画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S25FL132K0XMFV013 | - | ![]() | 5334 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl1-k | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FL132 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
AS7C34098A-20TINTR | 4.7977 | ![]() | 2561 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C34098 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 20 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 20ns | ||||
AT24C01B-TH-B | - | ![]() | 5746 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT24C01 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | 550 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | AT49F001AN-55VI | - | ![]() | 7523 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | AT49F001 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-VSOP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 不揮発性 | 1mbit | 55 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 50µs | |||
![]() | MT29E1HT08EMHBBJ4-3:b | - | ![]() | 9608 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29E1HT08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 不揮発性 | 1.5tbit | フラッシュ | 192g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | M27C4002-15F1 | - | ![]() | 7536 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 40-CDIP (0.600 "、15.24mm )ウィンドウ | M27C4002 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | ウィンドウ付きの40CDIPフリットシール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 8542.32.0061 | 9 | 不揮発性 | 4mbit | 150 ns | eprom | 256k x 16 | 平行 | - | |||
![]() | mtfc128gajaedn-it tr | 114.0000 | ![]() | 2608 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-lfbga | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT53B512M64D4NH-062 WT:c | - | ![]() | 5611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 272-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 272-WFBGA | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | AT29LV020-25TI | - | ![]() | 9441 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT29LV020 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | at29lv02025ti | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 2mbit | 250 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 20ms | ||
![]() | Cy7C025-25JC | - | ![]() | 1496 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 84-LCC | Cy7C025 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 揮発性 | 128kbit | 25 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 25ns | |||
![]() | MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C TR | - | ![]() | 2603 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | mt29vzzzad8 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | AT29C040A-90JI | - | ![]() | 5146 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT29C040 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 4mbit | 90 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | IS61LP6436A-133TQLI-TR | 5.4170 | ![]() | 1588 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LP6436 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 揮発性 | 2mbit | 4 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | CY7C09199V-7AXC | - | ![]() | 7484 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C09199 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 83 MHz | 揮発性 | 1.152mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 9 | 平行 | - | ||
![]() | 71321SA45J | - | ![]() | 6939 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 71321SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 16kbit | 45 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 45ns | |||
![]() | AT24C02N-10SI-2.5 | - | ![]() | 4555 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT24C02 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT24C02N10SI2.5 | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |
![]() | 7GA6Y0205 | - | ![]() | 1049 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 46C7477-C | 51.2500 | ![]() | 3939 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-46C7477-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | GS8321Z36AGD-250I | 46.9467 | ![]() | 3716 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS8321Z | sram- zbt | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 165-fpbga (15x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8321Z36AGD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | 5962-8866206XA | - | ![]() | 4799 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 28-CDIP (0.600 "、15.24mm) | 5962-8866206 | sram-同期 | 4.5v〜5.5V | 28-CDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-5962-8866206XA | 廃止 | 13 | 揮発性 | 256kbit | 25 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | MT29F2G16ABAEAWP-IT:e | - | ![]() | 4693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F2G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | S26361-F4026-L864-C | 615.0000 | ![]() | 3518 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F4026-L864-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SST38VF6403B-70I/TV | 7.6700 | ![]() | 9894 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST38 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | SST38VF6403 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 10µs | |||
24AA64F-I/ST | 0.5700 | ![]() | 5325 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 24AA64 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 24aa64fist | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 64kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | ||
24AA256UID-I/ST | 1.2000 | ![]() | 8117 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 24AA256 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 256kbit | 900 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | NAND512W3A2SZAXE | - | ![]() | 3680 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-TFBGA | NAND512 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 512mbit | 50 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 50ns | |||
![]() | S29CD016J0PFFI000 | - | ![]() | 7120 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CD-J | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 80-lbga | S29CD016 | フラッシュ - | 1.65V〜2.75V | 80-FBGA (13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2015-S29CD016J0PFFI000 | ear99 | 8542.32.0071 | 180 | 66 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 54 ns | フラッシュ | 512K x 32 | 平行 | 60ns | |
![]() | AT28C010-12EM/883 | 506.6400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 32-CLCC | AT28C010 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-lcc (11.43x13.97 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT28C01012EM883 | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 34 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | Eeprom | 128k x 8 | 平行 | 10ms | ||
![]() | 71016S20PHGI | 3.9700 | ![]() | 4657 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | 71016S | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 26 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 20ns | |||
![]() | CG7872AAT | - | ![]() | 8156 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 |
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