画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS41LV16100C-50KLI-TR | - | ![]() | 9629 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 42-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | IS41LV16100 | ドラム -江戸 | 3V〜3.6V | 42-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 25 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | |||
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR | 3.7059 | ![]() | 3946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | Cy7C1381B-133AC | 29.1300 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1381 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | AS1C512K16P-70bin | 3.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | AS1C512 | psram(pseudo sram | 2.6V〜3.3V | 48-FBGA (6x7) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1474 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 364 | 揮発性 | 8mbit | 70 ns | psram | 512K x 16 | 平行 | 70ns | ||
![]() | 28028557 a | - | ![]() | 4687 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | w25q64fvstim | - | ![]() | 8483 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
MT46V32M16CY-5B:J | - | ![]() | 6704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,368 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | SST25VF040B-50-4I-SAF | 1.1200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST25 | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SST25VF040 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 10µs | |||
![]() | AT27C2048-55JC | - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 44-lcc | AT27C2048 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 44-PLCC(16.6x16.6 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT27C204855JC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 27 | 不揮発性 | 2mbit | 55 ns | eprom | 128k x 16 | 平行 | - | ||
![]() | M48Z58Y-70MH1F | 11.0400 | ![]() | 628 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | Snaphatソケット付きの28ソップ(0.350 "、8.89mm 幅) | M48Z58 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-SOH | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 936 | 不揮発性 | 64kbit | 70 ns | nvsram | 8k x 8 | 平行 | 70ns | |||
![]() | Cy7C1513KV18-300BZI | - | ![]() | 9847 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1513 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | w25x40clsvig | - | ![]() | 4680 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25x40 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 800µs | |||
![]() | IS43TR16640B-15GBL | - | ![]() | 6914 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | CAT25040HU4I-GT3 | 0.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | CAT25040 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-udfn-ep(2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | AT45DB011B-XC | - | ![]() | 1281 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 14-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT45DB011 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 14-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 20 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 264バイトx 512ページ | spi | 15ms | |||
![]() | mt45w4mw16pcga-70 it tr | - | ![]() | 8508 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 48-VFBGA | MT45W4MW16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | 647871-B21-C | 37.5000 | ![]() | 4865 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-647871-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | FT24C04A-ULR-T | - | ![]() | 6386 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | FT24C04 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | SOT-23-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 550 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | K4S510432D-UC75 | 12.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | K4S510432d | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3277-K4S510432D-UC75 | ear99 | 8542.32.0028 | 960 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 65 ns | ドラム | 128m x 4 | lvttl | - | ||
![]() | W25Q32JWXGSQ | - | ![]() | 5047 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-xson (4x4) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JWXGSQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | ||||
![]() | AT49BV1614AT-90TI | - | ![]() | 4533 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT49BV1614 | フラッシュ | 2.65V〜3.3V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 16mbit | 90 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 50µs | |||
![]() | IS62C1024AL-35TLI | 2.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS62C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | 揮発性 | 1mbit | 35 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 35ns | |||
![]() | at49lv002-12pi | - | ![]() | 6648 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 穴を通して | 32-dip(0.600 "、15.24mm) | AT49LV002 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 32-PDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | at49lv00212pi | ear99 | 8542.32.0071 | 12 | 不揮発性 | 2mbit | 120 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 50µs | ||
![]() | NM24C16M | - | ![]() | 4729 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 14-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | NM24C16 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 14-SOIC | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 100 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 3.5 µs | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 10ms | ||
EDY4016AABG-JD-FR TR | - | ![]() | 3484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | EDY4016 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | S29GL032N11FFIV20 | - | ![]() | 9113 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL032 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2832-S29GL032N11FFIV20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 32mbit | 110 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 110ns | ||
![]() | CG8553AA | - | ![]() | 8125 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | 影響を受けていない | 廃止 | 96 | ||||||||||||||||||||
![]() | S99PL032J0029 | - | ![]() | 8171 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||
![]() | AT45DB011D-SH-SL955 | - | ![]() | 9967 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT45DB011 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 66 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 256バイトx 512ページ | spi | 4ms | ||||
![]() | CG7985AAT | - | ![]() | 8256 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 |
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