画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS62WV12816DBLL-45TLI-TR | - | ![]() | 7024 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV12816 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | N28F512200 | 7.5200 | ![]() | 118 | 0.00000000 | インテル | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-LCC | フラッシュ - (slc) | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 512kbit | 200 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 200ns | ||||
IS43DR16128C-3DBL-TR | 6.7500 | ![]() | 1217 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | 71342SA25J | - | ![]() | 7487 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 71342SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 32kbit | 25 ns | sram | 4k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | M3004316035NX0IBCR | 10.6799 | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 484-BGA | ミスター(磁気抵抗ラム) | 2.7V〜3.6V | 484-CABGA (23x23 | - | ROHS3準拠 | 800-M3004316035NX0IBCRTR | 1 | 不揮発性 | 4mbit | 35 ns | ラム | 256k x 16 | 平行 | 35ns | |||||||
![]() | AT24C02D-PUM | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT24C02 | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | 4.5 µs | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | QS7024A-20J | 14.3000 | ![]() | 328 | 0.00000000 | 高品質の半導体 | * | バルク | アクティブ | QS7024A | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | PCD8582/p | 2.5000 | ![]() | 149 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 100ms | ||||
![]() | HM4-6516-B/883 | 79.1400 | ![]() | 296 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 24-CDIP (0.600 "、15.24mm) | HM4-6516 | sram-同期 | 4.5v〜5.5V | 24カーディップ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16kbit | 120 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 170ns | |||
24LC65/p | 2.4900 | ![]() | 101 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 24LC65 | Eeprom | 2.5V〜6.0V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | 不揮発性 | 64kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
S25FL128SDPBHBC03 | 4.1125 | ![]() | 1888年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | cat28lv65xi-15 | - | ![]() | 6184 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | CAT28LV65 | Eeprom | 3V〜3.6V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 5ms | |||
![]() | w25q64cvzejg | - | ![]() | 5225 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | MT53B512M32D2NP-062AAT:c | - | ![]() | 2344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
![]() | CY7C1426JV18-300BZCES | - | ![]() | 4189 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1426 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 300 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 4m x 9 | 平行 | - | |||
![]() | S34MS04G100TFB003 | - | ![]() | 9913 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MS-1 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S34MS04 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | 45 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 45ns | |||
![]() | MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D Tr | - | ![]() | 8873 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | - | - | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | IS61QDB42M18C-250M3L | - | ![]() | 7927 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB42 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 8.4 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | 71V321SA55PF | - | ![]() | 2856 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 71V321S | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | MT25QL128ABB1ESE-0AUT TR | 4.2442 | ![]() | 3925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MT25QL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 1.8ms | |||
![]() | 71V30S25TF | - | ![]() | 6524 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 71V30 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 64-TQFP (10x10) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 40 | 揮発性 | 8kbit | 25 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | MT29F64G08CBCGBSX-37B:g | - | ![]() | 5742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | - | - | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 267 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | 25LC1024-I/S16K | - | ![]() | 8835 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 25LC1024 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 1mbit | Eeprom | 128k x 8 | spi | 6ms | |||
![]() | CG7031DS | - | ![]() | 7254 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | N25Q032A11ESEA0F TR | - | ![]() | 9690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | N25Q032A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-sop2 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
![]() | 71V321L35JG | 20.8416 | ![]() | 7831 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 71V321L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 16kbit | 35 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 35ns | |||
![]() | S-34TS04L0B-A8T5U5 | 2.3400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -20°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | S-34TS04 | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-dfn (2x3) | - | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | mt29tzzz5d6ykfah-107 w.96n tr | - | ![]() | 3341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | mt29tzzz5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | w25q32bvssjg tr | - | ![]() | 8960 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | W25Q32BVSSJGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||
![]() | 64y6652-c | 30.0000 | ![]() | 2551 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-64Y6652-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
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