SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS62WV12816DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816DBLL-45TLI-TR -
RFQ
ECAD 7024 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS62WV12816 sram-非同期 2.5V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 2mbit 45 ns sram 128k x 16 平行 45ns
N28F512200 Intel N28F512200 7.5200
RFQ
ECAD 118 0.00000000 インテル - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-LCC フラッシュ - (slc) 4.5v〜5.5V 32-PLCC ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 不揮発性 512kbit 200 ns フラッシュ 64k x 8 平行 200ns
IS43DR16128C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL-TR 6.7500
RFQ
ECAD 1217 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
71342SA25J Renesas Electronics America Inc 71342SA25J -
RFQ
ECAD 7487 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 52-lcc 71342SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc (19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 32kbit 25 ns sram 4k x 8 平行 25ns
M3004316035NX0IBCR Renesas Electronics America Inc M3004316035NX0IBCR 10.6799
RFQ
ECAD 3407 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 484-BGA ミスター(磁気抵抗ラム) 2.7V〜3.6V 484-CABGA (23x23 - ROHS3準拠 800-M3004316035NX0IBCRTR 1 不揮発性 4mbit 35 ns ラム 256k x 16 平行 35ns
AT24C02D-PUM Microchip Technology AT24C02D-PUM 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) AT24C02 Eeprom 1.7V〜3.6V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 50 1 MHz 不揮発性 2kbit 4.5 µs Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
QS7024A-20J Quality Semiconductor QS7024A-20J 14.3000
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ECAD 328 0.00000000 高品質の半導体 * バルク アクティブ QS7024A ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1
PCD8582/P Microchip Technology PCD8582/p 2.5000
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ECAD 149 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) Eeprom 4.5v〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けた ear99 8542.32.0051 1 100 kHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 i²c 100ms
HM4-6516-B/883 Harris Corporation HM4-6516-B/883 79.1400
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ECAD 296 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 24-CDIP (0.600 "、15.24mm) HM4-6516 sram-同期 4.5v〜5.5V 24カーディップ ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー 3A001A2C 8542.32.0041 1 揮発性 16kbit 120 ns sram 2k x 8 平行 170ns
24LC65/P Microchip Technology 24LC65/p 2.4900
RFQ
ECAD 101 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) 24LC65 Eeprom 2.5V〜6.0V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 60 400 kHz 不揮発性 64kbit 900 ns Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
S25FL128SDPBHBC03 Infineon Technologies S25FL128SDPBHBC03 4.1125
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ECAD 1888年年 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
CAT28LV65XI-15 Catalyst Semiconductor Inc. cat28lv65xi-15 -
RFQ
ECAD 6184 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) CAT28LV65 Eeprom 3V〜3.6V 28-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 不揮発性 64kbit 150 ns Eeprom 8k x 8 平行 5ms
W25Q64CVZEJG Winbond Electronics w25q64cvzejg -
RFQ
ECAD 5225 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 80 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
MT53B512M32D2NP-062 AAT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062AAT:c -
RFQ
ECAD 2344 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
CY7C1426JV18-300BZCES Cypress Semiconductor Corp CY7C1426JV18-300BZCES -
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ECAD 4189 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga Cy7C1426 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA (15x17 ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 300 MHz 揮発性 36mbit sram 4m x 9 平行 -
S34MS04G100TFB003 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G100TFB003 -
RFQ
ECAD 9913 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-1 テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) S34MS04 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit 45 ns フラッシュ 512m x 8 平行 45ns
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D Tr -
RFQ
ECAD 8873 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) - - MT29F512G08 フラッシュ-Nand (TLC) 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
IS61QDB42M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M18C-250M3L -
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61QDB42 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 2m x 18 平行 -
71V321SA55PF Renesas Electronics America Inc 71V321SA55PF -
RFQ
ECAD 2856 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 64-LQFP 71V321S sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0041 90 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
MT25QL128ABB1ESE-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1ESE-0AUT TR 4.2442
RFQ
ECAD 3925 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 1.8ms
71V30S25TF Renesas Electronics America Inc 71V30S25TF -
RFQ
ECAD 6524 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 64-LQFP 71V30 sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP (10x10) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 40 揮発性 8kbit 25 ns sram 1k x 8 平行 25ns
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37B:g -
RFQ
ECAD 5742 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) - - MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 267 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
25LC1024-I/S16K Microchip Technology 25LC1024-I/S16K -
RFQ
ECAD 8835 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 死ぬ 25LC1024 Eeprom 2.5V〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 20 MHz 不揮発性 1mbit Eeprom 128k x 8 spi 6ms
CG7031DS Cypress Semiconductor Corp CG7031DS -
RFQ
ECAD 7254 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー 1
N25Q032A11ESEA0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A11ESEA0F TR -
RFQ
ECAD 9690 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) N25Q032A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-sop2 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
71V321L35JG Renesas Electronics America Inc 71V321L35JG 20.8416
RFQ
ECAD 7831 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 52-lcc 71V321L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 52-plcc (19.13x19.13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 16kbit 35 ns sram 2k x 8 平行 35ns
S-34TS04L0B-A8T5U5 ABLIC Inc. S-34TS04L0B-A8T5U5 2.3400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Ablic Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -20°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド S-34TS04 Eeprom 1.7V〜3.6V 8-dfn (2x3) - 1 (無制限) ear99 8542.32.0051 4,000 1 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
MT29TZZZ5D6YKFAH-107 W.96N TR Micron Technology Inc. mt29tzzz5d6ykfah-107 w.96n tr -
RFQ
ECAD 3341 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 mt29tzzz5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000
W25Q32BVSSJG TR Winbond Electronics w25q32bvssjg tr -
RFQ
ECAD 8960 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない W25Q32BVSSJGTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
64Y6652-C ProLabs 64y6652-c 30.0000
RFQ
ECAD 2551 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-64Y6652-C ear99 8473.30.5100 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫