画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDT71124S20YI8 | - | ![]() | 5046 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) | IDT71124 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71124S20YI8 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 20ns | |||
![]() | IS42S32400F-6BL | 5.1693 | ![]() | 8335 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | |||
MT41J64M16JT-15E XIT:g | - | ![]() | 1786 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | IS61DDB24M18A-300M3L | 74.4172 | ![]() | 6619 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDB24 | sram- ddr ii | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 300 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
S25FL132K0XBHIS20 | 1.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl1-k | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL132 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2832-S25FL132K0XBHIS20 | 455 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | 確認されていません | |||||||
![]() | IS25LP256E-RHLE | 3.8455 | ![]() | 4734 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP256E-RHLE | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | |||||||
![]() | S29GL128P10FAI013 | - | ![]() | 3685 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 128mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 100ns | ||||
![]() | 7130L25TFI | - | ![]() | 9426 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | - | 800-7130L25TFI | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1472BV33-200BZC | - | ![]() | 4605 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1472 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3 ns | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IS43R16320E-6TL | - | ![]() | 9246 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43R16320E-6TL | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | SSTL_2 | 15ns | ||||||
![]() | EDF8164A3PF-GD-FR TR | - | ![]() | 1083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | - | EDF8164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | ||||
![]() | CY7C1411KV18-250BZXC | - | ![]() | 8674 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1411 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 4m x 8 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||
70T3339S133BF | 278.5224 | ![]() | 8960 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 208-LFBGA | 70T3339 | sram- デュアルポート、同期 | 2.4V〜2.6V | 208-CABGA (15x15 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 4.2 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||||
w25x20vzpig t&r | - | ![]() | 9227 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25x20 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 3ms | |||||
MT40A1G8SA-075:e | 7.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.33 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | C-2133D4QR4LRLP/32G | 268.7500 | ![]() | 9404 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-2133D4QR4LRLP/32G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS45S16320F-6CTLA1-TR | 13.0500 | ![]() | 6885 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | CY7C1399B-15ZXC | - | ![]() | 8717 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | Cy7C1399 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IDT71v2576ys150pf8 | - | ![]() | 4390 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V2576 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v2576ys150pf8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 150 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
24FC04T-E/OT | 0.2400 | ![]() | 5285 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | 24FC04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | SOT-23-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 450 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | ||||
![]() | AT25SF041-SSHD-T | - | ![]() | 9286 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25SF041 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 5µs 、2.5ms | ||||
![]() | AT49BV002-12TI | - | ![]() | 7020 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT49BV002 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT49BV00212TI | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 2mbit | 120 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 50µs | |||
![]() | 24AA024HT-I/MNY | 0.6400 | ![]() | 120 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 24AA024 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | AT28BV256-20TU | - | ![]() | 3302 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AT28BV256 | Eeprom | 2.7V〜3.6V | 28-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT28BV25620TU | ear99 | 8542.32.0051 | 234 | 不揮発性 | 256kbit | 200 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | S25FL064LABNFM013 | 3.4300 | ![]() | 1760 | 0.00000000 | Infineon Technologies | 自動車、AEC-Q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | NM25C04EN | 1.1200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | NM25C04 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 5ms | ||||
MX25U3235EM2I-10G | - | ![]() | 8168 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX35/36 -MXSMIO™ | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MX25U3235 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 92 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | |||||
![]() | 5962-9161704mya | - | ![]() | 8239 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜125°C | 表面マウント | 84フラットパック | 5962-9161704 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 84-FPACK | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-5962-9161704Mya | 廃止 | 6 | 揮発性 | 128kbit | 55 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | mtfc32gkqdh-it | - | ![]() | 1373 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | - | - | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | 24LC64T-E/SN16KVAO | - | ![]() | 3676 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC64 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 64kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms |
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