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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
S25FL512SAGMFMR10 Infineon Technologies S25FL512SAGMFMR10 15.5700
RFQ
 ECAD 353 0.00000000 Infineon Technologies fl-s トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
IS61LPD51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200B3-TR -
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61LPD51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 512K x 36 平行 -
IS62WV12816DBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816DBLL-45BLI-TR -
RFQ
 ECAD 6107 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV12816 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 2mbit 45 ns sram 128k x 16 平行 45ns
MT40A8G4KVA-075H:G TR Micron Technology Inc. MT40A8G4KVA-075H：G TR -
RFQ
 ECAD 9182 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A8G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT40A8G4KVA-075H：GTR 廃止 0000.00.0000 2,000 1.33 GHz 不揮発性 32gbit 27 ns ドラム 8g x 4 平行 -
71V65703S75PFG Renesas Electronics America Inc 71V65703S75PFG 15.9151
RFQ
 ECAD 6941 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 71v65703 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 揮発性 9mbit 7.5 ns sram 256k x 36 平行 -
CY62137VNLL-70ZSXE Infineon Technologies cy62137vnll-70zsxe -
RFQ
 ECAD 4632 0.00000000 Infineon Technologies mobl® トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy62137 sram-非同期 2.7V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 270 揮発性 2mbit 70 ns sram 128k x 16 平行 70ns
IS61LF51236A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5B3I-TR -
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LF51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 512K x 36 平行 -
CY7C1668KV18-450BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1668KV18-450BZXC 345.5500
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1668 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード 1 450 MHz 揮発性 144mbit sram 8m x 18 平行 - 確認されていません
FM25H20-G Cypress Semiconductor Corp FM25H20-G -
RFQ
 ECAD 4378 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp f-ram™ チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） FM25H20 フラム（強誘電性ラム） 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0071 94 40 MHz 不揮発性 2mbit フラム 256k x 8 spi - 確認されていません
CY7C1565KV18-400BZI REEL Cypress Semiconductor Corp Cy7C1565KV18-400BZIリール 195.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-CY7C1565KV18-400BZI REEL-428 1
IS29GL128S-10TFV01 Infineon Technologies IS29GL128S-10TFV01 -
RFQ
 ECAD 8328 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 128mbit 100 ns フラッシュ 16m x 8 平行 60ns
C-2400D4SR8RN/8G ProLabs C-2400D4SR8RN/8G 130.0000
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-C-2400D4SR8RN/8G ear99 8473.30.5100 1
IS61WV10248BLL-10MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248BLL-10MLI-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 8985 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV10248 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
M93C56-RMN3TP/K STMicroelectronics M93C56-RMN3TP/K 0.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M93C56 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8、128 x 16 マイクロワイヤ 5ms
CY7C1061AV33-10ZXC Infineon Technologies Cy7C1061AV33-10ZXC -
RFQ
 ECAD 3963 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1061 sram-非同期 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 108 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
MT45W2MW16BGB-701 IT TR Micron Technology Inc. mt45w2mw16bgb-701 it tr -
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W2MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 32mbit 70 ns psram 2m x 16 平行 70ns
IS49RL18320-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-107EBL -
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 168-lbga IS49RL18320 ドラム 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 119 933 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 32m x 18 平行 -
484268-001-C ProLabs 484268-001-C 17.5000
RFQ
 ECAD 7211 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-484268-001-C ear99 8473.30.5100 1
S98KL0BGT00HC0040 Cypress Semiconductor Corp S98KL0BGT00HC0040 232.6940
RFQ
 ECAD 324 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 - ROHS非準拠 適用できない 未定義のベンダー 5 確認されていません
628974-181-C ProLabs 628974-181-C 37.0000
RFQ
 ECAD 9817 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-628974-181-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C1350B-133AI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1350B-133AI 3.8100
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp Cy7C1350 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4.2 ns sram 128k x 36 平行 -
MX25L12872FZNI-10G Macronix MX25L12872FZNI-10G 1.5916
RFQ
 ECAD 1290 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MX25L12872 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs 、1.2ms
MT29F32G08AFABAWP-IT:B Micron Technology Inc. MT29F32G0888888888888-IT：b -
RFQ
 ECAD 9164 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
GD25LQ255EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq255eyigy 2.1699
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25LQ255555555555555555555555555555 4,800 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi -
DS1230Y-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230Y-150+ 30.2300
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 28-dip モジュール（0.600 "、15.24mm） DS1230Y nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 28-EDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない -4941-DS1230Y-150+ ear99 8542.32.0041 12 不揮発性 256kbit 150 ns nvsram 32k x 8 平行 150ns
EM6AA160BKE-4IH Etron Technology, Inc. EM6AA160BKE-4IH 2.7826
RFQ
 ECAD 4162 0.00000000 ETRON TECHNOLOGY 、INC。 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA EM6AA160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2174-EM6AA160BKE-4IHTR ear99 8542.32.0024 2,500 250 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS43TR81280C-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280C-125JBLI 3.7208
RFQ
 ECAD 1086 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR81280C-125JBLI 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E Micron Technology Inc. MT29F8T08ESLEEG4-QB：e 211.8900
RFQ
 ECAD 5592 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F8T08ESLEEG4-QB：e 1
GD25Q40ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q40esigr 0.3167
RFQ
 ECAD 5297 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25Q40EGIGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 4mbit 7 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 70µs 、2ms
GVT71256G18T-5 Galvantech GVT71256G18T-5 1.7100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Galvantech GTV71256G バルク 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 100-TQFP GVT71256G sram 3.3V - ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4 ns sram 256k x 18 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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