technologies Cy7C1011DV33-10BVIT -
RFQ
 ECAD 1972年年 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy7C1011 sram-非同期 3V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 2mbit 10 ns sram 128k x 16 平行 10ns
MT53E512M64D4NW-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E512M64D4NW-046 WT：e -
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53E512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - 廃止 0000.00.0000 1,190 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
709099L7PF Renesas Electronics America Inc 709099l7pf -
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 709099l sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 6 揮発性 1mbit 7 ns sram 128k x 8 平行 -
IDT71P74804S250BQ8 Renesas Electronics America Inc IDT71P74804S250BQ8 -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IDT71P74 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71P74804S250BQ8 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 揮発性 18mbit 8.4 ns sram 1m x 18 平行 -
IDT71V3577SA80BG8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3577SA80BG8 -
RFQ
 ECAD 9380 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA IDT71V3577 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V3577SA80BG8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4.5mbit 8 ns sram 128k x 36 平行 -
11LC160T-I/MNY Microchip Technology 11LC160T-I/MNY 0.4050
RFQ
 ECAD 7575 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド 11LC160 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 100 kHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 単一ワイヤ 5ms
S25FS256SAGMFB001 Infineon Technologies S25FS256SAGMFB001 5.6000
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、FS-S チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FS256 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 705 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi -
W632GG6NB09I TR Winbond Electronics w632gg6nb09i tr 4.7100
RFQ
 ECAD 6158 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W632GG6NB09ITR ear99 8542.32.0036 3,000 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 SSTL_15 15ns
7007L55PFI8 Renesas Electronics America Inc 7007L55PFI8 -
RFQ
 ECAD 9659 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 80-lqfp 7007L55 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 80-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
IS46TR16640ED-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-125KBLA1 7.7520
RFQ
 ECAD 2473 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16640ED-125KBLA1 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
5962-9459903MXA Cypress Semiconductor Corp 5962-9459903MXA 1.0000
RFQ
 ECAD 4926 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.300 "、7.62mm） 5962-9459903 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 64kbit 35 ns nvsram 8k x 8 平行 35ns
CY7C1041BV33L-20ZI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1041BV33L-20zi 16.0000
RFQ
 ECAD 479 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1041 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 20 ns sram 256k x 16 平行 20ns
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F128G08AECBBH6-6IT：b -
RFQ
 ECAD 3794 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 152-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
PCA24S08AD,118 NXP USA Inc. PCA24S08AD 、118 -
RFQ
 ECAD 3148 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） PCA24 Eeprom 2.5V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 i²c -
S25FS512SAGMFB013 Infineon Technologies S25FS512SAGMFB013 10.5875
RFQ
 ECAD 2589 0.00000000 Infineon Technologies FS-S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FS512 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi 2ms
W74M00AVSNIG TR Winbond Electronics w74m00avsnig tr 0.8263
RFQ
 ECAD 2752 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W74M00AVSNIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 80 MHz 不揮発性 - フラッシュ - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます