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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT58L256L32FT-10 Micron Technology Inc. MT58L256L32FT-10 12.5600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L256L32 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 8mbit 10 ns sram 256k x 32 平行 -
S26KS256SDABHI030 Spansion S26KS256SDABHI030 7.7000
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 スパンション Hyperflash™ks バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S26KS256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-fbga （6x8） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 1 100 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 32m x 8 平行 -
S29GL128S11TFV010 Infineon Technologies S29GL128S11TFV010 -
RFQ
 ECAD 5756 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 91 不揮発性 128mbit 110 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
N25Q128A13ESFA0F Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFA0F 4.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント フラッシュ - 2.7V〜3.6V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、5ms
BR24G64FVT-3GE2 Rohm Semiconductor BR24G64FVT-3GE2 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR24G64 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 64kbit Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
W25Q128BVEJP Winbond Electronics w25q128bvejp -
RFQ
 ECAD 6464 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
AK93C85AM Asahi Kasei Microdevices/AKM AK93C85am -
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 Asahi Kasei Microdevices/akm - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - AK93C85 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SSOP ダウンロード 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 16kbit Eeprom 1k x 16 spi -
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-7E IT：G TR -
RFQ
 ECAD 1862年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
93LC66C-E/SN Microchip Technology 93LC66C-E/SN 0.4350
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93LC66 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 93LC66C-E/SN-NDR ear99 8542.32.0051 100 3 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8、256 x 16 マイクロワイヤ 6ms
S34ML02G200BHI503 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G200BHI503 -
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-2 テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA S34ML02 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-BGA （11x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
6116LA120DB Renesas Electronics America Inc 6116la120db 21.8770
RFQ
 ECAD 2952 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 24-CDIP （0.600 "、15.24mm） 6116la sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 15 揮発性 16kbit 120 ns sram 2k x 8 平行 120ns
MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046AAT：D TR -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
GD25D10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d10ceigr 0.2564
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25D10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi-デュアルi/o 50µs 、4ms
7164S20Y IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S20Y -
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） 7164S sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
AT49BV161T-70TI Microchip Technology AT49BV161T-70TI -
RFQ
 ECAD 5314 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AT49BV161 フラッシュ 2.65V〜3.3V 48-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 200µs
W25Q32JVSNIQ Winbond Electronics w25q32jvsniq 0.7500
RFQ
 ECAD 8963 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JVSNIQ 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
27S21PC Rochester Electronics, LLC 27S21pc -
RFQ
 ECAD 6431 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC - バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 1
MT46V64M8T67A3WC1 Micron Technology Inc. MT46V64M8T67A3WC1 -
RFQ
 ECAD 6764 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V - 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 512mbit ドラム 64m x 8 平行 15ns
24LC01B-E/P Microchip Technology 24lc01b-e/p 0.4200
RFQ
 ECAD 2171 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 24LC01 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 60 400 kHz 不揮発性 1kbit 3.5 µs Eeprom 128 x 8 i²c 5ms
S29GL01GT10DHI020 Infineon Technologies S29GL01GT10DHI020 16.3300
RFQ
 ECAD 232 0.00000000 Infineon Technologies gl-t トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 1gbit 100 ns フラッシュ 128m x 8 平行 60ns
AT24C64B-10TU-1.8 Microchip Technology AT24C64B-10TU-1.8 0.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） AT24C64 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT24C64B10TU18 ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 64kbit 900 ns Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
4X70Z90847-C ProLabs 4x70Z90847-C 141.2500
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-4x70Z90847-C ear99 8473.30.5100 1
EM04APGD4-BA000-2 Delkin Devices, Inc. EM04APGD4-BA000-2 -
RFQ
 ECAD 4277 0.00000000 Delkin Devices、Inc。 G530 トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-VFBGA em04apg フラッシュ-Nand （PSLC） 2.7V〜3.6V 153-FBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 3247-EM04APGD4-BA000-2 廃止 1,520 200 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 EMMC -
W29N04GVBIAF TR Winbond Electronics w29n04gvbiaf tr 6.6780
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-FBGA （11x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W29N04GVBIAFTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ 512m x 8 onfi 25ns 、700µs
S70GL02GT12FHAV13 Infineon Technologies S70GL02GT12FHAV13 33.4775
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100、GL-T テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S70GL02 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 2Gbit 120 ns フラッシュ 256m x 8、128m x 16 平行 -
A4849727-C ProLabs A4849727-C 27.5000
RFQ
 ECAD 7516 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A4849727-C ear99 8473.30.5100 1
W29GL128CH9T Winbond Electronics W29GL128CH9T -
RFQ
 ECAD 6991 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） W29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 128mbit 90 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 90ns
AT25DF641A-SH-B Renesas Design Germany GmbH AT25DF641A-SH-B 5.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Design - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） AT25DF641 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 90 100 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 256バイトx 32kページ spi 30µs 、6ms
CY7C1352G-133AXC Infineon Technologies Cy7C1352G-133AXC 8.2300
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1352 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4 ns sram 256k x 18 平行 -
M30162040108X0ISAY Renesas Electronics America Inc M30162040108X0ISAY 35.9217
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M30162040108 ミスター（磁気抵抗ラム） 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 800-M30162040108X0ISAY ear99 8542.32.0071 150 108 MHz 不揮発性 16mbit ラム 4m x 4 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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